【課題】フィラメントの数が多くなったとしても、装置が大掛かりにならず、装置コストの増大を抑制可能な光照射式加熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 発光管の内部に配置されるフィラメントを複数に分割し、各フィラメントそれぞれ独立に給電可能なマルチフィラメントランプを含む複数のランプから構成される光照射手段を備えた光照射式加熱処理装置において、あるランプ内にあるフィラメントと、他のランプ内のフィラメントとをまとめ、たとえば第１〜第５のフィラメント群のように複数の群に構成する。各群に対応させて電力制御部Ｐｃ１〜Ｐｃ５を設け、各電力制御部Ｐｃ１〜Ｐｃ５に対応させて駆動部ＤＲ１−１〜ＤＲ２−５を設ける。駆動部ＤＲ１−１〜ＤＲ２−５は、電力制御部Ｐｃ１〜Ｐｃ５からの指令により、電力供給電源Ｐｗから供給される電気エネルギーを調整して各フィラメント群に給電する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの使用電力を低減する。
【解決手段】成膜装置４０はウエハ２を加熱するメインヒータ４７と、筐体４２を加熱するチャンバヒータ４３と、ガス供給系を加熱する供給系ヒータ７１と、排気系を加熱する排気系ヒータ７３とを具備する。メインコントローラ８０は成膜装置４０の立ち上げ時に、チャンバヒータ４３、メインヒータ４７、供給系ヒータ７１および排気系ヒータ７３のうち最大電気容量のメインヒータ４７の電力供給装置４８を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にチャンバヒータ４３の電力供給装置４３Ａ、供給系ヒータ７１の電力供給装置７２および排気系ヒータ７３の電力供給装置７４を一度に電源投入する。成膜装置の設備仕様としては、最大電気容量のメインヒータの電力供給装置の電力を配慮すれば済むので、イニシャルコストやランニングコストを低減でき、電力容量不足を回避できる。
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【課題】ＰＩＤ制御による温度制御を行って被処理体を熱処理する装置において、確実にかつ容易にＰＩＤ定数のチューニングを行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】ＰＩＤ定数を設定した後、処理雰囲気を昇温させて温度プロファイルを取得し、温度特性項目の値と目標値との差分が許容範囲から外れていればールテーブル８４を参照してその差分に応じた当該温度特性項目の予測変化量に対応する変更率によりＰＩＤ定数を変更して再設定し、その後、前記差分が許容範囲内になるまで同様のステップを繰り返すと共に、前記ルールテーブル８４を使用した後の温度特性項目の実測変化量に基づいてルールテーブルにおけるＰＩＤ定数と当該温度特性項目の予測変化量との対応関係を更新するようにしてルールテーブルに学習機能を持たせている。 （もっと読む）

【課題】前駆体含有流体流を搬送するための容器、装置を用いる方法を提供する。
【解決手段】容器内に含まれる前駆体物質から前駆体含有流体流を搬送するための容器。上方容積部と下方容積部とに分割された内部容積部。上方容積部と下方容積部とが流体連通していて且つ下方容積部が前駆体物質を含む内部容積部、少なくとも１種のキャリアガスを容器の内部容積部に導く流体入口、流体出口、および上方容積部の少なくとも一部を内部に備えた内部凹部を含む蓋、少なくとも一部が蓋に接する上方リップを有する側壁、蓋と側壁との間に配置されたセパレーター。上方リップに隣接してあり且つ内部容積部を上方容積部および下方容積部に分割しているセパレーター。少なくとも１種のキャリアガスをセパレーターを経由し且つ前駆体物質の方へ導くためにセパレーターに向かって開口しているプレナム室を有する流体入口と流体連通している入口プレナムを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を連続的に処理した場合であっても、各基板に対して極めて均一な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する
【解決手段】内部に基板１３が配置されるチャンバ３を備える。チャンバ３内に配置された基板１３と対向する位置には、チャンバ３内に配置された基板１３を加熱するランプユニット２が設置される。チャンバ３とランプユニット２との間には、チャンバ３の上部壁面を構成するとともに、ランプユニット２からの放射光を透過させる透過窓７が設置されている。透過窓７のランプユニット２側には、透過窓７を壁面とするウインドウアセンブリ４が設けられている。ウインドウアセンブリ４には、減圧手段が接続されており、圧力制御手段１８が当該減圧手段を制御することにより、ウインドウアセンブリ４の内部圧力が任意の圧力に維持される。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置及び気相成長方法において、気相成長処理時に半導体ウェハが反応炉を占める時間を短縮し、気相成長処理の効率向上を図ること。
【解決手段】半導体ウェハに対し気相成長処理を行う反応炉１１と、気相成長処理に必要な温度範囲Ｃに半導体ウェハを昇温し、気相成長処理後の半導体ウェハを降温する昇降温炉１５ａと、昇降温炉１５ａにより気相成長処理に必要な温度範囲Ｃに昇温された半導体ウェハを昇降温炉１５ａから反応炉１１に搬送し、反応炉１１により気相成長処理が行われた半導体ウェハを反応炉１１から昇降温炉１５ａに搬送する搬送部２１と、を備え、反応炉１１は、反応炉１１内の温度を気相成長処理に必要な温度範囲Ｃに保持しつつ気相成長処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ドーパント量およびドーパント位置に関する許容性を満たすことが可能なように半導体基板を処理する方法、非常に薄い酸化膜を優れた特性および優れた均一性で製造することができるように半導体基板を処理する方法、シリコンおよび酸化シリコンの反応物のエッチングを慎重に制御できるように半導体基板を処理する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の高速昇降温処理（ＲＴＰ）の方法において、非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの歩留まりを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置としてのプラズマ処理装置１０は、載置されたウエハＷを静電気的に吸着する載置台３５を具備する。プラズマ処理装置１０は、ウエハＷの温度を測定する温度測定装置２００、及び予め設定されたパラメータに基づいて目標温度と実質的に等しくなるようにウエハＷの温度調節を直接的又は間接的に行う制御装置４００に接続される。制御装置４００は、ウエハＷの温度を測定された温度に基づいて自動的に制御する。 （もっと読む）

【課題】 温度制御を熱電対および放射温度計のいずれかに切替える場合に、半導体基板の温度の制御性を向上した気相成長装置、気相成長装置の温度制御方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 容器１１と、容器１１に収納された半導体基板１２を保持する保持基板１３と、半導体基板１２を加熱する加熱手段１４と、保持基板１３の温度を検出する熱電対１８と、第１温度調節器１９とを有する第１温度制御系２６と、半導体基板１２の温度を検出する放射温度計２１と、第２温度調節器２２とを有する第２温度制御系２７と、第１および第２温度制御系２６、２７の一方による半導体基板１２の加熱中に、一方の温度制御系の加熱操作量を引き継いで他方の温度制御系による半導体基板１２の加熱に切替える制御部２５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を１枚ずつ処理室に搬入して加熱処理する際の基板間の膜厚均一性を向上した基板加熱方法を提供する。
【解決手段】（１）処理室内に順次に搬入される基板の温度をモニターし、（２）基板温度の経時変化より処理室への蓄熱量を推測し、（３）処理室内の基板について、前記蓄熱量を基に、基板毎の供給熱量が一定になるように加熱処理時間、特に成膜工程時間（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，・・）を制御する。これにより、処理室への蓄熱に起因する膜厚変動を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が小さく、かつ、誘電率にバラツキが少ない絶縁膜を備えた高性能な半導体素子を提供することである。
【解決手段】 半導体素子基板上に絶縁膜を形成する方法において、
前記絶縁膜の構成塗料を塗布して塗膜２を設ける塗布工程と、
前記塗布工程の後、前記塗膜２の表層側２ａを硬化させる表層硬化工程と、
前記表層硬化工程の後、前記塗膜２にポア４を形成するポア形成工程
とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ昇温時における反応管内の熱電対による検出温度が目標温度に対してオーバーシュートするのを抑制し、ウエハの昇温速度を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を収容し処理する処理室を形成する反応容器と、前記反応容器を囲うように設けられ、前記基板を加熱する加熱手段と、前記加熱手段と前記反応容器との間に形成される空間内のガスを排出するための排気手段と、前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、前記加熱手段および前記排気手段のうち少なくとも一方を、前記温度検出手段による検出温度が所定の温度範囲内になるように、前記温度検出手段による検出温度の温度勾配に基づいて制御する制御手段とを備えてなる。
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【課題】基板の温度を均一に保ちながらより高速に昇温する。
【解決手段】押し具１９により基板１４が載せられているヒータカバー１５に基板１４を押し付け、ヒータカバー１５と基板１４との間に隙間ができにくくする。製膜室に安価で熱伝導率の高いＨ_２を導入して昇温する。基板１４が反ることによりヒータカバー１５から基板１４が浮きはじめるタイミングで一旦、Ｈ_２の密度を低下させる。基板１４の温度が一様となったら再びＨ_２の密度を上昇させる。Ｈ_２の分子密度は１×１０^２３個／ｍ^３〜３×１０^２３個／ｍ^３（１０００Ｐａ）、好ましくは２×１０^２３個／ｍ^３付近となるように制御される。 （もっと読む）

【課題】形成後のアニーリングを行なうことなく良質なｐ型窒化物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板温度を約１０５０℃にして、ＭｇがドープされたＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層を成長させる。その後、冷却工程において、基板温度が略９５０℃〜略７００℃の間に、雰囲気の水素濃度（％）をＸ軸、冷却時間（分）をＹ軸とし、座標を（Ｘ、Ｙ）として、点Ａ（５０、１．０）、点Ｂ（３０、１．８）、点Ｃ（１０、４．１）、点Ｄ（０、１５）、点Ｅ（０、０．５）、及び点Ｆ（５０、０．５）で表される各点によって囲まれた領域ＡＢＣＤＥＦ内で規定される雰囲気の水素濃度と冷却時間の組合わせで冷却する。 （もっと読む）

【課題】 同一のプロセス条件下においては被処理体の温度が目標温度であるプロセス温度に到達するまでの昇温時間を一定に維持することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体５に対して熱処理を行う枚葉式の熱処理装置において、被処理体を収容できる処理容器４と、被処理体の裏面と接触して被処理体を支持する支持部１０と、処理容器内に所定のガスを導入するガス供給手段１４と、処理容器内の雰囲気を排気する排気手段１６と、処理容器の外側に設けられて被処理体を加熱する加熱手段３０と、加熱手段へ電力を供給する電力供給源３３と、支持部に設けられた温度検出手段４０と、温度検出手段からの検出値に基づいて支持部に被処理体を支持させた直後の前記支持部の降温レートを求め、該降温レートが所定の基準値を維持するように電力供給源の出力電力を制御する電力制御手段３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハ１を、温度のばらつきが抑制された均一な温度で熱処理するための調整作業を容易に行えるようにする。
【解決手段】 各チャンネルの設定温度を変化させたときの半導体ウェハ１の温度変化を、温度センサ６ａ〜６ｃで計測し、半導体ウェハ１における各チャンネル間の干渉の度合いを干渉行列として予め求め、この干渉行列の逆行列を用いて半導体ウェハ１が所望の温度になるように、補正値を算出し、この算出値によって、設定温度を補正する。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することを可能とする。
【解決手段】 処理炉は、処理容器１５の領域Ａ〜Ｄに対応して分割された複数の分割ヒータ１０ａ〜１０ｄを備える。分割ヒータは、温度制御部１６によって独立に制御可能とする。処理工程で堆積した堆積膜を除去するためのクリーニング工程で、クリーニングガスを流す際、クリーニングガス供給側の領域Ａの温度を低く設定し、逆に、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄでは、排気側に向かって、相対的に温度を高く設定する。これにより、クリーニングガス供給側の領域Ａでのエッチング反応を遅く、排気側の領域Ｂ、Ｃ、Ｄでのエッチング反応を順次速くする。 （もっと読む）