【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータに給電する電極の接合部近傍の領域を覆ってその汚染を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、シリコンウェハ１０１をサセプタ１１０上に載置する昇降ユニット１３３と、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ブースバー１２３に固設されてヒータ１２１への給電を可能とする電極１０７と、電極１０７とともにパージガスを供給可能なパージガス導入管１３５を収容して支持する中空の支柱１０５とを用いて構成し、昇降ユニット１３３を下降させて、昇降ユニット１３３の板状の昇降ベース１３１でブースバー１２３と電極１０７の接合部分を覆いながらその周囲にパージガス導入管１３５からパージガスを供給し、その周囲領域をガスパージしながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化処理前における基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できるようにする。
【解決手段】表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板表面を酸化処理する工程と、酸化処理後の基板を処理室内より搬出する工程とを有し、酸化処理工程では、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）以下とすると共に、酸素含有ガスの流量Ａに対する水素含有ガスの流量Ｂの流量比Ｂ／Ａを２以上とする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 （もっと読む）

【課題】組み立て時における精度によらず、回転軸の周りの全方向に対して均一なパージガスの流れを確保することができ、原料ガスによる付着物の生成やガスによる腐食からヒーターや回転軸等の装置構成部品を保護し得る気相成長装置及び方法を提供する。
【解決手段】反応炉内のサセプタ４に取り付けられた回転軸５を回転させつつ、ヒーター４２により基板３を加熱し、基板３上に原料ガスによる成膜等を行う。回転軸５の少なくとも一部及びヒーターを収容するヒーターユニット４０Ａを反応炉内に設け、ヒーターユニット４０Ａにパージガスを導入してパージガス排気口４６Ａからパージガスを反応炉内に排気する。パージガス排気口４６Ａは、ヒーターユニット４０Ａの少なくとも床を構成しかつ回転軸５により支持されるヒーター支持台４１に固定して立設するヒーターカバー４４とサセプタ４との間隙にて構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータを支持するブースバーと電極の接合面への反応ガスの侵入を抑えることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ヒータ１２１への給電をする、上部および下部に開口部を有する中空円筒状の電極棒１０８と、ブースバー１２３に固設されてブースバー１２３と電極棒１０８とを接続し、電極棒１０８とともに電極１０７を構成する連結部材１２４とを有し、電極棒１０８の下部開口部からパージガス１１７を供給して、電極棒１０８上部開口部と、それに連続するブースバー１２３と連結部材１２４との接合面間にある隙間構造１３１にパージガス１１７を通しながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータに給電する電極の高温化を抑制してその汚染を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ブースバー１２３に固設されてヒータ１２１への給電を可能とする、上部および下部に開口部を有する中空円筒状の電極棒１０８を有する電極１０７と、電極１０７の電極棒１０８を支持する支柱１０５とを用いて構成し、電極棒１０８の下部開口部からパージガスを供給して電極棒１０８内部を通過させ、電極１０７の高温化を抑制しながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の成膜温度を低下させつつ、溝の凹部への埋め込み性を高める。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に成膜原料と、酸化原料と、触媒原料とを同時に供給する工程と、各原料の供給を停止して処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を１回もしくは複数回実施することで、基板上に酸化膜を堆積させる工程と、酸化膜堆積後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ユニットを均一に加熱すると共に、ガスの供給、置換、排気等の動作の切替え時間の短縮が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２６に処理ガスを供給し、基板に所定の処理を行う基板処理装置に於いて、容器本体９と該容器本体を上方から閉塞する蓋体１１とからなる反応容器８と、基板を載置する基板載置部１６と、基板を加熱する発熱部２７と、前記反応容器の上方から処理ガスを供給するガス供給ユニット２とを具備し、前記蓋体の上面には凹部１７が形成され、該凹部に前記ガス供給ユニットを収納し、該ガス供給ユニットと前記蓋体とを一体化した。 （もっと読む）

【課題】パージ時間を短縮し、スループットを向上する。
【解決手段】基板９を出し入れする基板収納口及び基板収納口に着脱自在に装着されたドア１０ａを備えたキャリア１０を載置する基板授受ポートと、基板授受ポートに載置されたキャリア１０のドア１０ａを保持する可動部４０と、可動部４０に保持されたドア１０ａを可動部４０と共に移動させて基板収納口を開閉するキャリア開閉装置と、可動部４０及び基板収納口を少なくとも囲うチャンバ６０と、可動部４０に設けられ、基板収納口からキャリア１０内にガス６２を導入するガス導入部６３、６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室１１と、成膜室に第一開閉部を介して固定された仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、キャリアに対して基板を脱着する基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対してガスを噴射可能な複数のガス噴出口１５７を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８が接続されている。 （もっと読む）

基板（３）に上の多層コーティング及び多層コーティングを製造するための方法が提供される。前記コーティングは前記コーティングを通る原子の拡散を最小化するように構成され、前記方法は、基板を反応空間に導入し、前記基板上に第１の材料（１）の層を堆積し、及び前記第１の材料（１）の層上に第２の材料（２）の層を堆積することを含む。前記第１の材料（１）及び第２の材料（２）のの層の堆積は、前記反応空間に前駆体を交互に導入することを含み、続いてそれぞれの前駆体導入後にパージングすることを含む。前記第１の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される前駆体、前記第２の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される他の前駆体である。境界領域が、酸化チタン及び酸化アルミニウムの間に形成される。
（もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器内に設けられて処理すべき被処理体を載置するための載置台構造において、被処理体を載置して支持すると共に被処理体を加熱する加熱手段が設けられた誘電体よりなる載置台と、処理容器の底部側より起立させて設けられ、上端部が載置台の下面に接合されると共に下端部が開放された複数の保護支柱管と、保護支柱管内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電棒と、処理容器の底部側に設けられると共に、保護支柱管内に連通されたパージガス流通用気密室と、パージガス流通用気密室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。これにより、載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により、半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び／または水素を含有する反応ガスと希ガスを、中に半導体基板が配置された反応空間に導入する工程と、ＲＦパワーを反応空間に印加する工程と、水素を含有するシリコンガスを含む前駆体を、５秒以下の持続時間をもつパルスの状態で反応空間に導入し、その間プラズマが励起されている状態で反応ガスと希ガスとを中断することなく導入し、それによって基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、ガス噴射装置及び該ガス噴射装置を採用した基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数の基板を支持する基板支持部の上部に設けられ、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備えるものであって、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入して前記ガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるように、ガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、ガス拡散空間を基板支持部の半径方向に沿って互いに隔離された複数の空間に仕切るように、トッププレートと噴射プレートとの間に設けられる隔壁と、を備え、隔離された空間ごとに前記工程ガスが独立して流入するように、導入口は複数設けられて隔離された空間ごとに配設されるところに特徴がある。
（もっと読む）

本発明は、ガス噴射装置及びこれを用いた基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数枚の基板を支持する基板支持部の上部に設けられるものであって、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備え、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入してガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるようにガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、を備え、工程ガスは、複数の個所からガス拡散空間に流入することを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、本電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を量産性高く作製する。
【解決手段】一定流量の水素を導入しつつ、第１の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程と、第２の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程とを繰り返して、水素及びシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を混合し、高周波電力を供給して、基板上に微結晶半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の気密性を保持するためのシール材が、処理装置内で発生したプラズマによって劣化するのを抑制する。
【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング１０が環状に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング１０の内側に形成された隙間１１に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口１２が複数形成されている。ガス流入口１２から流入した不活性ガスは隙間１１内に充満しながら、処理容器２の内部に流入する。この隙間１１内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内で発生したプラズマによるＯリング１０の劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの汚染を抑え、半導体装置の高性能化や信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応炉と、反応炉にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、反応炉よりガスを排出するためのガス排出機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータエレメントと、このヒータエレメントと一体成型されたヒータ電極部とを有するヒータと、ヒータ電極部と接続され、ヒータ電極部に電圧を印加するための電極部品と、電極部品を固定するためのベースと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、を備え、ヒータ電極部と電極部品との接続部の少なくとも一部が、ベースの上面より下部に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を行なう場合においても、当該処理の質を良好に維持することが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、処理室４の第１の壁面（上壁６）において、上記反応ガスの流通方向に沿って形成された複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５において、一のガス導入部と、一のガス導入部と異なる他のガス導入部とのそれぞれからガスを処理室４の内部に供給可能なガス供給部とを備えている。複数の上記ガス供給部には、上記ガス供給部から上記ガス導入部へガスを供給するための第１のバッファ室（バッファ室２３〜２５）と、第１のバッファ室へ均一な圧力でガスを供給するための流量調整部５０とを含み、上記第１のバッファ室は流量調整部５０に対して、ガスの流通方向の下流側に位置する。 （もっと読む）