複数の反応物の供給工程を複数回繰り返すことにより基板を処理するものにおいて、反応物である原料を無駄に捨てることなく、基板処理のスループットを向上させる。 基板処理装置は、反応物として液体原料を気化した原料ガスを含み、その原料ガスの処理室１内への供給と、その後に行う原料ガスとは異なる反応物の処理室１への供給を複数回繰り返すことにより、基板を処理するものである。液体原料の流量制御は吐出駆動制御機構６によって制御する。吐出駆動制御機構６は、気化器３内に一体的に組込まれた弁体３３を制御することにより、気化器３や気化器３に接続される外部配管ではなく、気化器３中の気化部へ直接流れ込む液体原料の１回の吐出動作における流量を固定化し、液体原料を気化部３１に間欠的に吐出させるようにする。
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【課題】 反応室の構造を簡素化すると共に、メンテナンス性に優れた化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】 基板１を支持する下部プレート２は、その主面がほぼ平行となるように配置されている。回転シャフト３は下部プレート２をほぼ水平面内で回転させる。反応室の側面には、複数種の反応ガスを反応室内に供給する供給口１７が設けられている。また、反応ガスを反応室外へ排出する排出口１８が、下部プレート２のほぼ中心と対向するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷が少なく、しかも、膜厚の均一性の良好な絶縁膜を得ることができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】電磁波入射面Ｆを有する真空容器２と、この真空容器２内に設けられた第１のガス噴出口４２、真空容器２内に、第１のガス噴出口４２より電磁波入射面Ｆから遠い位置に設けられた第２のガス噴出口５２を有するプラズマ成膜装置１ａにより絶縁膜１０１を形成する。第１のガス噴出口４２から真空容器２内にプラズマ発生用ガスとしての第１のガスを供給する工程と、第２のガス噴出口５２から真空容器２内に有機珪素化合物ガスおよび有機金属化合物ガスのうち少なくとも一方のガスと酸素ガス及び希釈ガスのうち少なくとも一方のガスとを含む第２のガスを供給する工程とを有する。 （もっと読む）

エピタキシャル層を基板（３）上に成長させるための回転ディスク式反応器（１）において、ディスクの回転軸から異なる半径方向距離にある基板に向かうガスが、実質的に同一の速度を有する。軸から離れたディスクの部分（１０ａ）に向かうガスは、軸に近いディスクの部分（１０ｄ）に向かうガスよりも、高濃度の反応ガス（４）を含むとよく、これによって、軸（１４）から異なる距離にある基板表面の部分は、単位面積当りにつき、実質的に同一量の反応ガス（４）を受ける。所望の流れパターンが反応器内において達成され、基板へのエピタキシャル層の均一な堆積と成長を可能にする。

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