【課題】基板上に膜を堆積させるにあたって、寄生堆積物を抑制することができるシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 （もっと読む）

【課題】プラズマによって生成される活性種量を増大することができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】処理容器２０３と、処理容器２０３内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａ、２３２ｂと、処理容器２０３から余剰の処理ガスを排出するガス排出部２４６と、処理容器２０３内にて複数の基板２００を積層した状態で載置する基板載置部材２１７と、処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極３０１とを有し、電極３０１は、平行に配置された２本の細長い直線部３０２、３０３と、直線部３０２、３０３のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部３０４と、を備え、直線部３０２、３０３が基板２００の側方に、基板２００の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される。 （もっと読む）

【課題】
基板加熱ヒータの加熱領域の影響で、シャワープレートの温度が高い領域と低い領域が発生し、シャワープレートの外周部分の温度の低い領域（非加熱領域）においては、シャワープレート表面にフレーク状の安易に剥がれる生成物が形成され、被処理基板にコンタミネーションとして付着して、膜質や均一性の劣化が発生する。
【解決手段】
シャワープレートの基板保持部材に対向する領域より外側で、かつ、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を配設し、シャワープレートの空間が配設された領域部分に反応室内と連通する複数の貫通孔を設け、貫通孔を通じてパージガスを導入する。
それにより、非加熱領域部のシャワープレート表面に存在する原料ガスをガス排出口側へ流し、さらに角部に淀み領域が発生しにくくすることができる。よって、シャワープレート表面に形成される生成物を減少し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ノズル内でのＳｉ原料ガスの分解や、ガス供給ノズルの内壁面等へのＳｉの析出を抑制することが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のガス供給部６０ａから少なくともシリコン含有ガス及び塩素含有ガス、若しくは、シリコン及び塩素含有ガスを反応室４４内へ供給し、第２のガス供給部６０ｂから少なくとも還元ガスを反応室内へ供給し、第１のガス供給部又は第２のガス供給部から少なくとも炭素含有ガスを前記反応室内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】動く基板を一定温度に維持したまま、基板上の膜を高温アニール等の熱処理をする、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに必要な高温のガスを短時間に短い流路で、作り出す流体加熱装置が必要であった。
【解決手段】ガスを多数の小さな流れに分割し、分割した流路を狭めて、流速を早めてビーム状にする。それを加熱された器壁に垂直に当たるように正面に器壁を配置する。再び一つに合流させたガス流をまた多数の小さな流れに分割し、再び器壁と熱交換させる。これを複数回繰り返す構造を加熱された板の二つ表面に作り、その両面に板を押し付けることにより、板の両面に流路を作ることで簡便に作製可能である。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の溝又は穴を有するワーク表面に表面処理する装置を提供する。
【解決手段】ワーク１の表面に反応ガスを化学反応させる処理室３と、反応ガスの導入経路を通じて前記処理室に前記反応ガスを供給する反応ガス供給部６と、前記反応ガスの導入経路とは別に、前記処理室に導入ガスを供給することにより前記処理室の圧力を変動させる圧力変動部８とを具備する表面処理装置において、６６６６Ｐａ〜１０１３２５Ｐａの範囲内で高圧と低圧に周期的に前記導入ガスの圧力を変動させて、前記導入ガスを、前記圧力変動部８から導入ガス供給部７を経由して前記処理室に供給することにより、前記処理室内の圧力を変動させて前記反応ガスを穴又は溝２に流入出させるようにした表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 被処理物保持面の加工が安価で部品コストの低減を図ることができ、且つ被処理物保持面における均熱性に優れ、必要に応じて急速昇温及び急速冷却が可能な半導体製造装置用の保持体を提供する。
【解決手段】 抵抗発熱体７を有する板状でＡｌＮ等からなるセラミックスヒータ５の上に、被処理物９を保持するＡｌ等からなる金属製保持部１０を備えている。金属製保持部１０内には、冷却媒体が中央付近から放射状に移動し、外周縁に排気されるように流路１２が形成されている。この保持体１０は、コータデベロッパでのフォトリソグラフィー用樹脂の加熱硬化又は半導体絶縁膜の加熱焼成に用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜炉内のパーティクル数を抑制できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜炉内に基板を配置し該基板上に成膜を行う成膜装置であって、該成膜炉と、該成膜炉に接続されたパージガス導入管と、該成膜炉に接続されたパージガス排気管と、該成膜炉内のパーティクル数を測定する測定手段と、該測定手段により測定されたパーティクル数が多いほど、該成膜前に該パージガス導入管から該成膜炉へ導入するパージガスの量を増加させる手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

ロールツーロールＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも２つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも２つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源とを含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
（もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第１の圧力まで上昇させ（工程３）、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第２の圧力まで上昇させ（工程４）、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う（工程５）。 （もっと読む）

【課題】連通路に流すパージガスの流れを制御し、連通路の上壁面に堆積する副生成物を抑制し、半導体ウェーハ上のパーティクルの発生量を低減してＬＰＤの発生量を低減可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成膜する反応ガスが反応室の供給口から供給される。反応ガスは、供給口に対向配置された排出口に向かって流される。一方、パージガスは、長さ方向が、この反応ガスの流れと略直交する方向に長い連通路に噴出される。このとき、連通路において、供給口側のパージガスの流量を排出口側のそれよりも多くする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された塗布膜を減圧雰囲気下で熱処理するにあたり、処理室内へのパージガスの供給量が少ない場合でも基板への昇華物の付着を抑制することができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室２１の天井の中央部に、基板載置台３１と対向するように当該処理室２１にパージガスを導入するためのガス供給ノズル５１を設けて、処理室２１の底部に当該処理室２１内を減圧雰囲気とするための排気口６４ａ、６４ｂを設ける。また、処理室２１の中央部にウエハＷを水平に載置するための基板載置台３１を設けると共に、この基板載置台３１を加熱するヒータ３３を設けて、前記基板載置台３１の外縁から外方に突出し、当該基板載置台３１の周方向に沿って形成されると共に処理室２１の底面との間に空間を形成する整流部３４を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板キャリアの処理面の全体にわたって、反応ガスの均一な分布をもたらし、反応ガスの速度が異なることによって引き起こされる乱流を回避することができる反応器及び方法を提供する。
【解決手段】この１又は複数のガス流れはキャリアガスと反応ガスとを含み、異なる部分は異なる濃度の反応ガスを含むように、ガス流れ生成器は構成される。基板キャリアが軸を中心として回転可能に設けられている場合、異なる濃度の反応ガスを含む前記１又は複数のガス流れを、軸から異なる半径方向距離に供給するように、ガス流れ生成器は構成される。基板キャリアの軸に近い部分に向かうガスは、比較的高濃度のキャリアガスと比較的低濃度の反応ガスを含み、基板キャリアの軸から遠い部分に向かうガスは、高濃度の反応ガスを含む。これにより、実質的に均一な速度で、チャンバー内の基板キャリアに向けて送達するように構成されたガス流れ生成器を備えている。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
（もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）

【課題】基板が積層されていない領域への処理ガスの流入を抑制し、基板が積層されている領域への処理ガスの供給を促進させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を収納して処理する処理室４と、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂと、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄと、処理室内を排気する排気ライン７ａと、を有し、一対の不活性ガス供給ノズルは、基板が積層されている領域に対向する位置及び前記基板が積層されていない領域に対向する位置に各１箇所以上の不活性ガス噴出口２４ｃ，３１ｃ，３１ｄ，３２ｃ，３２ｄをそれぞれ有する。 （もっと読む）