【課題】 処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた縦型の処理容器２２内に、複数段に支持された被処理体Ｗを収容し、前記被処理体を加熱しつつ前記処理容器内に成膜用ガスを流して減圧雰囲気中で前記被処理体に薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内を常圧復帰させる際に、前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにする。これにより、処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止する。 （もっと読む）

【課題】面発光型レーザのメサに成形した部分のＡｌＡｓ層を周囲から酸化し周囲部分をＡｌ_ｘＯ_ｙにする装置であって酸化距離を正確に制御できるようにすること。
【解決手段】抵抗加熱ヒータを内蔵する加熱ステージ７に３本以上の昇降自在のピン３６を設け、酸化終了時にはヒータ加熱および水蒸気含有ガス供給を停止し、ピン３６を押し上げて基板ホルダー６を持ち上げ、加熱ステージ７から基板ホルダー６を切り離し熱容量を小さくしてパージガス４８を吹き付けて水蒸気を追い払って冷却し酸化の進行を直ちに停止させる。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内でのドープガスの拡散速度を高く維持しつつドープガス源の交換頻度を抑制してスループットを向上させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体を収容することができる処理容器Ｗと、前記被処理体を複数段に亘って支持する保持手段１８と、前記処理容器内を真空引きする排気系１４と、成膜を行う原料ガスを供給する原料ガス供給手段４２と、薄膜中に不純物を導入するためのドープガスを供給するドープガス供給手段４６と、前記被処理体を加熱する加熱手段３８と、を有する熱処理装置において、前記処理容器内へ希釈ガスを供給するための希釈ガス供給手段のガス供給通路からの希釈ガスと前記ドープガス供給手段のガス供給通路からのドープガスとを混合させて混合ガスを形成するための所定の容量のガス混合タンク６６が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内を加圧状態にすることなく安定して迅速に常圧復帰させることができ、ＴＡＴの短縮化が図れる減圧熱処理装置及びその常圧復帰方法を提供する。
【解決手段】 処理容器２内に被処理体を収容して所定の減圧雰囲気下で熱処理した後、処理容器２内に流量制御器９により不活性ガスを導入して処理容器２内を常圧に復帰させるようにした減圧熱処理装置１であって、前記処理容器２内の圧力を検出する圧力センサ１８と、熱処理後に処理容器２内に不活性ガスを導入して処理容器２内を常圧に復帰させるときに処理容器２内の圧力が加圧状態にならない不活性ガスの導入流量になるように前記流量制御器１９を制御する制御部１９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ガスを分子レベルまで均一かつ高効率で加熱することができる小型のガス加熱装置を安価を提供する。
【解決手段】ガスを通すガス管２３と、このガス管内に配設された通気自在のメタル製繊維不織布２５と、ガス管を加熱するハロゲンランプ２４と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】 搬送容器内で膜厚制御可能に酸化膜を形成する。
【解決手段】 搬送容器内酸化装置１０を、密閉式の搬送容器として使用するフープ１０ａに構成する。フープ１０ａには、フープ１０ａ内の環境を、酸化環境と非酸化環境とに適宜切り替える環境切換手段２０を設ける。環境切換手段２０は、フープ１０ａ内に開管したガス供給管２１と、ガス供給管２１に設けたフィルタ２２、ガス切換弁２３とから構成する。かかるフープ１０ａ内に半導体ウエハを収納して搬送する途中で、環境切換手段２０で、フープ１０ａ内を酸化環境に設定することで、所望膜厚の酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上に形成された膜の特性に関して面間均一性を向上させる。
【解決手段】縦型ＣＶＤ装置は、処理室８内に処理ガスを供給する供給系４２、４４と、装置の動作を制御する制御部５とを含む。供給系４２、４４は、第１反応ガスを供給する第１反応ガスライン６０に接続された複数の第１供給孔５３と、第２反応ガスを供給する第２反応ガスライン６２に接続された複数の第２供給孔５３とを含む。第１供給孔５３のセット及び第２供給孔５３のセットの夫々は、積重ねられた被処理基板の全体に亘るように被処理基板Ｗのエッジの横で垂直方向に配列される。制御部５は、第１及び第２反応ガスを交互に供給するように供給系４２、４４を制御することにより、第１及び第２反応ガスに由来する薄膜を被処理基板Ｗ上に形成する。 （もっと読む）

特定のハイドライド気相エピタキシー方法を利用することによって成膜層を有利に得る。この方法では、ＩＩＩ−Ｖ族及びＶＩ族化合物半導体の成膜に、延長拡散層と、均一化隔壁と、側壁パージガスと、独立したガス及び基板加熱装置を有する縦型成長セル構造を使用する。ガス流は延長拡散層内で均一に混合し、基板の表面全体に接触するように供給し、それによって高品質かつ均一な膜を形成する。そのようなガス流構成の例としては、基板をガス出口から離れて配置し、基板の上方に近接して配置された延長拡散層と隔壁によって対流作用の影響を最小化させ、均一性を向上させることが挙げられる。このような対称的な構成によって、シングルウエハ装置からマルチウエハ装置に容易に大規模化することができる。この縦型構成により、異なる反応性ガス前駆体を迅速に切り替えることができ、成膜材料の欠陥密度をさらに最小化するために時間変調成長及びエッチング法を採用することができる。 （もっと読む）

【課題】 膜中の窒素の含有量を減らし、暗伝導度の低下を図ることができるアモルファスシリコン層の形成方法と、形成装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一方の対向面に固体誘電体１４を設置している対向する電極１１，１２とウェハトレイ２との間に反応ガスＧ１を供給し、対向する電極に電源１７で電圧を印加しプラズマ励起して発生させたプラズマガスを基板１の表面に接触させ、プラズマガスと基板１との接触部の外周部をカーテンガスＧ２で覆いながらアモルファスシリコン層３を堆積させ、該カーテンガスの外周部を排気装置３０で排気する。カーテンガスは希ガスが好ましく、基板１に対して外側に向けて傾斜状態に吹出すことが好ましい。また、反応容器４０内にパージガスとして窒素ガスＧ３を供給し、窒素ガスと反応ガスとの供給量の差より多い供給量でカーテンガスを供給することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウェハをガスの風圧により浮上させて処理する場合においても、ウェハの位置、水平姿勢を保持することができ、処理を均一に行うことができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板処理装置は、ウェハＷを処理する処理室１と、処理室１内に処理ガスを供給するガス供給口３と、処理室１内を排気する排気口４と、処理室１内でウェハＷを浮上させるためにウェハ下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口９と、ウェハ浮上時にウェハの水平姿勢を保持するためのホルダ１１と、ホルダ１１の垂直位置を制限するストッパ１２と、を有する。
【選択図】 図１
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【課題】電極が形成される半導体層の表面平坦性や、シート抵抗などが何れも優れた、高性能化や小型化に好適な電界効果トランジスタを実現すること。
【解決手段】ノンドープのＧａＮ結晶から成る半導体層１０３（バッファ層）の上には、厚さ約４０ｎｍのノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから成る半導体層１０４が積層されている。この半導体層１０４は、本発明に基づく厚さ約３０ｎｍの急峻界面提供層１０４１と、本発明に基づく厚さ約１０ｎｍの電極接続面提供層１０４２の計２層の半導体層から構成されている。これらは双方共に上記の通りノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから形成されているが、急峻界面提供層１０４１を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＨ₂ を使用した。また、電極接続面提供層１０４２を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＮ₂ を使用した。 （もっと読む）

すべてのチャンバーが実質的に垂直の向きにある、１のチャンバーまたは直列に接続された２以上のチャンバーを含んでいるバブラーチャンバーアッセンブリ。化合物の固形または液状源が、該１または２以上のチャンバーに内蔵される。該１または２以上のチャンバーを通るキャリアーガスの流れの方向に関する、該１のチャンバーの長さまたは直列に接続された２以上のチャンバーの合計長さと、該１または２以上のチャンバーを通るキャリアーガスの流れの方向に関する、該１または２以上のチャンバーの断面の平均等価直径との比は、約６：１以上である。 （もっと読む）

【課題】類似の方法を、低スループット等の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバ内で少なくとも１つの膜を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、膜が少なくとも１つの成分からなり、少なくとも第１の金属成分が、液体の又は液体に溶解した第１の原料を不連続に吐出する使用のもと、特に温度調節されたキャリアガス内で蒸発し、少なくとも第２の成分の化学反応原料が供給される方法に関する。原料が切換えられてプロセスチャンバ内に供給され、２番目の原料が化学反応ガス又は化学反応溶液であることが、本質的である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、溶液配管等における目詰まりを抑制して連続使用時間を長くしたＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法に関する。【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ用気化器は、複数の原料溶液を互いに分離して供給する複数の原料溶液用配管１，２と、複数の原料溶液用配管１，２の外側を包むように配置され、加圧されたキャリアガスが複数の原料溶液用配管１，２それぞれの外側に流されるキャリアガス用配管３と、キャリアガス用配管３の先端に設けられ、原料溶液用配管１，２の先端から離隔された細孔と、キャリアガス用配管３の先端に接続され、
前記細孔によってキャリアガス用配管３の内部に繋げられた気化管１３と、キャリアガス用配管３の先端、前記細孔及び前記気化部１３のうち少なくとも一つを洗浄する洗浄機構と、気化管１３を加熱する加熱手段であるヒーターと、を具備する。
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【課題】処理チャンバから排出される種についての交差反応を著しく低減できるような装置を提供する。
【解決手段】装置が、チャンバ入口とチャンバ出口とを有するチャンバと、第１のガス流を受け入れるための第１の入口と、第２のガス流を受け入れるための第２の入口と、第１のガス流を第１の真空ポンプへと出力する第１の出口と、第２のガス流を第２の真空ポンプへと出力する第２の出口と、導管ネットワークであって、第１の入口を第１の出口に結合し、第２の入口を第２の出口に結合し、それぞれのガス流について、第１の流路と第２の流路とをそれぞれの入口と出口との間に形成し、第１の流路はチャンバ入口とチャンバ出口とを通り抜け、第２の流路はチャンバを迂回するような上記導管ネットワークと、ネットワークを通り抜けるガス流の経路を割り当てて、あるガス流が第１の流路に沿って流れるとき、他方のガス流を第２の流路に沿って流れさせる経路割当手段と、を備えている。 （もっと読む）

処理システムは可変容積室を含む。液体又は固体の前駆体源を可変容積室内に含め得る。処理室への予測可能な前駆体流れをもたらすために、可変容積室の容量を制御し得る。一部の実施例では、複数の可変容量室を設け得る。
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反応器中に配置された基材上に結晶を成長させる方法であって、この反応器は、反応器チャンバを提供し、この基材は、この反応器チャンバの中に配置され、この方法は、この反応器チャンバの内部に反応性ガスをこの基材に向かって流す工程であって、この反応性ガスは、互いに結合してこの結晶を形成し得る成分を含有する工程；緩衝ガスを加熱する工程；およびこの加熱された緩衝ガスを、この反応性ガスとこの反応器壁との間のこの反応器チャンバ中で、この反応性ガスおよびこの緩衝ガスが相互作用し得るように、流す工程、を包含し、ここでこの流れている緩衝ガスが、この反応性ガスにより生成される第１の物質の少なくとも１つがこの反応器壁に到達するのを阻害し、そしてこの反応性ガスがこの基材に到達する前に、この反応器壁により生成される第２の物質が反応器チャンバー中のこの反応性ガスに到達するのを阻害する。
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本発明は、半導体製造に有用なガス分配装置を提供する。本ガス分配装置は、単一部材と、単一部材内に形成され、ガスをプロセス領域内へ均一に供給するためのガス分配網とを含む。ガス分配網は、単一部材の上面を通して上方に伸び、ガス源に接続される入口通路と、１つの接合点に集中し、この接合点において入口通路に接続されている複数の第１の通路と、複数の第１の通路に接続されている複数の第２の通路と、複数の第２の通路に接続され、ガスを処理領域内へ供給する複数の出口通路とによって形成されている。第１の通路は接合点から単一部材の周縁表面まで半径方向外向きに伸び、第２の通路は第１の通路と直角ではなく、第１の通路から周縁表面まで外向きに伸びている。出口通路は単一部材の下面を通って下方に伸び、ガスを前記処理領域内へ供給する。
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【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）

【課題】 プロセスガスのシール用ガス放出板の目詰まりが生じ難く、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる常圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、ウエハに向けプロセスガスを吹き出すガスインジェクタと、ガスインジェクタから吹き出されたプロセスガスをシールするガスシール機構とを有するプロセスチャンバを備え、常圧下でウエハ上にＣＶＤ膜を成膜する常圧ＣＶＤ装置である。本装置のガスシール機構６０のガス放出板６１に設けた多孔板の板厚Ｔを０．４mmにすることにより、多孔板に設けられたガス放出孔の開口径を大きくし、かつ開口ピッチを小さくして、目詰まりを防止している。これにより、プロセスガスの流れが安定し、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる。第１Ｎ₂ ガス供給管２６と第２Ｎ₂ ガス供給管４０とを止め金具７６により相互に連結、固定している。これにより、従来のようなＮ₂ ガスの漏れが生じない。 （もっと読む）