【課題】 ＣＶＤ装置のガス供給ゾーンにおける材料ガスの反応を抑えて、パーティクル発生を抑える。
【解決手段】 ＣＶＤ装置１０は、材料ガスをガス供給ゾーン５１に供給する２重に構成されたガス供給管２６、２７を備えている。ガス供給管２６、２７を通る材料ガスは、その先端に設けられた微小なオリフィス２８、２９を通って、成膜ゾーン５２に到達してウェハ４１、４２上に薄膜を形成する。材料ガスは、ガス供給管２６，２７のオリフィス２８，２９に至るまでは所定の高圧を維持しており、ガス供給ゾーン５１で断熱膨張することによって材料ガスは冷却され、材料ガスの温度は反応温度以下に低下する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ_２Ｏ_３膜等を生成する際、副生成物であるノズル内のＡｌ膜等の成膜を抑えることができるようにする。
【解決手段】反応管２０３と、シリコンウエハ２００を加熱するヒータ２０７とを有し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とオゾン（Ｏ_３）とを、反応管２０３内に交互に供給してウエハ２００の表面にＡｌ_２Ｏ_３膜を生成する基板処理装置であって、オゾンとＴＭＡとをそれぞれ流す供給管２３２ａ、２３２ｂと、反応管２０３内にガスを供給するノズル２３３と、を備え、２つの供給管２３２ａ、２３２ｂを、反応管２０３内のウエハ２００付近の温度よりも低い温度の領域で、ヒータ２０７の内側に配置されたノズル２３３に連結させて、オゾンとＴＭＡをノズル２３３を介して反応管２０３内にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面を処理する方法及び処理システム。
【解決手段】 表面は、少なくとも2つのラジカル源からの少なくとも2種類のラジカルに曝露される。ラジカル源からの各対応するラジカルは基板表面の異なる領域と相互作用する。本発明は酸化、窒化又はその両方の均一性を適切に改善する。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に処理ガスを均等に供給できながら、シャワーヘッドの組立てを容易にする。
【解決手段】 基板処理装置は、基板を処理する反応室と、反応室内に原料ガス（処理ガス）Ｇ１、ラジカル（処理ガス）Ｇ２をシャワー状に供給するシャワーヘッド２３６とを有する。このシャワーヘッド２３６は、複数のポート（貫通孔）Ｃ１、Ｃ２を有する複数の円板Ａ１、Ａ２、Ａ３を有する。複数の円板Ａ１、Ａ２、Ａ３のうち少なくとも隣り合う円板の複数のポートＣ１又はＣ２の一部同士は、連通孔Ｄを有する少なくとも１つのボルト（管状部材）Ｂで連通される。このボルトＢは、少なくとも一端部がネジ込み可能に形成され、隣り合う円板Ａ１、Ａ２又はＡ２、Ａ３の少なくとも一方の複数のポートＣの一部にネジ込まれている。 （もっと読む）

【課題】酸素等不純物の低減されたIII族ハロゲン化物ガスを供給することにより、酸素不純物濃度の低減されたAl系III族窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 （もっと読む）

【課題】 シャワーヘッド等のガス吐出機構の温度上昇を効果的に抑止し、ガス吐出機構の温度上昇に起因する処理の不良や不均一を低減すること。
【解決手段】 成膜装置１００は、ウエハを収容するチャンバー１と、チャンバー１内に配置され、ウエハが載置される載置台と、載置台上と対向する位置に設けられ、チャンバー１内へ処理ガスを吐出するシャワーヘッド４と、チャンバー１内を排気する排気機構とを具備し、シャワーヘッド４は、処理ガスを吐出するための多数のガス吐出孔４５ａ、４５ｂが形成された中央部４６と、中央部４６の外周側に位置する、ガス吐出孔４５ａ、４５ｂの存在しない外周部４７とを有し、成膜装置１００は、シャワーヘッド４の熱を外周部４７の全周から大気側に放熱する放熱機構をさらに具備する。 （もっと読む）

本発明は、ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し、回転させるためシステムであって、処理室の中に配置され、サセプタ（３）を支持することができる支持部材（２）と、持上げガスの流れによって支持部材（２）を持ち上げることができる手段（４）と、回転ガスの流れによって支持部材（２）を回転させることができる手段（５）とを備えるシステムに関する。
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【課題】
本発明は、特に大気圧に近い圧力雰囲気で半導体基板上に薄膜を形成する装置におけるパーティクル発生の問題を回避して生産性を向上するのに好適な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】
本発明における成膜装置は、少なくとも、半導体基板上に薄膜を形成するための反応室と、ガス供給系と、ガス排気系を有しており、前記ガス排気系は、反応室に接続する第一の排気管と、第一の排気管を分岐した第二および第三の排気管とで構成される。第二の排気管は第一のバルブと第一の圧力制御弁を有し、第三の排気管は第二のバルブと第二の圧力制御弁を備え、第一のバルブと第二のバルブとは、同時に開状態にはならないようにし、また、第一の圧力制御弁と第二の圧力制御弁とは、各々独立して機能する構成とした。 （もっと読む）

基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。
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【課題】 真空容器でのプラズマの生成に供する電極の信頼性を確保すると共に、地球温暖化係数の高いガスの排出を確実に防止すること。
【解決手段】 真空容器１１内で基板１２に成膜等を行う真空処理装置（プラズマＣＶＤ装置）１０のクリーニング方法において、非反応性ガス（不活性ガス）を真空容器１１とは別に設けられたガス分解装置２４に導入して非反応性ガスによるプラズマを生成する工程と、前記非反応性ガスによるプラズマが生成されたガス分解装置２４内に反応性ガス（三フッ化窒素ＮＦ_３）を導入し解離し活性種（原子状フッ素Ｆ）を生成する工程とを有し、前記活性種（原子状フッ素Ｆ）を真空容器１１に導入してクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】分子層の吸着および酸化を交互に繰り返す基板処理装置において、前記酸化処理をプラズマ励起されたラジカルにより行うことにより、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、およびかかる基板処理装置を使った基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、被処理基板を保持する基板保持台を備えた処理容器と、前記処理容器中において前記基板保持台の第１の側に形成された処理ガス導入口と、前記処理容器の、前記基板保持台に対して前記第１の側とは異なる第２の側に形成されたラジカル源と、前記処理容器中において前記第１の側に形成された第１の排気口と、前記処理容器中において前記第２の側に形成された第２の排気口と、前記第１の排気口に第１の可変コンダクタンスバルブを介して結合され、前記第２の排気口に第２の可変コンダクタンスバルブを介して結合された排気系とよりなる。 （もっと読む）

【課題】バッファタンクを液体原料供給機構に取り付けた場合に、液体原料の再液化を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つ以上の原料を処理室１に供給する原料供給機構４２、１２と、少なくとも一つ以上の原料のうち、少なくとも一つの原料が常温常圧で液体または固体であって、常温常圧で液体または固体である原料を気体に気化または昇華する気体化機構４０と、気体化機構４０と処理室１との間の原料供給機構４２の途中に設けられ、気体化された原料を一時的に溜めておくバッファタンク１０と、バッファタンクを加熱する加熱機構５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＶが発生しないようにガス弁システムを改善してパージ効率を向上させた半導体素子の製造装置とその方法を提供する。
【解決手段】半導体素子を製造するために基板が処理される反応チャンバと、反応チャンバ内に第１工程ガスを供給する第１工程ガス供給管と、第１入口、第２入口、第１出口及び第２出口を備え、前記第１工程ガス供給管とは前記第１入口及び第１出口でそれぞれ連結されるように前記第１工程ガス供給管の中間に設けられる４方弁と、４方弁の第２入口に連結され、反応チャンバ内に第２工程ガスを供給する第２工程ガス供給管と、４方弁の第２出口に連結されたバイパス管と、バイパス管に設けられた断続弁と、を備える４方弁を有する半導体素子の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 大面積の基板に均一厚さ且つ均質な薄膜を成膜できる表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、材料ガス導入システム１０と放電ガス導入システム３０を備え、表面波励起プラズマＰにより材料ガスＧ１を乖離して基板Ｓに成膜する。材料ガスＧ１は、分岐点Ｑ１で複数に分岐されたガス導入管１２，２２，２３を通ってシャワーヘッド１５ａ，２４ａ，２７ａからチャンバー１内に導入される。ガス導入管１２，２２，２３を通る材料ガスＧ１の流量を、それぞれニードルバルブ１２ａ，２２ａ，２３ａで調節することにより、シャワーヘッド１５ａ，２４ａ，２７ａからチャンバー１内へ導入する量を等しくし、チャンバ１内の材料ガスの濃度分布を均一化する。 （もっと読む）

【課題】 反応生成物が基板以外の領域に堆積することを防止すると共に、再現性良く半導体を成長させることができるＭＯＣＶＤ装置又は半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】 有機金属気相成長装置は、内部に配置されたサセプタ１５上に基板１Ａを保持するチャンバー１０と、チャンバー１０の壁部から内部にかけて設けられ、チャンバー１０内に冷却ガスを導入する冷却ガス導入口２ｄと、チャンバー１０の壁部から内部にかけて冷却ガス導入口２ｄとは独立して設けられ、チャンバー１０内に原料ガスを導入するプロセスガス導入口２ａ及び２ｂと、プロセスガス導入口２ａ及び２ｂから連続するように設けられ、プロセスガス導入口２ａ及び２ｂから導入される原料ガスを基板１Ａ上に搬送するプロセスガスフローチャンネルとを備えている。冷却ガス導入口２ｄは、冷却ガスがプロセスガスフローチャンネルの外壁に当たるような位置に設置されている。 （もっと読む）

【課題】 原料ガスの分解や反応を防止するとともに、低温の原料ガスが基板やサセプタを冷却することも防止し、原料ガスを最適な温度条件で基板面に供給することにより、パーティクルによる膜質の劣化や、基板の温度低下による膜厚分布の発生を抑え、高品質な薄膜を形成することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ１１より原料ガス流れ方向上流側のフローチャンネル１５に、原料ガス供給部１４からフローチャンネル内に導入される原料ガスの温度を、その熱分解温度以下に制御する第１温度制御領域２１を設けるとともに、第１温度制御領域とサセプタとの間に、前記第１温度制御領域によって制御される温度より高く、かつ、基板の加熱温度よりも低い温度に制御する第２温度制御領域２２を設ける。 （もっと読む）

【課題】 被処理体上に薄膜を形成するときのパーティクルの発生を抑制可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 被処理体１を収納する反応管１１と、反応管１１の上流側に接続され、被処理体１上にシリコン（Ｓｉ）を含む原料ガス及び窒素（Ｎ）を含む原料ガスを、それぞれ独立に導入する複数の原料ガス導入配管２４，２５と、反応管１１の上流側に接続されたアンモニア（ＮＨ₃）ガスを導入する抑制ガス導入配管２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 スピンコート方法、低誘電率絶縁膜、及び、半導体装置に関し、簡単な装置構成によって、機械的強度、比誘電率、或いは、膜密着性に優れた絶縁膜を成膜する。
【解決手段】 スピンコート中に、スピンコート材料３と反応する気相材料４をスピンコータカップ１内に導入する。 （もっと読む）

【課題】 原料の利用効率を高くし、高品質の化合物半導体を成長させる。
【解決手段】 成長室１内に、基板ＳＢを保持する回転自在な基板保持台２と、基板保持台２の加熱手段３と、基板ＳＢに向けて反応ガスを供給するガス供給部４と、排ガスを成長室１外へ排出する排気口９とを備えた気相成長装置において、成長室１の側壁１０の内径を基板保持台２の外径と略同じとして成長室１内に反応空間ＲＳを形成し、ガス供給部４を互いに離隔して配置された第一原料ガス供給部５、第二原料ガス供給部６及びドーパントガス供給部８で構成し、基板ＳＢの回転軌跡の法線方向と直交し、下辺１１ｂが基板保持台２と平行で且つ近接する方形の開口面１１ａを有する排気導入管１１を排気口９に接続し、第一原料ガス供給部５、第二原料ガス供給部６、ドーパントガス供給部８、開口面１１ａを、基板保持台２の回転で基板ＳＢが順次遷移するように配設する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物系化合物からなる表面薄層を形成する場合において、冷却時における表面薄層の目標層厚からの不足を効果的に防止できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 成長用基板を反応容器中に配置し、ＩＩＩ族金属源として該ＩＩＩ族金属の有機金属ガスをキャリアガスにて希釈して用い、窒素源としてアンモニアガスを用いたＭＯＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長用基板上にエピタキシャル成長する。表面薄層成長工程において表面薄層を、最終的に得るべき目標厚さに対し、冷却工程時において該表面薄層を形成する窒化物の分解により生ずる該表面薄層の厚さ減少を補償する補償厚さを部増しした形で成長することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）