【課題】気化器やマスフローメータ等の高価な設備を用いず、無駄になる液体の量を少なくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】制御機構４０は、原料貯留容器２０を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止して原料貯留容器２０を密閉状態とし、原料貯留容器２０内の真空圧により、原料貯留容器２０内を液体原料が気化して形成された処理ガスの雰囲気とし、チャンバ２内に被処理基板Ｗを収容させた状態で、チャンバ２を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止してチャンバ２内を密閉状態とし、次いで開閉バルブ２３を開成し、原料貯留容器２０から処理ガスをチャンバ２に流入させ、チャンバ２内が真空圧よりも高く、液体原料の蒸気圧よりも低い処理圧になった時点で開閉バルブ２３を閉成し、処理圧の処理ガス雰囲気とするように制御する。 （もっと読む）

【課題】高品質な成膜が可能な反応性ガスを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、回転テーブルを回転させるための駆動部を備え、基板が第１の処理領域に存在しているときには、第２の処理領域に基板は存在しておらず、基板が第２の処理領域に存在しているときには、第１の処理領域に基板が存在していない場合であって、駆動部は、基板が前記第１の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度と、第２の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度とが異なる角速度となるよう回転させるものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の分離ガスによる冷却を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、第１の分離ガスを加熱する加熱装置８とを備える成膜装置。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】高いスループットが得られると共に、１台の装置において、反応ガスの種類や、反応ガスの吸着時間が異なる多数のプロセスを実施することができて、プロセスの変更に対応する自由度が高い装置を提供すること。
【解決手段】ウエハが配置された回転テーブルの回転方向において反応ノズル３１，３２との間に、分離ガスノズル４１，４２を設け、この分離ガスノズル４１，４２の前記回転方向両側にて低い天井面を形成するための天井部材４を設ける。この構成では、回転テーブルを回転させてウエハを移動させた状態で反応ガスを供給しているので、スループットが高くなる。また反応ガスノズル３１，３２や分離ガスノズル４１，４２を、真空容器１の周方向に沿って着脱自在に設ける共に、天井部材４を天板１１に着脱自在に設けているので、処理領域の大きさや反応ガスの吸着時間を調整でき、プロセスの変更に対応する自由度が高くなる。 （もっと読む）

【課題】気密シールに用いられるＯリングを熱から有効に保護できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】その内側で基板２００が処理される反応管２０５と、少なくとも基板２００が処理される箇所を加熱する加熱手段２０６と、反応管２０５を取り付けるインレットフランジ２０９と、反応管２０５とインレットフランジ２０９を気密にシールするＯリング２２０ａと、反応管２０５およびインレットフランジ２０９の少なくとも一方に気体を吹き付け、反応管２０５およびインレットフランジ２０９の少なくとも一方を介してＯリング２２０ａを冷却する気体吹き付け手段２１５、２２６を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。
【解決手段】反応空間である反応室上部からシャワーヘッドを介して反応室内に成膜ガスを導入し、加熱基板上で成膜するＣＶＤ装置である薄膜製造装置において、上部の反応空間が回転又は昇降しない基板ステージとシャワーヘッドと防着板とで構成され、防着板と基板ステージとで構成される同心円の隙間をガス排気経路として設け、このガス排気経路の上方から防着板に沿って不活性ガスが流れるように構成し、そしてガス排気経路の２次側に下部空間を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に複数の反応ガスを順番に供給して積層された反応生成物の薄膜を形成するにあたり、高いスループットが得られ、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる成膜装置等を提供する。
【解決手段】成膜装置は回転方向に沿って複数の基板Ｗを載置する回転テーブル２を備え、分離領域Ｄは各反応ガスが供給される第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との雰囲気を分離するために、これらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に設けられている。第１の排気路６３ａ及び第２の排気路６３ｂはこれらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の雰囲気を互いに独立して排気するために各々第１の真空排気手段６４ａ、第２の真空排気手段６４ｂと接続されている。 （もっと読む）

原子層を基板（６）の表面（４）に堆積させるための装置（２）。装置（２）は前駆体注入ヘッド（１０）を含み、前駆体注入ヘッド（１０）は前駆体供給部（１２）と、使用時に前駆体注入ヘッド（１０）と基板表面（４）とに界接する堆積空間（１４）とを備える。前駆体注入ヘッド（１０）は、基板表面（４）に接触させる前駆体ガスを前駆体供給部（１２）から堆積空間（１４）に注入するように構成される。装置（２）は、堆積空間（１４）と基板（６）との間の相対運動を基板表面（４）の平面で行うように構成される。装置（２）には、注入された前駆体ガスを基板表面（４）に隣接した堆積空間（１４）に閉じ込めるように構成された閉じ込め構造（２６）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用い、窒素よりも水素が多いキャリアガス雰囲気において、マグネシウムをドーピングした第一窒化ガリウム系半導体膜を成長する工程と、前記第一窒化ガリウム系半導体膜の成長後に、III族原料ガスの供給を一旦中断する工程と、有機金属気相成長法を用いて、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気において、マグネシウムをドーピングした第二窒化ガリウム系半導体膜を前記第一窒化ガリウム系半導体膜の上に成長する工程と、を備えたことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧力調整弁における外部リークを抑え、半導体ウェーハに形成されるエピタキシャル膜などの膜質の向上、生産性の向上を図ることが可能な半導体製造装置、半導体製造方法および圧力調整弁を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、反応室11に接続される供給部21と、排気機構18に接続される排気部22を有する弁箱23と、弁箱23内に設けられ、排気部22の開度を調整するための弁体24と、これに接続される駆動軸25と、これを駆動させる駆動制御機構26と弁箱23に接続され、駆動軸25の外周に設けられる軸管27と、弁箱23側の駆動軸25と軸管27との間隙をシールする第１のシール28と、軸管27の端部側の駆動軸25と軸管27との間隙をシールする第２のシール29と、第１のシール28と第２のシール29間の中間室210にパージガスを供給するパージガス供給機構211を有する圧力調整弁20を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面の外周端部について、処理ガスの流量流速を良好に制御する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、チャンバー２と、上部電極４と、下部電極７と、下部電極７の外周部を覆うと共に下方へ延びるように設けられた筒状の電極カバー１０と、電極カバー１０の外周部と設定間隔をおくように設けられた筒状の第１カバー１１と、チャンバー２内に処理ガスを供給するものであって上方からウエハ８に向かって処理ガスを供給する第１供給手段と、チャンバー２内のガスを排気するものであって第１カバー１１の外周面とチャンバー２の内面との間の通路を下方に向けて通るように排気する第１排気手段と、チャンバー２内のガスを局所的に急排気するものであって電極カバー１０の外周面と第１カバー１１の内周面との間の通路を下方に向けて通るように排気する第２排気手段とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でありながら不要部分の成膜を回避することができる技術を提供すること。
【解決手段】基板Ｗに対する成膜処理を施すため、成膜の材料を有する第１の気体Ｇ１および反応を促進させるための材料を有する第２の気体Ｇ２を導入するチャンバ１０と、基板Ｗを配置するとともに、チャンバ１０内で一方側の電極となるサセプタ２０と、チャンバ１０内でサセプタ２０と対向して配置される上部電極３０と、チャンバ１０内で上部電極３０の背面側に取り付けられ、チャンバ１０内に供給される第１の気体Ｇ１を導入する第１の導入路１００と、第１の導入路１００とは分離して設けられ、第２の気体Ｇ２を導入する第２の導入路２００と、第１の導入路１００および第２の導入路２００とは分離して設けられ、第２の気体Ｇ２を上部電極３０とチャンバ１０との隙間に導く第３の導入路３００とを有する分離部４０とを有する成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】整流板の温度上昇を十分に抑制することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１に対して反応ガスが流れる方向の上流側には、整流板１０４が設けられている。整流板１０４は、第１の貫通孔１０４ａと、第１の貫通孔１０４ａと交差しない位置に設けられた第２の貫通孔１０４ｂとを有する。反応ガスは、第１の貫通孔１０４ａを通ってシリコンウェハ１０１の方に流下する。また、第２の貫通孔１０４ｂは冷却ガスが通過する。 （もっと読む）

【課題】目的とする場所以外での反応を抑制した、複数の原料ガスを使用する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】第１原料ガスと、前記第１原料ガスと異なる第２原料ガスと、を用いて基板の上に成膜する気相成長装置であって、前記基板が設置される反応室と、前記反応室に連通し、前記第１原料ガスを導入する第１原料ガス導入路と、前記反応室に連通し、前記第２原料ガスを導入する第２原料ガス導入路と、前記第１原料ガス導入路と前記第２原料ガス導入路との間において前記反応室に連通し、前記第１原料ガスとの反応速度及び前記第２原料ガスとの反応速度が、前記第１原料ガスと前記第２原料ガスとの反応速度よりも遅い分離ガスを導入する分離ガス導入路と、を備えたことを特徴とする気相成長装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】例えば銅などの高融点材料を含む原料粉体を加熱して得られる気体を用いてウェハにこの銅膜を成膜するにあたって、原料粉体中の化合物中に含まれる有機物などの不純物が銅膜に取り込まれることを抑えると共に、簡便に固体状の原料粉体から気体が得られるようにして原料粉体のコストを抑えること。
【解決手段】固体状の原料粉体を貯留する原料貯留部から粉体導入路を介してキャリアガスと共にこの原料粉体を処理容器へと供給し、この粉体導入路に介設された粉体気化部において原料粉体をプラズマ化して気体状の原料を得る。 （もっと読む）

【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料を用いて基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を成膜する成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、ＨｆまたはＺｒを含むアミン系の有機金属化合物からなる成膜原料と、酸化剤とを処理容器内に供給してこれらを反応させることにより基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を形成する成膜方法において、有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置で半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成長させる際に、半導体ウェーハの裏面の外周縁部にエピタキシャル膜が形成されることを防止できる気相成長装置および、この気相成長装置を用いて半導体ウェーハにエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１０のウェーハポケット３１に形成されたウェーハ支持面３２は、表面粗さ０．１μｍ〜３．０μｍ、平面度１０〜１２０μｍの範囲であり、かつウェーハポケットの中心に向けて、水平面に対して２．８６°〜０．４０°の角度範囲で下がるように傾斜している。 （もっと読む）

【課題】多重シール構造の内部微小リークを検出することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理容器４７と、処理容器４７を閉塞する蓋部４６と、蓋部４６に設けられ処理容器４７内にガスを供給する第１ガス流路７２が形成された第１マニホールド７１と、処理容器４７に設けられ第１ガス流路７２に接続される第２ガス流路７４が形成された第２マニホールド７３と、第１マニホールド７１と第２マニホールド７３との間に第１ガス流路７２と第２ガス流路７４との接続部を囲むように設けられてシールする内側シール部材７６および外側シール部材７８と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に不活性ガスを導入するガス導入路８０と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に導入された不活性ガスを排気するガス排出路８１と、ガス排出路８１における排気圧を測定する圧力計８４と、を有する。 （もっと読む）

炭素系抵抗率スイッチング可能な材料を含むメモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを形成する方法が提供される。この方法は、炭化水素化合物およびキャリアガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに導入するステップと、プロセスチャンバ内でプロセスガスのプラズマを発生させて基板の上に炭素系抵抗率スイッチング可能な材料の層を堆積させるステップと、を含む。多くのさらなる態様が提供される。
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