基盤及び／又はウェーハを処理することが出来る種類の装置用の支持システム（１）が説明され、前記システムは、実質的に平坦な底部を有する実質的に円柱形の座（１１）が中に形成される実質的に平坦な面を有する固定ベース要素（１０）と、そして実質的にデイスク形の形を有し、該座（１１）内部に収容され、該座（１１）の軸線の周りに回転出来て、そして基盤又はウェーハ用の少なくとも１つのキャビテイ（２１）を有した実質的に平坦な上側部と実質的に平坦な基底側部とを備えた可動支持要素（２０）とを具備しており、１つ以上のガス流れ用に１つ以上の通路（１２）が提供され、該通路（１２）は、該支持要素（２０）をリフトし回転させる様な仕方で、その軸線に対し傾斜し、好ましくはスキューするのがよい方向で該座（１１）内部に現れる。

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基板支持システム（１４０、２００、３００）は、比較的薄く円形の基板ホルダ（１００）を備え、当該基板ホルダは、その上面と底面との間を延びる複数の通路（１１６、１１８、１２０、２４０、３４０）を有する。基板ホルダ（１００）は、単一の基板支持用棚状部または複数の基板支持用スペーサー羽根（１２４）を含み、当該羽根（１２４）は、基板裏面（１５４）の周縁部を支持するように形成されて、その結果、基板（１６）と基板ホルダ（１００）との間に狭い隙間（１５２）が形成される。羽根（１２４）には、基板ホルダ（１００）が回転すると反応ガスが裏面に堆積しないように角度をつけ得る。中空の支持部材（２２、２０４、３０４）は、基板ホルダ（１００）の裏面（１０６）を支持し得る。中空支持部材（２２、２０４、３０４）は、ガス（例えば、不活性ガスまたは洗浄ガス）を、基板ホルダ（１００）の複数の通路の１つまたはそれ以上の通路（１１６、２４０）内に上方へ輸送するように形成される。上方へ輸送されたガスは、基板（１６）と基板ホルダ（１００）との間の隙間（１５２）内に流れる。本発明の実施形態によって、隙間（１５２）内のガスは、次に、基板の縁（１７）の周りを外側また上方へ、またはもし存在する場合、中空支持部材（２２、２０４、３０４）内に通じていない基板ホルダ（１００）の通路（１１８、１２０、３４０）を通って下方へ流れる。基板縁（１７）の周りを外側および上方へ流れるガスが、基板（１６）上方の反応ガスの裏面への堆積を妨げる。支持部材（２２、２０４、３０４）に通じておらず、通路（１１８、１２０、３４０）を通って下方へ流れるガスが、外方拡散するドーパント原子を基板の表面（１５５）から押し流すことにより、オートドーピングを妨げることが好ましい。一実施形態では、支持部材は、中空の多数のアーム付きの支持スパイダー（２２）を含み、当該支持スパイダー（２２）は、複数の通路（１１６）から選択された通路内にガスを輸送する。他の実施形態では、支持部材は、ボウル状またはカップ状の構造体（２０４）を含み、当該構造体（２０４）は、ガスを上方に全通路（２４０）内に輸送する。さらに他の実施形態では、支持部材は、ボウル状またはカップ状の構造体（３０４）を含み、当該構造体（３０４）は、複数の通路（２４０）の全てに、しかしながら１つまたはそれ以上の通路内に上方へガスを輸送する。
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マイクロ波を用いて線状プラズマを形成し、被処理物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ被処理物の移動中に大気圧下またはその近傍の圧力下で処理を被処理物に施すマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドにおいて、プラズマヘッドにＨ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇ／２のピッチで導波管の中心線を挟んで交互に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有するようにする（ここで、λｇ：マイクロ波の管内波長）。また、プラズマヘッドにＥ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇのピッチで導波管の中心線上に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有する均一化線路を配置する。 （もっと読む）

本発明は、熱処理システム内で基板を熱処理する方法に関する。この方法では、基板の目標温度を用意し、熱処理システム内で基板の移動プロファイルを生じさせる。第一位置で基板に熱量を加え、この第一位置で基板上の一つ又は複数の位置に関係する一つ又は複数の温度を測定し、これら一つ又は複数の測定された温度、基板の位置、及び熱処理システムと基板の熱モデルに基づいて、基盤の理論的な位置を生じさせる。また、基板の移動プロファイルに従って、基板の予測された温度プロファイルを生じさせるが、この予測された温度プロファイルは、一つ又は複数の測定された温度と、基板の理論的な位置と、予測された温度プロファイルに基づいて決定された予測された最大の温度に基づく。さらに、予測された最大の温度が目標の基板の温度と等しくなるか、大きくなる時、移動プロファイルに従って、基板を第二位置に移動させる。さらに、理論的な位置のエラーを修正するため、オフセットを用いる。
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【課題】 基板上に構造体をパターン加工するための装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 走査先端部を有するイメージング装置と、発光装置と、走査先端部の周りにあって、分解されたときに基板上での化学気相堆積法に適したものとなる材料の蒸気を有する空間とを含む、基板上に構造体をパターン加工するための装置であり、この発光装置は、蒸気を分解できない強度を有する光ビームを、走査先端部付近の光ビームが引き起こす電磁場が蒸気を分解するのに十分な程強くなるように、走査先端部上に射出するように適合される。 （もっと読む）

本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱的に処理するための装置に関する。熱処理装置(230)は、気体を処理チャンバ(236)に選択可能に注入するための注入システム(250)を有する。注入システム(250)は、反応物及び他の気体の流れを各ウェーハ(242)の表面を横切るように差し向けるための複数の注入ポート又はオリフィス(252)が分配された１又は２以上の細長い注入管を含む。細長い注入管は、軸線の周りに３６０度回転可能である。
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【課題】プロセスチャンバに導入され熱分解反応を行う反応ガスを用いてプロセスチャンバ内の1または複数の結晶基板の上に結晶層を蒸着する装置を提供する。
【解決手段】片面から加熱可能な搭載プレート２を具備しかつ該搭載プレート上に少なくとも１つの基板ホルダ９と基板ホルダを取り囲む少なくとも１つの補償プレートとが載置されることにより水平ギャップ３を形成し、補償プレート４の局所的表面温度に影響を及ぼすために、ガス流の方向における前記基板ホルダの上流側において水平ギャップ３のギャップ高さを変化させるかまたは局所的に異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の昇温速度を向上し、成膜時の被処理基板温度を均一化する。
【解決手段】 基板処理装置は、真空容器内で被処理基板Ｗを保持しつつ回転させる基板保持体２を備える。基板保持体２は、被処理基板Ｗを載置するリング状載置部１２を有する回転体１０と、回転体１０内に回転体とは非接触で設けられ、被処理基板Ｗを加熱するヒータ、ヒータ支持体、支持軸等を一体化したヒータ部５０とを有する。被処理基板Ｗを所定の温度に昇温させる際は、回転体１０に対して上昇させたヒータ部５０に被処理基板Ｗを接触保持させた状態で直接加熱する。昇温後、被処理基板Ｗを成膜処理する際には、回転体１０に対して下降させたヒータ部５０から被処理基板Ｗを離間させるとともに、リング状載置部１２に被処理基板Ｗを保持させた状態で、載置部１２に保持した被処理基板Ｗをヒータ部５０に対して相対的に回転させることにより被処理基板Ｗの処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）

【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷを支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷとの隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このとき、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）