【課題】基板が積層されていない領域への処理ガスの流入を抑制し、基板が積層されている領域への処理ガスの供給を促進させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を収納して処理する処理室４と、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂと、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄと、処理室内を排気する排気ライン７ａと、を有し、一対の不活性ガス供給ノズルは、基板が積層されている領域に対向する位置及び前記基板が積層されていない領域に対向する位置に各１箇所以上の不活性ガス噴出口２４ｃ，３１ｃ，３１ｄ，３２ｃ，３２ｄをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】基板を載置するサセプタを収納した成膜室１内に反応ガスを供給して、被成膜基板の表面に膜を形成する成膜装置であって、上端にサセプタ用の支持部材が連結され、成膜室の底壁部１ａに開設した貫通孔１ｃを通して下方にのびる回転軸６と、成膜室の下方に配置された回転軸用の回転機構部７とを備えるものにおいて、回転機構部への反応ガスの侵入を確実に阻止できるようにする。
【解決手段】回転機構部７は、成膜室１の底壁部１ａの下面との間に筒状の押え部材８を介設した状態で配置した軸受９と、軸受９の下方に配置した駆動源１０とを有する。押え部材８に、環状の分布室１３と、分布室１３に周囲１個所からパージガスを導入する導入口１４とが形成されると共に、押え部材８と回転軸６との間の隙間に分布室１３からのパージガスを噴出するノズル孔１５が周方向の間隔を存して複数形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法において、前記窒化ガリウム結晶の成長時における前記キャリアガスを分子膜または吸着剤に透過させることにより精製し、窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスのための装置及び方法に関する。一実施形態では、ＣＶＤ反応装置は、蓋サポート上に互いに連続して直線的に配置された、反応装置本体の上に配置され、第１のシャワーヘッドアセンブリを含む反応装置の蓋アセンブリと、アイソレータアセンブリと、第２のシャワーヘッドアセンブリと、排気アセンブリと、を有している。ＣＶＤ反応装置は、更に、反応装置本体の両端部に配置した第１及び第２のフェースプレートを含み、第１のシャワーヘッドアセンブリが第１のフェースプレートとアイソレータアセンブリとの間に配置され、排気アセンブリが第２のシャワーヘッドアセンブリと第２のフェースプレートとの間に配置されている。反応装置本体は、ウエハキャリアトラック上のウエハキャリアと、ウエハキャリアトラックの下に配置され、ウエハキャリアに配置されたウエハを加熱するために利用することができる、複数のランプを含むランプアセンブリと、を有している。
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本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着プロセスの装置に関する。一の実施例では、蒸着用反応装置蓋アセンブリが提供されており、これは、第１のシャワーヘッドアセンブリとアイソレータアセンブリとが蓋サポートの上に隣り合って配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリと排気アセンブリとが、蓋サポートの上に隣り合って配置されており、アイソレータアセンブリが、第１及び第２のシャワーヘッドアセンブリの間に配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリがアイソレータアセンブリと排気アセンブリとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】均一性をより向上することが可能な成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する成膜装置において、サセプタ２には、底部に貫通孔２ａを有する凹部２０２と、載置領域２４を有し凹部２０２に離脱可能に収容されるサセプタトレイ２０１とが設けられている。また、貫通孔２ａを通して上下動可能な昇降ロッド２０４と、昇降ロッド２０４を駆動して、サセプタトレイ２０１を押し上げ、回転する昇降回転部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜中に膜厚をリアルタイムにモニターすることが可能な成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する成膜装置２００は、真空容器１の天板１１に透過窓２０１を有しており、この透過窓２０１を通してサセプタ２上のウエハＷに光を照射することにより、上に成膜される膜の膜厚が測定される。具体的には、膜厚測定システム１０１は、透過窓２０１の上面に配置される３つの光学ユニット１０２ａから１０２ｃと、光学ユニット１０２ａから１０２ｃのそれぞれに光学的に接続される光ファイバ線１０４ａから１０４ｃと、これらの光ファイバ線１０４ａから１０４ｃが光学的に接続される測定ユニット１０６と、測定ユニット１０６を制御するため測定ユニット１０６と電気的に接続される制御ユニット１０８とを有している。 （もっと読む）

【課題】
低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
減圧可能な処理室に載置された基板の表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、処理室に、シランガスと酸素原子を含むガスを交互に繰り返し供給し、基板の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 複数のノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルの少なくとも一つにクリーニングガスを供給するとともにクリーニングの終了していないノズルに不活性ガスを供給し、クリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給し、その状態で、他のノズルへクリーニングガスを供給するとともにクリーニングの終了していないノズルに不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】同時に複数の基板をローディング／アンローディングすることができる原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板をプロセスモジュールに移動するときに、複数の基板をローディング／アンローディング可能な原子層蒸着装置は、基板をローディングおよびアンローディングするローディング／アンローディングモジュール１０と、複数の基板を同時に収容して蒸着工程が実行される複数のプロセスチャンバ３１を備え、プロセスチャンバの内部の排気ガスを吸入して、プロセスチャンバの上部に排出させるように排気部が備えられたガス噴射ユニットが備えられるプロセスモジュール３０と、ローディング／アンローディングユニットとプロセスモジュールとの間に備えられ、基板を移送するが複数の基板を同時にパージして移送するトランスファーロボットを備えるトランスファーモジュール２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の撮像に基づく基板位置検出において検出誤差を低減することが可能な基板位置検出装置および基板位置検出方法、並びに基板位置検出装置を含む成膜装置を提供する。
【解決手段】位置検出対象である基板Ｗを撮像する撮像部１０４と、撮像部１０４と基板Ｗとの間に配置され、基板Ｗに対する撮像部１０４の視野を確保する第１の開口部１０６ａを有する光散乱性のパネル部材１０６と、パネル部材１０６に光を照射する第１の照明部１０８と、撮像部１０４により撮像された基板Ｗの画像から基板Ｗの位置を求める処理部１０４ａとを備える基板位置検出装置１００が提供される。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内面がクリーニングガスに過剰に晒されることなく、サセプタ上の堆積物を除去することが可能な成膜装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、容器１２内に回転可能に設けられ基板Ｗが載置される基板載置部２４を一の面に有するサセプタ２；上記の一の面に対し原料ガスを供給するガス供給系３１、３２；サセプタ２上方に配置されサセプタ２の上面に向かって開口し逆凹状の空間を画する第１の凹状部材６０ｂと、第１の凹状部材６０ｂ上方に第１の凹状部材６０ｂに向かって開口し第１の凹状部材６０ｂとの間にガス流路を画する第２の凹状部材６０ｃと、逆凹状の空間にクリーニングガスを供給するガス供給部６０ｄ、６０ｅと、ガス流路に連通し容器の外部へ延在する排気管６０ａとを含むクリーニング用構造体６０；及び容器１２に形成され原料ガスを排気する排気口６１、６２；を備える。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】適正に脱ガス処理を行うことができる真空処理装置の脱ガス装置、真空処理装置の脱ガス方法および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークＷを処理する真空チャンバ２が真空配管３２を介して真空吸引装置３１に接続された真空処理装置１に組み込まれ、真空吸引装置３１と協働して、真空処理装置１の装置内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置１の脱ガス装置であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源１６に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ２に供給する加熱ガス供給装置１２と、真空吸引装置３１の上流側近傍の真空配管３２に介設され、真空吸引装置３１に吸引されるキャリアガスを冷却するガス冷却装置３３と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】反応副生成物の反応室壁面への付着を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】反応室１２のゲート弁４４側の反応室壁１４面付近から不活性ガス５６を流せるように、反応室１２内部に不活性ガス第１導入ノズル５８が設けてある。この不活性ガス第１導入ノズル５８と対向する側の反応室１２の壁面には排気口６０が設けてあり、プロセス実行中は不活性ガス５６をサセプタ１８の側面方向から供給し、層流状態にして、反応副生成物が反応室１２内の部材の各部に付着するのを防ぎながら排気口６０側へ流すことができる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスノズルの水平軸に対する傾きを調整することができる技術を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた基板載置部に対向して水平に伸びるように設けられた反応ガスノズル３１の一端側を前記真空容器の壁部の挿入孔に挿入し、前記反応ガスノズル３１の一端側と真空容器の壁部との間にＯリングｒ１、ｒ２を設けて、このＯリングｒ１、ｒ２により、前記反応ガスノズル３１の一端側を真空容器内部の気密性を維持した状態で固定する。そして反応ノズル３１における前記挿入孔よりも真空容器の内部空間側の部位を下方側から支持する傾き調整機構２５を設け、前記支持位置の高さを調整することにより、前記反応ガスノズル３１の水平軸に対する傾きを調整する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射を行っている間、電子ビーム照射領域ＩＲにはアルゴンガスが供給される一方、電子ビーム照射領域ＩＲの周囲は排気している。このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。また、排気ガスから汚染物質を除去することで処理ガス（一度使用されたアルゴンガス）が生成され、処理空間４１ａに供給される。このように処理空間４１ａが処理ガスによりパージされる。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）