一実施形態は、材料蒸着のための装置を提供する。装置は、反応チャンバと、一対のサセプタとを含む。各サセプタは、基材を載置する前側と背側とを有する。垂直に位置付けられるサセプタの前側は、相互に対面し、サセプタの垂直縁部は、相互と接触している。また、装置は、反応ガスを注入するためのいくつかのガスノズルも含む。チャンバの内部のガス流方向は、ガスノズルを制御することによって交互にすることができる。ガスノズルは、ガスノズルが反応ガスを注入していない時に、ＨＣｌ、ＳｉＣｌ_４、およびＨ_２のうちの少なくとも１つを含む少量のパージガスを注入するように構成される。装置は、反応チャンバの外部に位置するいくつかの加熱ユニットを含む。加熱ユニットは、それらが熱エネルギーをサセプタの背側に直接放射するように配設される。
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【課題】固体原料を使用する基板処理装置において、原料供給用タンクを装置から外すことなく原料供給用タンクに原料を補充することができる基板処理装置および原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料を保持する第１の原料容器２７０と、該第１の原料容器と第１の配管を介して接続され固体原料が補充される第２の原料容器２６０と、該第２の原料容器と処理室を接続する第２の配管２３０と、少なくとも第１の原料容器及び第１の配管を加熱可能な加熱手段２８３と、少なくとも第１の原料容器及び第２の原料容器の内部の圧力を調整可能な圧力調整手段とを設け、第１の原料容器から第２の原料容器へ固体原料を補充する際には、固体原料を気体原料へ変態させて補充するように加熱手段及び圧力調整手段を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、（１）反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の５倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程２１１と、安定化工程２１１後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程２１２と、を有し、（２）膜堆積工程２１２は、電力の立ち上がり工程２０１と、インピーダンス整合工程２０３と、安定放電工程２０５と、電力をオフする立ち下がり工程２０４と、からなり、立ち上がり工程２０１とインピーダンス整合工程２０３と立ち下がり工程２０４の合計時間が、１秒以上、１０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】２つの部屋を連通する際に一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることが可能な圧力調整装置を提供する。
【解決手段】開閉可能になされた開閉ドアＧ１〜Ｇ８を介して連通された、圧力差が生ずることのある第１の部屋と第２の部屋の圧力調整装置において、第１の部屋と第２の部屋とを連通する連通路６６と、連通路の途中に介設された第１及び第２の開閉弁６８，７０と、連通路の第１及び第２の開閉弁との間に接続されて、連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路７２と、ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁７４と、開閉ドアを開く直前に、第１及び第２の開閉弁を閉じた状態で連通路内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第１及び第２の部屋へ供給するために第１及び第２の開閉弁を開くように制御する弁制御部７６とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】加熱することなく炉口部等の低温部への副生成物の付着を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、インレットフランジ１６ａを支持するベースフランジ１６ｂとを含み基板を処理する反応炉と、反応炉を気密に閉塞するシールキャップ２０と、シールキャップ２０と離間してベースフランジ１６ｂ内側に設けられるカバーであるアイソレーションフランジ４２と、シールキャップ２０とベースフランジ１６ｂの内側壁面とで囲まれる空間により形成される小部屋４３と、シールキャップ２０に対して不活性な第１ガスを小部屋４３に供給する第１ガス供給管１９ｂと、アイソレーションフランジ４２形成され小部屋４３に供給された第１ガスを反応炉内に流出させる流出経路４２ａと、流出経路４２ａよりも下流側に設けられて反応炉内に第１ガスよりもシールキャップ２０に対して活性な第２ガスを供給する第２ガス供給管１９ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】気化器４０９は、内部空間を有する容器９００と、容器９００内の空間を加熱し、霧状の材料溶液を気化させる加熱部９０７とを備える。霧化部４０８は、内部空間に向かって材料溶液と霧化支援ガスを噴出し、ヒーター９０８を内蔵するフィン９０７により霧化した材料溶液を加熱する。これにより、溶液材料を効率よく気化することができる。 （もっと読む）

【課題】供給管内を高速で流れてきた原料ガスを、短い距離で均等に分配して反応室に導くことができ、また原料ガス流量が非常に多い場合であっても、ウエーハ上の原料ガスの流速分布を均一にすることができる薄膜の気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室のサセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、原料ガスを、２つのラインに分岐し、その後該分岐させた原料ガスの各々を一旦２つに分岐させた後に合流させ、その後更に２つに分岐させて、原料ガスを前記反応室に供給しながら気相成長させることを特徴とする薄膜の気相成長方法。 （もっと読む）

本発明は基本的には、バッキングプレートにガス供給源から離れた位置で 接続されるＲＦ電源を有するプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む。ガスを前記処理チャンバに、前記ＲＦ電源から離れた位置で供給することにより、前記処理チャンバに至るガスチューブ内での寄生プラズマの発生を低減することができる。前記ガスは、前記チャンバに複数の位置で供給することができる。各位置では、前記ガスは、前記処理チャンバに前記ガス供給源から、リモートプラズマ源だけでなくＲＦ絞り部またはＲＦ抵抗部を通過させることにより供給することができる。
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シリコン製直立管を使用して内部にガスが流通される反応器内での化学気相蒸着によってポリシリコンまたはその他の材料を製造するための、システムおよび方法が提供される。シリコン製の直立管は、前駆ガスが反応室の種々の部分に注入され得るように、ノズル連結器を使用して反応器システムに取り付けられ得る。結果として、反応室全体のガス流れが改善され、これによりポリシリコンの産出量を増加でき、ポリシリコンの品質を改善でき、エネルギーの消費を低減できる。
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【課題】 常圧下でのＣＶＤ法において、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成できるようにする。
【解決手段】 大気圧近傍の圧力条件でのＣＶＤ法により基板Ｓの表面に酸化膜を形成する装置において、シリコン含有ガスからなる原料ガス（Ａ）、酸化性ガスからなる反応ガス（Ｂ）、Ｈ₂Ｏガス（Ｃ）という３成分のプロセスガスを供給するガス供給源３Ａ，３Ｂ，３Ｃと、放電処理部１とを備える。放電処理しない原料ガス（Ａ）に、放電処理部１にて放電処理した反応ガス（Ｂ）を基板Ｓ表面付近で混合すると共に、放電処理した又は放電処理しないＨ₂Ｏガス（Ｃ）を添加することによって、常圧下でのＣＶＤ法において、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成する。 （もっと読む）

本発明は、熱運動化された前駆体ガスのいっそう正確な送出を与えるために、成長チャンバの中に延在するガス注入装置を提供する。改善された注入器は、成長チャンバの中に熱せられた前駆体ガスを分配することができ、その流れは成長基板に作用するまで空間的に互いから離されていて、高い容積製造に適する容積を有する。重要なことに、改善された注入器は、そのようなチャンバで用いられる機械式ロボット基板取扱装置の運転を妨げないで、既存の市販の成長チャンバの中にそれが適合することができるように、寸法付けられ、構成されている。この発明は、多数の要素のおよび化合物半導体の高容積成長に役立ち、特にＩＩＩ−Ｖ族化合物およびＧａＮの高容積成長に役立つ。
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【課題】低酸素・炭素密度で高品質な界面をウエハと薄膜との間に均一に形成する。
【解決手段】プロセスチューブとそれを支持するマニホールドとで構成される反応容器内に複数枚の基板を搬入して配列させるステップと、前記反応容器内の前記マニホールド側から前記プロセスチューブ側に向かって前処理ガスを流して前記複数枚の基板に対して前処理を施すステップと、前記反応容器内の前記マニホールド側から前記プロセスチューブ側に向かって本処理ガスを流して前記前処理が施された前記複数枚の基板に対して本処理を施すステップと、前記本処理後の前記複数枚の基板を前記反応容器内から搬出するステップと、を有する半導体装置の製造方法において、前記前処理を施すステップでは、前処理ガスを、前記マニホールドに対応する領域における少なくとも１箇所と、基板配列領域に対応する領域における少なくとも上部の１箇所と、から供給する。
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【課題】堆積チャンバの内部で、異なる物質の複数の膜を連続的なプロセスで堆積する方法を提供する。
【解決手段】堆積チャンバ内に基板を提供する。第１の原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記基板上に、第１の物質の膜を堆積する。これら第１のサイクルは、シクロペンタジエニル金属前駆物質をパルス的に導入することを含む。第２のＡＬＤプロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記第１の物質の膜上に、第２の物質の膜を堆積する。前記第２の物質は、前記シクロペンタジエニル金属前駆物質中の金属とは異なる金属を含む。 （もっと読む）

【課題】分流される流体流量を瞬時に管理し、所定の分流比で流体を素早く出力することができる流体分流供給ユニット及び分流制御プログラムを提供すること。
【解決手段】流体を分流して供給する流体分流供給ユニット１において、流体の流量を制御する流量制御機器８と、前記流量制御機器８の二次側に接続される複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃと、を有し、前記複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、前記開閉弁１０の動作周期を１サイクルとして、分流比に応じて１サイクルを時分割して前記複数の開閉弁１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの弁開閉動作をデューティ制御されるものである。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく金属酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。ＨｆＯ_２膜を形成する工程では、ＴＥＭＡＨの加熱温度とＯ_３の加熱温度とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】形成する膜の屈折率やエッチングレートについてのウエハ相互間の差を抑止しつつ、ウエハ相互間の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハ１をボート２０で保持してヒータ３２で加熱しつつ処理室３４内に成膜ガスを供給して熱ＣＶＤ法でウエハ１に成膜する成膜工程において、処理室３４内のウエハ配列方向に温度勾配を設けずに、成膜ガスを処理室３４の下端から上端に向かって流す第一フローステップと、上端から下端に向かって流す第二フローステップとを１サイクルとし、このサイクルを１回もしくは複数回実施する。処理室内に温度勾配がないので、ウエハ相互間の屈折率やエッチングレートを均一化できる。第一フローによる成膜により生じたＢＴＭ側ウエハ膜厚とＴＯＰ側ウエハ膜厚との相違を第二フローによる成膜により相殺できるので、ウエハ相互間における膜厚を均一化できる。
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【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着法による薄膜蒸着時に、ソースガスの圧力を正確に調節することができるソースガス供給装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るソースガス供給装置１００は、化学蒸着法による薄膜蒸着時に使用されるソースガス供給装置であって、ソースガスの原料であるソース物質２２を貯蔵するソース物質貯蔵部２０と、前記ソース物質を加熱してソースガスを生成するソース物質蒸発部３０と、前記ソース物質貯蔵部に貯蔵されているソース物質を前記ソース物質蒸発部に供給するソース物質供給管４０と、前記ソース物質供給管の経路上に設けられ、前記ソース物質蒸発部に所定量のソース物質が供給されるように制御するソース物質制御部４２とを備える。 （もっと読む）

本発明は、トランジスタに使用するための酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法に関し、基板上に薄膜材料を堆積することを含み、第１、第２および第３ガス材料を含む複数のガス材料を提供することを含み、該第１又は第２ガス材料の一方が該基体の表面にある場合に、該第１又は第２ガス材料のもう一方が反応して該基体上に材料の層を堆積するように、該第１ガス材料は亜鉛含有揮発性材料であり、該第２ガス材料はそれと反応し、そして第３のガス材料は、該第１又は第２ガス材料との反応することに関して不活性である。
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本発明は、半導体処理装置および方法に関し、特に、光学および電子構成部品の製造、エピタキシャル堆積用の基板としての使用、ウェハ用などの用途に適したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法が、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化される。具体的には、この方法は、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と、１つまたは複数の基板上での半導体材料の持続的大量製造を提供するのに十分な条件下で反応させることを含み、気体ＩＩＩ族前駆体は、ＩＩＩ族元素として５０ｇ／時の質量流量で、少なくとも４８時間の間、連続的に供給される。この方法を実行するシステムも提供される。
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