【課題】大型デバイスを製造用のリソグラフィ装置で複数の基準により、熱膨張による整列誤差低減し、基板の製造中に温度の補償可能なシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】基板１上に広く分布する整列マーク２０のパターン２、ドットの列２１、２２を、一方ビームパターニングおよび投影システム３によりパターン化放射線ビームを基板１上に投影する。作動システム４により基板と上記投影システムの相対運動を行い、検出システム５により整列マークを個々に検出する。作動システム４により基板１を投影システム３に対して位置決めし、パターン化放射線ビームを基板１の目標部分上に投影し、検出結果に基づいてパターンデータを調整して温度補償する。 （もっと読む）

【課題】改良された位置合わせ測定を行うように構成されたリソグラフィ装置及び方法を提供すること。
【解決手段】リソグラフィ装置は、行及び列の形で複数の構造１９を有したマークＭ３を有した対象物を移動するためのアクチュエータを含む。位置合わせ構成は、光源と、光学的要素と、検出器とを有する。光源及び光学的要素は、列に平行な第１の方向に延在した第１のスポット部分２４ｘ、及び行に平行な第２の方向に延在した第２のスポット部分２４ｙを有した位置合わせビームを生成する。光学的要素は、マークＭ３へ位置合わせビームを向け、マークＭ３から戻った位置合わせ放射を受け取り、位置合わせ放射を検出器に送る。検出器は、位置合わせ信号をプロセッサに送り、プロセッサは、位置合わせ信号に基づきマークＭ３の２次元位置を計算する。 （もっと読む）

【課題】 マークの両端に変形があるとともに、マークの両端が計測視野からはみ出す場合であっても、マークの位置を高精度に計測できるようにする。
【解決手段】 物体上に形成された複数のパターンを含むマークを検出して得られる検出信号に現れる全ての特徴波形を使ってマーク位置を演算する第１演算手段と、該検出信号に現れる複数の特徴波形のうちの両端の特徴波形を除外してその内側の特徴波形を使ってマーク位置を演算する第２演算手段と、マークの形状に関するマーク情報及び検出領域の大きさに関する領域情報が予め記憶された記憶手段と、マーク情報及び領域情報に基づいて、マークがパターンが検出領域からはみ出すか否かを判断し、はみ出す場合に第１演算手段による演算結果を、はみ出さない場合には第２演算手段による演算結果を計測結果とする判断手段とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】基板の第１面のパターンと対応するように、第２面にパターンを転写することができる転写装置、及び、転写方法を提供する。更に、基板の第１面における領域に対応する第２面における領域を観察することができる検査装置を提供する。
【解決手段】転写装置は、（Ａ）基板３０の第２面に第２のパターンを転写する転写手段、（Ｂ）基板の第１面と接するように基板を載置して保持する保持台２１、（Ｃ）基板の第１面に設けられたアライメントマークを保持台側から検出するための検出手段、及び、（Ｄ）制御手段２５、を備え、制御手段は、（ａ）検出手段が検出したアライメントマークに基づいて、基板の基準点の座標値を求め、且つ、（ｂ）転写手段により転写される第２のパターンが基板の第１面に設けられた第１のパターンと対応するように、基板の基準点の座標値を用いて転写手段と基板との相対関係を制御する。 （もっと読む）

本発明は、インプリントリソグラフィ・プロセスを受ける基板の加熱及びこれに伴う悪影響を回避できないとしても軽減する方法に関する。そのため、本発明は化学線エネルギーに応答して固化するポリマー材料を用いて基板のある範囲をパターン形成する方法を含み、当該フィールドの小部分は、その小部分内のポリマー材料を硬化させるのに十分に曝露され、その後、全範囲に関するポリマー材料の全ての包括的曝露を行い、当該ポリマー材料を硬化／固化する。 （もっと読む）

【課題】迅速にアライメントを行うための位置決定方法およびリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例は、センサを用いる、マスク上のアライメント領域内のフィーチャの位置測定に適用することができる。アライメント領域内におけるフィーチャの位置は、設計から既知である。位置を測定されたフィーチャは、測定したフィーチャとフィーチャの間の相対位置と、設計から既知の相対位置とを比較することによって識別される。マスクの位置は、識別されたフィーチャの測定位置から、識別されたフィーチャの既知の位置を引き算することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アライメントマークの検出結果にばらつきがある場合でも、必要なアライメント精度とスループットの両立を可能にする位置検出方法を提供する。
【解決手段】 位置検出用マーク信号波形に基づいて複数のマーク要素からなるアライメントマークの位置を検出する位置検出方法であって、前記マーク要素の信号波形を特徴付けるパラメーターとしての波形特徴量に基づいて、前記マーク要素の信号波形の抽出方法を決定するステップと、前記マーク要素の信号波形を前記抽出方法を使用して取得するステップと、前記取得した前記信号波形から前記波形特徴量を少なくとも２以上抽出するステップと、前記マーク要素の理想の位置を表す真値と、前記マーク要素の現実の位置とのずれを補正する関数を生成するステップと、前記関数に基づいて前記ずれを補正するステップとを有し、前記生成ステップは、前記２以上の波形特徴量を使用して関数を生成することを特徴とする位置検出方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハステージ１１０の移動後に振動が静定するのを待つ必要なく直ちにアライメントＡＦを行なうことのできる方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷのウエハ・アライメントセンサー１１７の合焦面に対するずれを検出すると同時に、Ｚ干渉計及びリニアスケールにより、ウエハステージ１１０が載置される定盤１３１とカラム１３２との距離Ｓ及び定盤１３１とウエハステージ１１０との間隔ｄを計測する。この計測結果に基づいて、ウエハＷを載置したウエハステージ１１０の位置ずれを算出し、これにより合焦面に対するずれ量を補正する。ウエハステージ１１０が振動していても適正なずれ量が検出できる。
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【課題】ウエハ上のマークやパターンの像を高速かつ高精細に取り込み、その位置を検出する撮像システム及び位置検出装置を提供する。
【解決手段】撮像装置５１０と信号処理系の入力段であるＡＤ変換手段５２０とを、導電接続手段５３０により導電接続、すなわち、導電媒体により実際に電流が流れるように電気的に直接的に接続する。その上で、例えば撮像装置に固有の所定のＤＣレベル等を用いて、オフセット補正手段５４０において、撮像信号のオフセット成分（直流成分）を補正する。その結果、映像信号の直流成分は、撮像装置に固有のレベルで固定化することができ、ＡＣカップリングをしたようなライン毎に不安定な直流成分を有する信号とはならない。このような撮像信号を所定方向に積算して１次元信号波形を求めた場合、ノイズや歪の無い適切な信号波形を得ることができる。また、撮像装置として倍速カメラを用いることにより、高速に画像を取り込むことができる。
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【課題】 スキャナフィールド内歪みを効果的で効率的に判断する。
【解決手段】 リソグラフィスキャナで起る動的走査歪みを判断する方法と装置において、識別するフィールド全体に特殊なレクチルパターンを露光する。次に、ウェーハを90度回転し、同じフィールドで1回またはそれ以上の露光を行う。現像したウェーハ上で連結したアライメント構造を測定し、並進、回転、走査スキュー内で動的走査歪みを再構築する。 （もっと読む）

【課題】スループット性を低下させずに、高精度の露光処理が行える露光方法等を提供すること。
【解決手段】インターバル・ベースラインチェックで行うサーチ計測では、ＣＣＤカメラ２３の撮像面にある計測視野の範囲を限定し、この限定された計測視野内で探索して、レチクルＲ上のサーチ用マークＲＭ７の位置を計測する。次いで、ファイン計測を行うが、このファイン計測では、ロット先頭時でのベースラインチェックで行われる基準データ採取のためのファイン計測と同じ位置計測用パターンＲＭ１の像と基準マークＦＭ１の像を使用してこれらの相対位置を検出する。そして、計測結果を基準データと比較して、基準データとのずれ量を算出する。ずれ量が所定範囲を超えている場合には、レチクルステージ駆動系１２によりレチクルステージＲＳを駆動して、レチクルＲ（パターンが形成された領域ＰＡ）とウエハＷとの相対位置関係を調整する。 （もっと読む）

【課題】 マークの位置情報を高い精度で計測する。
【解決手段】 レチクルＲ上のマーク等が形成されていない領域ＲＲ１，ＲＲ２及び基準板ＷＦＢ上のマークが形成されていない領域ＷＲ１，ＷＲ２内の複数箇所を撮像して複数のノイズ情報を得る。次いで、複数得られたノイズ情報からマークの位置情報を求める上で望ましいノイズ情報を推定する。そして、推定したノイズ情報と、レチクルＲ上に形成されたレチクルマーク及び基準板ＷＦＢ上に形成されたウエハ基準マークを撮像して得られる撮像信号とに基づいて信号処理を行い、これらマークの位置情報を求める。 （もっと読む）

【課題】 調整用の光学素子の配置を感度良く微調整する。
【解決手段】 第１ピッチで配列された複数の第１マークと、第１ピッチとは異なる第２ピッチで配列された複数の第２マークとを含む調整用マークに対し、所定の波長帯域の照明光を照射する(Ｓ５,Ｓ６)。調整用マークから発生する回折光のうち、開口絞りを通過して結像光学系の像面に到達した光に基づいて、画像を取り込む(Ｓ５,Ｓ６)。調整用マークの画像の輝度情報のうち、第１マークと第２マークに関わる輝度情報の対称/非対称性を加味し、第１マークと第２マークとの位置ずれ量を算出する(Ｓ５,Ｓ６)。照明光の波長帯域を変更する(Ｓ５,Ｓ６)。照明光の波長帯域が異なるときに算出した各々の位置ずれ量に基づいて、結像光学系の瞳面と開口絞り面との間に配置された調整用の光学素子を微調整し、開口絞り面における瞳像の結像位置ずれを補正する(Ｓ８,Ｓ９)。 （もっと読む）

【課題】
スキャンアンドリピート型の露光において、半導体ウェハ上を走査される光の走査速度を下層のパターンに合わせて正確に制御する。
【解決手段】
半導体ウェハ１の露光領域４の最右端に位置する１本のスクライブライン６に、露光時に走査される光の走査方向に対して実質的に平行にアライメントパターン１０が形成されている。アライメントパターン１０は、微細パターン８が所定の位置に配列されて形成されている。微細パターン８は、２列に配列されており、両列において微細パターン８は実質的に等間隔に配置され、かつ両列の隣り合う微細パターン８の間隔が互いに異なるように配列されている。 （もっと読む）

位置合わせ処理またはオーバーレイ処理と他の処理との改良された統合について示した。アライメントの基板のような半導体部品は、アライメントマークまたはオーバーレイ特徴物を含む複数の特徴物を有する。ダミー化構造物のような細長い構造物は、アライメント構造物の近傍に使用される。例えば、直線状ダミー化構造物は、アライメント領域内で使用される。アライメント領域では、位置合わせ処理による光が、アライメント構造物および細長い構造物の双方と相互作用する。細長い構造物は、アライメント構造物と同じ層内にあっても、異なる層内にあっても良い。アライメント構造物のコントラストを向上するため、細長い構造物およびアライメントマークは、使用照射モード（明視野、暗視野）に適合するように、相互に対して配向される。

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ウェハ（４０２）の複数の層の間のオーバーレイ誤差の測定および補正を促進するシステムが開示されている。本システムは、ウェハ（４０２）の３つ以上の層間のオーバーレイを表すオーバーレイターゲット（４０６）と、オーバーレイターゲット（４０６）に存在するオーバーレイ誤差を決定し、その結果、ウェハ（４０２）の３つ以上の層の間のオーバーレイ誤差を決定する測定コンポーネント（４０８）とを含む。隣接する層の間、および、隣接しない層の間のオーバーレイ誤差を補正するために、制御コンポーネント（４１０）が提供されてよく、この補正は少なくとも一部が測定コンポーネント（４０８）が取得した測定値に基づく。
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本発明はウェハ（９００、１２５０）の検査を行うための最良の手段を提供するために利用される検査法及びシステムに関する。方法およびシステムには、ウェハとレチクルのアラインメント、層と層のアラインメント、及びウェハ表面のフィーチャ検査を含む。ウェハ（９００、１２５０）とレチクル（１２２６）のアラインメントは、検査寸法と所望のポイントが存在する対応の領域を縮小するために、既存のアラインメントマーク（１０２、１０４、２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃ、２１０Ｄ）へ斜め線（１１２、１１４）を追加することによって改良される。斜めの、及び／または直線でない線のセグメントを既存のオーバーレイターゲット（３３０）に追加することによって、層と層のアラインメントは同様の方法で改良される。また、複数の所望の斜め軸においてウェハ表面の検査を行うことによって、より正確にフィーチャを測定することができる。
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【課題】ウェハ−露光マスク間のギャップの補正を含むアライメント精度の向上を図ることが可能なウェハおよび露光マスクを提供する。
【解決手段】近接露光の際の位置合わせ用の検査光を散乱させるエッジを備えた位置合わせマーク（ウェハマーク）を露光面に設けてなるウェハ１１であって、ウェハマーク１３は、所定方向ｘにドットパターン１５を配列してなるドットパターン群１５ａを、ドットパターン１５の配置間隔ｐ１よりも広い配置間隔ｐ２で所定方向ｘに配列してなることを特徴としている。また、同様の近接露光に用いる露光マスクであり、ウェハマーク１３と同様の構成の位置合わせマークをマスクマークとして備えている。 （もっと読む）