【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】 感光性絶縁膜を露光、現像して形成された絶縁層を有する液晶表示パネルにおける周期的な外観むらを低減する。
【解決手段】 感光性絶縁膜を露光、現像してなる絶縁層を形成する工程を有し、あらかじめ用意された数値データに基づく数値制御により生成される複数の露光パターンを前記感光性絶縁膜の異なる位置に同時に照射し、当該複数の露光パターンを排他的に走査することで当該感光性絶縁膜の全体を露光する表示装置の製造方法であって、前記数値データに基づき感光させないと判定される領域には、光を照射しない条件のときに前記感光性絶縁膜の各位置に照射される漏れ光の光量の総量のうちの最大値と同じ光量、または当該最大値より大きい光量の光を均一に照射する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板を１回の走査で露光するリソグラフィ装置と方法を提供する。
【解決手段】照明システムは、個別制御可能の要素のアレイでパターン形成したビームを供給し、ビームをレンズアレイに通して基板の目標部分へ投影し、アレイの各レンズはビームの各部分を基板へ配向し、変位システムは、基板とビームを相対的に変位させ、ビームは所定の走査方向に基板全体で走査される。投影システムを各トラックに沿って各ビームを走査するように位置決めする。各トラックはビーム１本で走査する第一部分と、隣接トラックと重なりビーム２本で走査する第二部分を有する。第一部分への各ビーム部分の最大強度は第二部分へのビーム部分の最大強度より大きいので、第一と第二部分はほぼ同じ最大強度の放射線に露光する。隣接ビームをこのように重ねビーム強度を変調すると異なる光列の光学的フットプリントが継合わされ１回の走査で大面積の基板を露光できる。 （もっと読む）

【課題】適正パターンを崩さずにショート欠陥部を修正できると共にコストアップや生産性の低下を招くことなく、所望の高精細パターンを容易に形成することができるパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】第１の露光、現像工程に引き続くの第２露光工程において、照射光Ｒ2の光度を、第２フォトレジスト膜３´の照射光Ｒ2により照射されたエリアにおいて後順の第２現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域ｄ´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。その結果、第２現像工程を終えた段階においては、(ｃ)に示すように、第２フォトレジスト膜３´で被われていない第２露出エリアは、飽和感光領域ｄ´が先窄み形状に形成されていた為、第１現像工程を終えた段階において第１フォトレジスト膜３で被われずに露出していた第１の露出エリア内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上の１つ又は複数の縁部デバイスの前（又は後）露光によって基板が費やす露光時間を短縮でき、スループットを増加させる主要リソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】縁部デバイスは最終的に有効デバイスを生成しないので、基板から生成される１つ又は複数の他の完全デバイスを生成するために使用されるものより低い解像度を有する第一リソグラフィデバイスで、露光する。したがって、それほど複雑でなく、高価ではないリソグラフィデバイスを使用して、縁部デバイスの前（又は後）露光できる。 （もっと読む）

【課題】液浸露光処理を含む基板処理工程において、パーティクルの発生、液体の浸入を抑制し、基板を良好に処理できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、液体に対して撥液性の感光膜を基板上に形成することと、基板の周縁領域に第１露光光を照射して、基板上に形成された感光膜を露光する周縁露光処理を実行することと、基板上に形成された感光膜と液体とを接触させながら、基板の周縁領域の内側の、第１露光光が照射されていない領域に液体を介して第２露光光を照射し、基板上に形成された感光膜を露光する液浸露光処理を実行することと、周縁露光処理及び液浸露光処理の両方が終了した後、基板上に形成された感光膜を現像し、第１露光光及び第２露光光が照射された基板上の感光膜を除去することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを形成するためのマスク及びその形成方法を提供する。
【解決手段】二重パターニング工程でマスク上の第１及び第２パターンをそのまま下部の被転写物に転写させる微細パターンを形成するためのマスク及びその形成方法である。該マスク及び方法は、第１方向に繰り返された第１パターンと、第１パターンの間に位置し、第１パターンと平行に配列される第１幅Ｗ１の第２パターンと、を備え、第１パターンと第２パターンとの間に配置され、第２パターンと第１間隔Ｄ１を維持する補助パターンを備える。 （もっと読む）

【課題】 液浸露光の際の液滴の残留や気泡の局在化に起因するレジストパターンの欠陥発生を抑制することができ、パターン寸法精度の向上をはかる。
【解決手段】 液浸露光方法において、被処理基板１０上にレジスト膜又はレジスト膜とその上に形成された液浸保護膜からなるレジスト層を形成した後、被処理基板１０上のレジスト層と露光装置の光学系３３との間に液体を介在させた状態で、被処理基板１０と露光用マスク３２を相対的に移動させつつ液浸露光を行い、且つ被処理基板１０の表面の外周近傍部分の露光領域に対して多重露光を行い、それより内側の領域に対して多重回数よりも少ない回数で露光を行い、次いで露光された被処理基板１０に現像処理を施すことにより、レジスト膜からなるレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】下地層を高精度にパターニングすることができ、下地層にスクラッチおよび腐食が生じるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のフォト工程にて、下地段差４ａを有するポリシリコン４上にポジレジストを塗布した後、このポジレジストに対して露光および現像を行って、ポジレジスト５を形成する。第２のフォト工程にて、ポジレジスト５の周囲にネガレジストを塗布した後、このネガレジストに対して露光および現像を行って、ネガレジスト２９を形成する。ネガレジスト２９は、第１のフォト工程で下地段差４ａからの反射光によりポジレジスト５に形成されたくびれ部５ａを補う。 （もっと読む）

【課題】マスクの露光パターンが描かれている領域に小さな疵や小さなゴミ等の不純物が付いていても、露光転写される基板のパターン欠けを防止する近接露光方法を提供する。
【解決手段】露光制御用シャッターを開く（ステップＳ２）。次いで、露光時間の半分の時間帯まで露光用の光をマスクに向けて照射する（第１の露光工程：ステップＳ４、６）。次いで。前記露光制御用シャッターを閉じる（ステップＳ８）。次いで、マスクを水平方向に微小に移動させる（ずらし工程：ステップＳ１２）。次いで、露光制御用シャッターを開く（ステップＳ１４）。次いで、露光時間の残りの半分の時間帯まで前記露光用の光を前記マスクに向けて照射する（第２の露光工程：ステップＳ１６、１８）。 （もっと読む）

【課題】基板裏面の反射光に起因する非露光部のレジスト残渣の発生を抑制可能な半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】レジスト膜１２への露光を、第１透過部を有する第１フォトマスクを用いた第１露光（これにより露光部６を形成）と、第１透過部に比して大面積の第２透過部４ｂを第１透過部に重複しない領域において有する第２フォトマスク５ｂを用いた第２露光（これにより露光部１３を形成）とに分割する。かつ、第１露光における露光量Ｄ１と、第２露光における露光量Ｄ２とが所定の関係式を満たしつつ、露光量Ｄ１とＤ２とを異なった値とする。すなわち、露光量Ｄ１を増強して第１露光を行い、露光量Ｄ２を抑制して第２露光を行う。また、レジスト膜１２として、半導体基板との界面近傍の露光感度が他の部分よりも低いもの（例えばイメージリバーサル可能なポジレジスト）を採用する。 （もっと読む）

【課題】 ガラスフォトマスクの製造コストを低減できると共に、不良品のガラス基板を有効利用することができるガラスフォトマスク露光方法を提供する。
【解決手段】 同一パターンを有する複数のガラスフォトマスク１０、２０を各々用いて複数回露光を行うようにしているので、ガラスフォトマスク１０、２０に光を遮光する欠陥部分１００、２００が存在していても、複数露光で解消できることとなり、製造コストを極力低減し且つ不良品となるガラス基板を有効利用できると共に、露光エラーの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 露光用マスクの透光領域に微細な埃が付着しても、かかる埃に起因してレジスト膜の露光すべき領域に非露光部が残留せしめられることがない露光方法を提供する。
【解決手段】 ウエーハ（２）に対して露光用マスク（１４）を所定位置に位置付けて、露光用マスクを介してレジスト膜を露光し、しかる後にウエーハに対して相対的に露光用マスクを所定方向に所定寸法変位せしめて、更に露光用マスクを介してレジスト膜を露光する。 （もっと読む）

多重露光を使用して規則的に区切られたフィーチャー(feature;特徴)の最小の格子(grid)ピッチを減少させる光学リソグラフィ方法が開示される。要求される格子ピッチは、レイアウト時の格子制限の使用から生じる回路面積の増加を最小にするように選択される。必要な格子は、要求される格子ピッチより大きなマスク格子ピッチを有する少なくとも２つのインターリーブ(interleave)されたマスク格子に分解される。それぞれのマスク格子は露光され、要求される完全な格子がダイに焼付けされるまで必要な格子の部分が焼き付けられる。
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本発明の実施形態はＵＶに耐える液晶セルに関連する。本発明の一実施形態は、セル内に入れられる液晶材料の体積を増やすことである。たとえば、トレンチを用いて、さらに多くの液晶材料を保持する貯留場所（２４、２８）を設けることができる。本発明の別の実施形態は、配向膜として有機材料を用いる代わりに、セル内に無機配向膜（３３）を用いる。本発明のさらに別の実施形態は、ポンプ（９１）を用いて、セルの中で液晶材料を循環させる。本発明のセルは、フォトリソグラフィイメージングシステム（５０）においてＳＬＭ（５３）として用いることができる。
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