【課題】Ｉｏｐを長時間一定の値に保つ、つまり信頼性が高い発光素子チップを多く取ることができる発光素子用エピウェハを提供する。
【解決手段】基板２上に、III族およびＶ族原料ガスを用いてｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型第１クラッド層１０、ｐ型第２クラッド層１２を含むエピタキシャル層３を成長させた発光素子用エピタキシャルウェハ１において、エピタキシャル層３の水素濃度の平均値を９．２×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】被処理物を相対移動させながら処理流体を被処理物に噴き付けて表面処理を行なう装置において、被処理物の端部の過剰処理（ローディング効果）を防止する。
【解決手段】噴き出し部３１の左側（一側）に第１吸い込み部３２Ｌを配置し、右側（反対側）に第２吸い込み部３２Ｒを配置する。間隔調節機構４０にて噴き出し部３１と各吸い込み部３２Ｌ，３２Ｒとの間隔を調節可能にする。処理流体を噴き出し部３１から噴き出すとともに、移動機構１２にて被処理物Ｗを左右方向へ移動させる。被処理物Ｗの右端部（第２側の端部）を処理する際は、噴き出し部３１と第１吸い込み部３２Ｌとの間隔を小さくする。これにより、ローディング効果の起きる領域を小さくする。 （もっと読む）

【課題】ガスの流れを良好にするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００には、噴射孔Ａを有する第１のガス供給管パーツ２８ａと、その下方に位置し、噴射孔Ｂを有する第２のガス供給管パーツ２８ｂと、各第１のガス供給管パーツ２８ａをその両端にて支持する第１の側壁と、噴射孔Ｂが基板に向かって開口するように、各第２のガス供給管パーツ２８ｂをその両端にてそれぞれ支持する第２の側壁と、第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１をその一部に構成する第１および第２のガス通路４２ａ、４２ｂとを有する。アルゴンガスおよび酸素ガスは、第１のバッファ空間４２ａ１から各第１のガス供給管パーツ２８ａに通され、噴射孔Ａから処理室Ｕに供給される。シランガスは、第２のバッファ空間４２ａ２から各第２のガス供給管パーツ２８ｂへ通され、噴射孔Ｂから処理室Ｕに供給される。 （もっと読む）

【課題】 載置台とガラス基板との間の空間が設定圧力となるような量の伝熱ガスを短時間で供給することができ、しかも、この空間を設定圧力に正確に保持することができる伝熱ガス供給機構を提供する。
【解決手段】 伝熱ガス供給機構３は、サセプタ４と基板Ｇとの間の空間Ｄに伝熱ガスを供給するための伝熱ガス供給源３０と、伝熱ガス供給源３０からの伝熱ガスを一時的に貯留するための伝熱ガスタンク３１と、一端が伝熱ガス供給源３０、他端が空間Ｄに接続された第１の伝熱ガス流路３４と、第１の伝熱ガス流路３４から分岐して伝熱ガスタンク３１に接続された第２の伝熱ガス流路３５とを具備し、第１および第２の伝熱ガス流路３４、３５を介し、伝熱ガスが伝熱ガス供給源３０から伝熱ガスタンク３１に一旦貯留され、伝熱ガスタンク３１に貯留された伝熱ガスが空間Ｄに供給される。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の基板処理装置に限らず、成膜の際のウエハの膜厚の均一化を可能にする手段を提供する。
【解決手段】第１のガス供給手段は、処理室２０１に原料ガスを導入する少なくとも１つの第１の導入口を更に備え、第１の導入口は前記処理室２０１内に収容された基板側の方向を避けて開口し、第２のガス供給手段は、前記処理室２０１に前記酸性化ガスを導入する少なくとも一つの第２の導入口を更に備え、前記第２の導入口は前記処理室２０１内に収容された基板側の方向を向いて開口し、制御部は、前記第１のガス供給手段、前記第２のガス供給手段および前記排出手段を制御して、前記処理室２０１に対して前記原料ガスと前記酸性化ガスを交互に供給、排気し、前記基板上に所望の膜を生成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】副生成物付着防止効果を向上させる。
【解決手段】ボートローディング時に処理室２６を気密封止するシールキャップ３５と、処理ガス供給ライン５１、５６と、パージガス供給ライン６６と、クリーニングガス供給ライン６１と、処理室２６を排気する排気ライン３０と、ボートアンローディング時に処理室２６を閉塞するシャッタ８１と、シャッタ８１に内外二重に敷設されて処理室２６を気密封止する第一Ｏリング８２と第二Ｏリング８３と、第一Ｏリング８２と第二Ｏリング８３との間を真空引きする排気ライン８５とを備えた反応炉において、第一Ｏリング８２と第二Ｏリング８３との間を真空引きした状態で、パージガス供給ライン６６により窒素ガスパージし、クリーニングガス供給ライン６１によりクリーニングする。
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【課題】エピタキシャル結晶成長時に反応炉の導入配管内に残留したＳｅの影響を受けないIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係るIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、反応炉５内に配置した基板上にＳｅを含むIII−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル結晶を層成長させた後、次回のエピタキシャル結晶成長を行う前に、反応炉５の導入配管３に有機金属ガス２のみを流し、導入配管３内に残留したＳｅを取り除くものである。 （もっと読む）

【課題】低温下で、良質な酸化膜を形成することができる酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にアンモニアラジカルを供給し、半導体ウエハＷの表面を窒化する。次に、反応管２内にＤＣＳを供給し、窒化された半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板に金属酸化物を成膜する際、金属原料を溶解する溶媒の成分が金属酸化物の膜に不純物として混入されるのを防止する。
【解決手段】金属原料をそれより気化性の高い溶媒に溶解させてなる原料溶液Ｓを、移送機構３０によって気化器４０の第１気化環境４１ａに配置した後、第２気化環境４２ａに配置する。第１気化環境４１ａは、金属原料が気化困難で有機溶媒が気化容易な温度又は圧力になっている。第２気化環境４２ａは、金属原料が気化容易な温度又は圧力になっている。第２気化環境４２ａからのガスを原料ガス供給路６０にて基板Ｗに供給する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる半導体製造方法であって、Ｍｇのドーピングプロファイルを正確に制御できる方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇアンドープIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させた後、ＭｇドープIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させる前に、III族元素原料容器から反応領域（反応炉）へIII族元素原料ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＴＭＩを非供給にする一方、Ｖ族元素原料容器、ドーパント原料容器から反応領域（反応炉）へそれぞれＶ族元素原料ＰＨ_３、Ｍｇドーパント原料を供給するプリフロー期間ｔ１１，ｔ１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜の厚さを均一にしつつ成膜効率を向上することのできる有機金属気相成長装置を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置１は、反応ガスＧを用いて基板２０に成膜するための有機金属気相成長装置であって、基板２０を加熱し、かつ基板２０を載置するための載置面を有するサセプタ５と、基板２０に反応ガスＧを導入するための通路１１とを備えている。通路１１の内部に載置面が面した状態でサセプタ５は回転可能であり、かつ反応ガスＧの流れ方向に沿った通路１１の高さは、位置Ａ３から位置Ｓまで一定であり、位置Ｓから下流側に向かって単調減少している。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンＴＦＴやＳｉＯ_２ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に蒸気処理することができる蒸気処理装置及び蒸気処理方法を提供する。
【解決手段】所定の圧力Ｐで被処理物２１を処理するための圧力容器１１と、圧力容器１１内を温度の異なる少なくとも２つの温度領域に制御するための温度制御手段１２とを備えるものであって、圧力容器１１が、所定の温度Ｔ１に設定されて所定の蒸気圧Ｐの下で被処理物２１を処理するための第１領域１３と、第１領域１３よりも低い温度Ｔ２に設定されて前記蒸気圧Ｐと同じ圧力Ｐの下で飽和蒸気を発生させるための第２領域１４とを有するように構成して、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】ノッチを有する半導体基板に、プロセスガスが用いられて成膜が行われるに際し、膜厚異常部の発生を抑制することができ、半導体基板における有効チップ領域を広範囲に亘って確保することができて良品率を向上することができる半導体基板及び半導体素子製造方法を提供すること。
【解決手段】基板周縁部にノッチ２を有し、基板厚さ方向一側の面を、プロセスガスが用いられて成膜される成膜面（表面３）とする半導体基板（ウェーハ１）であって、成膜面と反対側の面（裏面４）におけるノッチ２の周囲近傍に、裏面４側から表面３側へと流れるプロセスガスを、基板外周方向へと導くガイド凹部３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ、絶縁性等の電気的特性に優れると共に、可視光の高い透過率など光学的特性にも優れた化合物を、フレキシブル有機材料製基板やガラス製基板等が耐えられる２５０℃未満の温度で成膜する。
【解決手段】プラズマを利用して窒素原子を主に励起し、励起した窒素原子を硼素原子、炭素原子および酸素原子と反応させて、成膜室内の２５０℃未満の基板上に硼素炭素窒素酸素化合物を成膜させることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。前記硼素炭素窒素酸素化合物は、酸素が２０ａｔ％以上含まれていることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。前記基板は、紙製基板、合成樹脂製基板、フレキシブル有機材料製基板またはガラス製基板であることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】プロセス上必要とされる流量のフッ素ガスを安全かつ安定に連続的に供給でき、さらに、安価で操作性に優れた簡易な方法を提供すること。
【解決手段】本発明のフッ素ガスの供給方法は、金属フッ化物固体の熱分解反応によりフッ素ガスを発生して供給するフッ素ガスの供給方法であって、金属フッ化物固体を入れた容器をフッ素ガス供給配管部に接続した後に容器接続部の気密を確認する工程［１］と、フッ素ガスの発生圧力を測定し、得られた圧力値に基づいて、前記容器の加熱温度を制御し、一定の圧力でフッ素ガスを発生させる工程［４］と、発生したフッ素ガスを、前記フッ素ガス供給配管部に設けられたフッ素ガス供給弁を開放して供給する工程［５］と、発生したフッ素ガスの供給を、前記フッ素ガス供給弁を閉じて停止させる工程［６］などとを順次に自動運転操作により進行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応室内で複数枚の基板を一括処理する際に各基板に所望の成膜条件を選択できる薄膜堆積装置および薄膜堆積方法を提供する。
【解決手段】原料ガスG1が供給される反応室内に、複数枚の基板Wを保持し回転する基板ホルダとしてのプラッタ2と、プラッタ2上の基板Wを加熱するヒータ5などの加熱手段とを有し、基板Wの表面に化学気相成長法で薄膜を形成する薄膜堆積装置において、任意の基板Wの表面を原料ガスG1から遮蔽する移動自在な遮蔽板9を設ける。任意の基板Wの表面への原料ガスG1の供給を遮蔽板9で遮断し、他の基板Wには原料ガスG1を供給することで、個々の基板Wの表面反応を制御することができ、膜種や膜厚が異なる薄膜、したがって品種の異なる積層膜を堆積させることが可能である。よって少量多品種生産を効率的に行える。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリ
コン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二
酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、
温度１５０〜３５０℃および圧力７．５〜１２ＭＰａの条件下、導電膜および絶縁膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、エッチングを行うエッチン
グ工程、ならびに
温度３１〜８０℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、レジストを除去するレジスト
剥離工程、
のうち少なくとも２つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法
。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施すための反応管３７と、前記反応管内に反応ガスを供給する複数のノズル４３、４４、４５と、前記複数のノズルのそれぞれに接続されるとともに、前記反応ガス、クリーニングガスおよび不活性ガスの蓄積源に接続される配管部と、前記配管部の前記複数のノズルのそれぞれと前記各ガスの蓄積源との間にそれぞれ設けられたバルブと、前記複数のノズルの内部をクリーニングする場合に、前記複数のノズルに前記クリーニングガスを供給し、クリーニングの終了したノズルに前記不活性ガスを供給するように前記バルブを制御するコントローラ１０３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施すための反応管３７と、前記反応管内に反応ガスを供給する複数のノズル４３、４４、４５と、前記複数のノズルのそれぞれに接続されるとともに、前記反応ガス、クリーニングガスの蓄積源に接続される配管部と、前記配管部の少なくとも前記複数のノズルのそれぞれと前記各ガスの蓄積源との間にそれぞれ設けられたバルブと、前記配管部に設けられ、前記各ガスの流量を制御するマスフローコントローラと、前記複数のノズルの内部をクリーニングする場合に、前記複数のノズルに供給する前記クリーニングガスの流量をそれぞれ異ならせるよう前記マスフローコントローラを制御するコントローラ１０３と、を有する。 （もっと読む）