【課題】パージガスの量を従来と比較して減らすことが可能となり、原料ガスの流れへの影響を減らしたり、絞り穴を大きくして観察部の視野を広くしたりすることができるガス処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を処理用ガスで処理するガス処理装置１であって、ガス処理室２と、処理中の前記被処理体３を観察可能な観察窓が形成されたパージガス室３０と、前記観察窓からの観察方向上で、前記観察窓と前記被処理体３の載置位置との間に絞り穴が形成された絞り部材と、前記パージガス室３０内にパージガスを導入するパージガス導入口と、を備え、前記パージガスの導入方向が、前記観察方向からみて前記絞り穴の重心線からずれるように前記パージガス導入口が配置される。 （もっと読む）

【課題】液体原料からの気化ガスを使用するＡＬＤ装置への該気化ガスの流量を常に目標値になるようにする。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスを供給することにより液体原料８０を気化させ、該気化ガスを処理室３２内に供給してウエハ１に成膜するＡＬＤ装置において、前記不活性ガスをタンク８１に供給する流量を制御するレギュレータ８７と、タンク８１内部の絶対圧力を監視する圧力センサ８８と、を設け、コントローラ６１により、圧力センサ８８の監視圧力値に基づいて前記不活性ガスの流量をレギュレータ８７によって調整し、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板裏面側に形成されるエピタキシャル層を低減するエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板Ｗを載置する、複数の貫通孔を有するサセプタ３と、該サセプタを支持するサポートシャフト７と、前記チャンバー２内の前記サセプタ３上に載置された基板Ｗに反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段４と、反応後のガスを前記チャンバー２外に排出する反応ガス排出手段５と、を具備するエピタキシャル成長装置１において、前記サセプタ３の裏面側を覆うカバー９１を配設する。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に供給したガスの処理室外の間隙への進入を抑制する。
【解決手段】 反応管の内部に設けられ基板を処理する処理室と、反応管の内部に設けられ処理室を囲い基板を加熱する被誘導体と、反応管の内部に設けられ被誘導体を囲う断熱体と、反応管の外部に設けられ少なくとも被誘導体を誘導加熱する誘導体と、処理室内に第１ガスを供給する第１ガス供給部と、被誘導体と断熱体との間に設けられる第１間隙に第２ガスを供給する第２ガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガスガイドプレートが貫通穴を有していても、薄膜の結晶性に対する影響が抑えられ、かつ、他の部品に反応生成物が堆積することを抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＯＣＶＤ装置１００は、反応ガスを供給して基板の被成膜面を成膜する成膜装置であって、基板２を保持する基板保持台３と、基板保持台３に対向して配置され、基板２の被成膜面に対向する位置に貫通穴７を有するガスガイドプレート６と、基板保持台３とガスガイドプレート６との間に反応ガス８ａを流す反応ガス配管８とを備えている。ガスガイドプレート６における基板２に対向する側において、貫通穴７にガス流の下流側で接する下流側端部１３は、上流側で接する上流側端部１２よりも、基板２の被成膜面との最短距離が長い。このため、反応ガス８ａが、貫通穴７を通じて吹き出すことが抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を非接触で正確に測定することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置５０は、半導体基板６が収容されるチャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、半導体基板６を加熱するヒータ８と、チャンバ１の外部に設けられ、半導体基板６からの放射光を受光して半導体基板６の温度を測定する放射温度計４４と、半導体基板６と放射温度計４４との間で放射光の光路４８を覆う管状部材４７とを有する。管状部材４７には、不活性ガス供給部４から不活性ガス２５が供給される。管状部材４７は、外周面に内周面より放射率の低い材料を用いて構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバの内壁に堆積する堆積膜を除去するためのクリーニングガスの使用量を削減する半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システムを提供する。
【解決手段】半導体製造装置のクリーニング方法は、処理チャンバ１０の内壁１０２に堆積した堆積膜３を除去するクリーニングガス４を、処理チャンバ１０の供給管１２からのクリーニングガス４の単位時間当たりの供給量が、処理チャンバ１０の排気管１６からのクリーニングガス４の単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、供給管１２を介して供給し、不活性ガス６を供給することにより、供給管１２内を不活性ガス６で満たすことを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴って半導体製造装置から発生する微細粒径異物の低減が求められており、半導体処理装置のロードロック室と大気搬送手段間の試料搬入出処理時に乾燥窒素ガスを導入することにより、ロードロック室内のガス中に残留する水分を極力排除し、減圧排気時のガスの温度変化に伴う凝縮水の発生を大幅に抑制し、凝縮水の落下による試料上の付着異物によるパターン不良を低減しつつ、試料の生産効率を向上する。
【解決手段】ロードロック室９ａと大気搬送手段間の試料搬入出処理操作に対し、乾燥窒素ガスを導入し、ロードロック室９ａ内の湿度を低減する構成とし、乾燥窒素ガスの導入時に多孔質材により構成するガス導入部材４０を試料台１４ａに対向するロードロック室蓋２１の上面に設置することにより構成する。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、気相成長装置は、基板を保持し、かつ、基板を加熱および回転させるサセプタと、基板の上面に材料ガス流を供給するノズルと、を含み、ノズルは、その内部のガス放射中心から放射状に材料ガス流を基板の全面に沿って噴出する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の低下を抑制しつつ、膜厚分布の均一性を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口を介して、前記薄膜の原料である原料ガスを前記基板と平行な方向に供給する原料ガス供給部と、反応ガス供給口を介して、前記原料ガスと反応して前記薄膜を形成する反応ガスを前記基板と平行な方向に供給する反応ガス供給部と、不活性ガス供給口を介して、前記基板と平行な方向に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、前記不活性ガス供給口は、前記原料ガス供給口よりも鉛直下方に位置することを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給配管の置換容積を最小限とし、反応室内に供給する処理ガスの切替え速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室５２と、該処理室内に複数の処理ガスを供給する複数の処理ガス供給手段と、前記処理室内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、前記複数の処理ガス供給手段と前記キャリアガス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段とを具備し、前記複数の処理ガス供給手段は、処理ガス配管部に上流側から順に設けられた上流側バルブ５６，６３と流量制御手段５７，５８，６４と下流側第１バルブ５９，６５と下流側第２バルブ６２，６７とを有し、前記キャリアガス供給手段は、キャリアガス配管部に設けられたバルブ７９，８３の下流側で前記下流側第２バルブ６２，６７と前記処理室５２との間にもそれぞれ接続される基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより膜を形成する際、従来の装置のように、基板に形成される薄膜の品質を劣化させることがない、新たな方式の原料ガスの供給を実現する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧した成膜空間を形成し維持する減圧容器と、前記減圧容器の前記成膜空間に原料ガスを供給する、原料ガス供給ユニットと、前記減圧容器の前記成膜空間にパージガスを供給する、パージガス供給管と、を有する。前記原料ガス供給ユニットは、前記原料ガスを前記成膜空間に供給する、ピストンを備え、前記ピストンを用いて、前記原料ガスを間歇的に前記成膜空間に供給する。 （もっと読む）

堆積プロセスのための方法および装置を、本明細書で提供する。いくつかの実施形態において、装置は、サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ上面内に形成されポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、リップがリップ上に基板を支持するように構成される、サセプタプレートと、ポケットからサセプタプレートの上面に延在し、基板がリップ上に配設されるとき、基板の裏側とポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口とを備える基板支持体を含むことができる。基板上に層を堆積するため、本発明の装置を使用する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体結晶膜を均一成長させることが出来る窒化物半導体結晶膜成長装置を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体結晶膜成長装置は、内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、前記チャンバ内において回転軸で支持され、成長基板を設置するためのサセプターと、前記サセプター上の成長基板に対して、前記成長基板表面と水平方向に原材料ガスを噴射する原材料ガス供給手段と、前記サセプター上の成長基板の上方から、前記成長基板表面に対して三次元方向４５°〜９０°の傾斜角度で、前記原材料ガスの噴射方向と同一面内方向に向けて、前記原材料ガスを押圧する第１の押圧ガスを噴射する第１の押圧ガス供給手段と、前記サセプター上の成長基板の上方から、前記成長基板表面に対して三次元方向４５°〜９０°の傾斜角度で、前記成長基板端部における前記原材料ガスを除去する第２の押圧ガスを噴射する第２の押圧ガス供給手段と、前記チャンバ内から排気ガスを搬出する排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ピットの拡大を防ぎかつクラスターの発生を抑制して高品質の窒化物半導体を得ることを可能にする。
【解決手段】不活性ガスからなる第１キャリアガスを用いて基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を含む第１半導体層を第１成長温度で成長させる工程と、前記不活性ガスと、この不活性ガスよりも少量の水素とを含む第２キャリアガスを用いて、前記第１半導体層上に、前記第１成長温度よりも高い第２成長温度でＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）を含む第２半導体層を成長させる工程と、
前記第２キャリアガスよりも水素の含有量の少ない第３キャリアガスを用いて、前記第２半導体層上に、前記第２成長温度で、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０≦ｚ＜１、ｚ＜ｘ）を含む第３半導体層を成長させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

ウエハ処理プロセスおよび装置は、ウエハキャリア（８０）を備えている。ウエハキャリアは、ウエハ（１２４）を保持し、ウエハとウエハキャリアとの間の間隙（１３０）に充填ガスを注入するように構成されている。本装置は、ウエハの温度不均一の望ましくないパターンを緩和するために、充填ガスの組成、流量、またはそれらの両方を変化させるように構成されている。
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【課題】シリコン半導体基板と対向する石英ガラス管内壁面に堆積物を付着し難くすることのできる気相成長方法の提供。
【解決手段】一端部に原料ガスの供給口を備え、他端部に反応ガスの排出口を備えた管状の反応容器を水平方向に設置し、該反応容器の内部に、半導体結晶基板を主表面が水平になるように配置し、前記反応容器の外周部に配置されたランプにより加熱しながら原料ガスを水平に一方向に流して前記半導体結晶基板の主表面に所望の半導体結晶を成長させる気相成長方法において、前記原料ガスの流速を１１８ｃｍ／秒以上とする。 （もっと読む）