【課題】原料ガス中の酸素を効果的に除去することで、酸素濃度の少ないエピタキシャル膜を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、原料ガスを供給する原料ガス供給部３と、原料ガス供給部と接続され、原料ガスを用いて基板に成膜するための反応室２と、酸素除去手段１とを有している。酸素除去手段１は、原料ガス供給部３と反応室２の少なくともいずれか一方に設けられ、固体電解質６を用いて原料ガスから酸素を除去する。 （もっと読む）

【課題】異なる沸点を有する複数の材料から成る液体材料を気化する場合でも残渣の発生を防止して好適に気化可能な液体材料気化装置を提供する。
【解決手段】液体材料ＬＭとキャリアガスＣＧとを混合して気液混合体ＧＬを生成する気液混合部１と、前記気液混合部１からの気液混合体ＧＬを気化しこの気化によって生じたガスを前記キャリアガスＣＧによって外部へ導出する加熱型の気化部２と、前記気液混合部１と前記気化部２とを接続し、内部に前記気液混合体ＧＬの流路を有する接続部３と、前記接続部３を冷却する接続部冷却部４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴って半導体製造装置から発生する微細粒径異物の低減が求められており、半導体処理装置のロードロック室と大気搬送手段間の試料搬入出処理時に乾燥窒素ガスを導入することにより、ロードロック室内のガス中に残留する水分を極力排除し、減圧排気時のガスの温度変化に伴う凝縮水の発生を大幅に抑制し、凝縮水の落下による試料上の付着異物によるパターン不良を低減しつつ、試料の生産効率を向上する。
【解決手段】ロードロック室９ａと大気搬送手段間の試料搬入出処理操作に対し、乾燥窒素ガスを導入し、ロードロック室９ａ内の湿度を低減する構成とし、乾燥窒素ガスの導入時に多孔質材により構成するガス導入部材４０を試料台１４ａに対向するロードロック室蓋２１の上面に設置することにより構成する。 （もっと読む）

【課題】
目詰まりがし難く、ガス供給系、ガス排気系におけるフィルタ部分の分解清掃あるいは交換をするメンテナンス期間の延長を図ることができる筒形フィルタを有する流体輸送管，これを用いた流体輸送路および半導体製造装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、筒形フィルタと管端部とが接続される部分に流体輸送管を流れる流体を通過させない領域を設けるものであって、筒形フィルタの底部側面と流体輸送管の内壁面との間にミスト、フレーク、パーティクル、その他のゴミ、不純物等をトラップするトラップ領域を流体を通過させない領域として形成して、筒形フィルタが輸送流体のサイクロン流を受けるものである。 （もっと読む）

【課題】送出原料ガスに混ざるミストの供給を抑え、パーティクルが発生し難い液体原料気化用の気化器ユニットおよびこれを含むガス輸送路そして半導体処理システムを提供する。
【解決手段】気化器１を原料ガス輸送配管の一部とし、これに接続された加熱装置とともに配管型の気化器ユニット１０を構成する。気化室４は、外側に加熱部材２１ｂを有する配管２１ａの入口側端部に霧化部５を配設することで形成し、気化室４の出口にサイクロン流生成部材３２を配設してサイクロン流を生成することで加熱効率を向上させ残留ミストの発生を防止する。これにより気化器ユニット１０を小型化して反応炉周辺での占有面積を低減し、反応炉から１ｍ以下の近傍において気化器ユニット１０を配置可能とする。 （もっと読む）

【課題】処理室内へのパーティクルの拡散を抑制し、ガスフィルタの交換に要するコストを低減する。
【解決手段】基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、ガス導入手段は、処理室内に配設されるガス導入ノズルと、ガス導入ノズルの先端に接続され、処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、処理ガスは、ガス導入ノズルからフィルタを介してガス整流ノズルへ導入され、ガス導入口から処理室内に導入される。 （もっと読む）

【課題】濾過面積を高め得るフィルター組立体とその為の金属製濾過体を提供する。
【解決手段】金属多孔体で構成され、軸方向に任意の長さを持つ少なくとも２以上の筒状濾過体２をベース部材３に離間配置して、ハウジング容器５に被包され、前記金属濾過体２は、その外形を描く外形線の一部がその全周長（Ｌ０）の５〜４８％の幅寸法（Ｌ１）で平坦化した扁平面６を持つ横断面非円形状の筒体でなり、該扁平面６と他方の筒状濾過体２の扁平面６を所定間隔（Ｓ）で対向して配置したことを特徴とするフィルター組立体１であり、該濾過体は、更にその外周面上に複数の突起を具え、該突起の平均高さ（１／２Ｈ）の点を結ぶ仮想平均線の一部が前記扁平面となるものを含むフィルター組立体であり、金属濾過体は、ステンレス鋼繊維及び／又はステンレス鋼粉末材料による層状焼結多孔体で形成されている。 （もっと読む）

【課題】気化器のコンダクタンスを従来以上に向上させながら，ミストトラップ部の加熱効率を従来以上に高めることができる。
【解決手段】液体原料を液滴状にして吐出する液体原料吐出部３００Ａと，その液滴を気化させて原料ガスを生成する気化室３６０と，生成された原料ガスを送出口３７８から外部に送出する原料ガス送出配管３８２と，これを塞ぐように設けたミストトラップ部３９０とを有する原料ガス生成部３００Ｂと，気化室とミストトラップ部を外側から加熱する第１加熱部（ヒータ３９２，３９４）と，加熱用ガス供給配管１３２に設けられた第２加熱部（ヒータ４３０）とを備え，第２加熱部で加熱された加熱用ガスをミストトラップ部の表面に直接接触させるように構成した。 （もっと読む）

【課題】例えば銅などの高融点材料を含む原料粉体を加熱して得られる気体を用いてウェハにこの銅膜を成膜するにあたって、原料粉体中の化合物中に含まれる有機物などの不純物が銅膜に取り込まれることを抑えると共に、簡便に固体状の原料粉体から気体が得られるようにして原料粉体のコストを抑えること。
【解決手段】固体状の原料粉体を貯留する原料貯留部から粉体導入路を介してキャリアガスと共にこの原料粉体を処理容器へと供給し、この粉体導入路に介設された粉体気化部において原料粉体をプラズマ化して気体状の原料を得る。 （もっと読む）

【課題】液滴状の液体原料を気化させる通気性を有するミストトラップ部材の加熱効率を高めるとともに，液体原料の液滴の気化効率を高めて十分な流量の原料ガスを生成する。
【解決手段】液滴状の液体原料を導入する導入口３４４側に開口端を有する有底筒状のハウジング本体３３０Ｂと，その開口端から内部に遊嵌することによりハウジング本体の内側表面との間で気化流路３３６を形成する円柱状ブロック３５０と，これらを囲む加熱部３９０とを設け，気化流路内に通気性を有するミストトラップ部材３８０をハウジング本体の内側表面に密着するように設けるとともに，円柱状ブロックの内部に形成した噴出孔３５１からミストトラップ部材の内側表面に向けて液滴状の液体原料が噴出されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出機構３４を備え、大気圧状態で被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出室３１ａと、被処理基板搬送機構２４を備え、減圧状態で被処理基板Ｗを搬送する搬送室２１ａと、大気圧状態で搬入出室３１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室４２ａと、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で被処理基板Ｗに対して処理を行う複数の処理室２２、２３と、を備え、搬送室２１ａ内に、被処理基板Ｗを冷却する冷却部６を設ける。 （もっと読む）

【課題】気化器、ガス供給管、フィルタ等の部材の適切な交換時期を判断することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理室２０１と、基板処理用の液体原料を気化させる気化器３２０と、液体原料の気化ガスを気化器３２０から処理室２０１に供給するガス供給管３００と、ガス供給管３００に設けられたフィルタ３４０と、一端部がガス供給管３００のフィルタ３４０より上流側に接続された連結管４００と、連結管４００の他端部に接続された圧力計４２０と、連結管４００に設けられたバルブ４１０と、連結管４００の他端部とバルブ４１０との間に接続され、連結管４００にガスを供給するガス供給管５００と、ガス供給管３００のフィルタ３４０より上流側に接続され、連結管４００に供給されるガスを排気する排気管６００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置に腐食性ガスを供給する際に，被処理基板に対する金属性汚染物質の混入を極力抑える。
【解決手段】 複数の流体制御機器（ハンドバルブ２３１，減圧弁（レギュレータ）２３２，圧力計（ＰＴ）２３３，逆止弁２３４，第１遮断弁２３５，第２遮断弁２３６，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３７，ガスフィルタ（ＦＥ）２３８）を備え，これらを接続する流路を構成する流路ブロック２４１〜２４９を非金属の炭素材料で構成した。 （もっと読む）

前駆体原料容器１００が、容器本体１０４、容器本体１０４内の通路１４５、及び本体１０４の表面に取り付けられる弁１０８、１１０、２１０を備える。内部チャンバ１１１が化学反応物を収容するようになっており、通路１４５は、本体１０４の外側からチャンバ１１１まで延びる。弁１０８、１１０、２１０は、通路１４５を通る流れを調整する。容器１００は、入口弁１０８及び出口弁１１０、及び場合によっては内部ガスを抜くためのベント弁２１０を有する。外部ガスパネル９７が、出口弁１１０と基板反応チャンバ１６２との間に流体的に介装される少なくとも１つの弁１８２を含み得る。ガスパネル弁１８２は、容器１００の平坦な表面と概ね平行でありこの表面からの距離が約１０．０ｃｍ以下である平面に沿ってそれぞれが位置決めされ得る。容器蓋１０６又は壁にあるフィルタ１３０が、容器の弁１０８、１１０、２１０を通るガス流を濾過する。クイック接続アセンブリ１０２が、ガスパネル９７への容器１００の迅速で容易な接続を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ホウ素系ガス中に存在する金属不純物を確実に除去して超高純度のホウ素系ガスを得ることができるホウ素系ガス中の金属不純物の除去方法を提供する。
【解決手段】ホウ素系ガス、例えば、Ｂ_２Ｈ_６，ＢＦ_３，ＢＣｌ_３等をステンレス鋼製焼結フィルターで濾過処理することにより、あるいは、ステンレス粉末に接触させることにより、ホウ素系ガス中に存在する鉄，銅，アルミニウム，ニッケル，マグネシウム，クロム，マンガン，亜鉛等の金属不純物を除去して超高純度のホウ素系ガスを得る。 （もっと読む）

【課題】ウェハへのＬＭＣＳの吸着を防ぐことおよびウェハに吸着したＬＭＣＳを除去すること。
【解決手段】（１）半導体素子を製造するクリーンルームに使用されるシール材をフッ素系シール材とする。（２）シール材にシリコンシール材を用いていて、クリーンルーム内に露出しているシール材の表面は、電気絶縁性を有し機械的に安定で耐老化性を有し加工性に優れおよび接着性に優れた材料で被覆してある。（３）ＬＭＣＳを発生する工程を行う雰囲気内で発生したＬＭＣＳの材料を高エネルギー状態下で粒子化した後、除去してＬＭＣＳを発生する工程を行う雰囲気とは隔離された雰囲気中でこの工程以外の工程を行う。（４）半導体素子を製造する装置内への外気吸入口に活性炭を用いたケミカルフィルタが設けられている。（５）半導体素子製造装置内に不活性ガスを充満させた予備バッファ室を設け、この室内でＬＭＣＳで汚染された半導体素子用部材を加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 原料ガスの輸送経路にフィルタを配置した成膜装置において、パーティクル量を従来よりも有効に低減することのできる新規な構造を提供する。
【解決手段】 本発明は、液体若しくは気液混合物で構成される原料を供給する原料供給部と、原料を気化して原料ガスを生成する原料気化部と、生成された原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜部とを有する成膜装置において、原料気化部から成膜部の導入部分に至る原料ガスの輸送経路の途中にフィルタ１５３が配置され、フィルタ１５３の外縁１５３ａは、当該外縁１５３ａよりも押圧方向に高い剛性を備えた環状の支持部材１５８により全周に亘って輸送経路の内面に対して押圧固定され、しかも、輸送経路の内面と支持部材１５８との間で圧縮された状態にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 無声放電により生成させたオゾンから電極由来の金属を除去する。
【解決手段】 オゾン発生ユニット３０で電極間の無声放電により発生させたオゾンを、フィルタ３３を構成する分子透過膜３３ａの前後の圧力差に基づき、分子透過膜３３ａを透過させる。透過させたオゾンを、別途生成させた水蒸気と併せて半導体ウエハＷ上のレジスト表面に供給して、レジスト除去を行う。かかるレジスト除去では、電極由来の金属による高濃度汚染を回避することができる。 （もっと読む）