【課題】アナログ回路を形成する際に層間絶縁膜に形成された合わせ検査マークを、後のレジストパターンの合わせ検査工程で精度良く検出できるようにした半導体装置及びその製造方法、合わせ検査マークを提供する。
【解決手段】アナログ回路を含む半導体装置であって、チップ領域の層間絶縁膜２に形成されるビアホールと、ビアホールの形成後にチップ領域の層間絶縁膜２上に形成されるレジストパターンとの位置合わせ精度を検査するために、ビアホールと共にスクライブライン領域の層間絶縁膜２に形成される合わせ検査マーク３０を備え、合わせ検査マーク３０は、平面視で矩形ｒの四隅にそれぞれ配置される４つの穴３のみで構成され、各々の穴３は平面視で合同な正方形であり、当該正方形の一辺の長さは４．５［μｍ］以上、７．０［μｍ］未満である。 （もっと読む）

【課題】異なるマスクレイヤに属するショット間の重ね合わせ精度を高速に計測することができ、高精度なショット重ね合わせを実現できるフォトマスク、重ね合わせ精度計測方法及び半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】矩形のショット１の四隅に、ショットを構成する隣接する２辺と平行な方向沿って伸びるラインパターンを備えた測定マーク領域１３、１４、１５、１６を配置する。また、当該ショット１が転写された下地層の上層には、ショットを構成する隣接する２辺と平行な方向沿って伸びるラインパターンを備えた測定マーク領域をショット１と同一の位置に具備するショットが転写される。各測定マーク領域のラインパターンは、各マーク領域が完全に重なる状態で基板上に転写されたときに、各ラインパターンが互いに重なることのない状態に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 マークの計測精度を向上する。
【解決手段】検出信号が所定の目標信号振幅となるように信号増幅に関する信号増幅パラメータを設定する設定ステップ（Ｓ１７）と、直前に計測されたマークについて用いられた信号増幅パラメータを記憶する記憶ステップ（Ｓ１８）と、直前計測マークの計測以降に計測される他の計測対象マークについての検出信号を処理する際には、当該他のマークの検出信号の信号振幅が、前記信号増幅パラメータについて予め設定された所定の許容値の範囲内にあるか否かを判断する判断ステップ（Ｓ１６）と、第１許容値の範囲内であると判断された場合には直前計測マークについて用いられた信号増幅パラメータを用い（Ｓ１４）、第１許容値の範囲外であると判断された場合には設定ステップにより新たな信号増幅パラメータを設定する制御ステップ（Ｓ１７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】投影リソグラフィで使用するための、投影システムの倍率を決めるための改良された方法を提供する。
【解決手段】投影システムにより投影された空間像を検知できるイメージセンサを有するリソグラフィ投影装置の投影システムの倍率を計測する方法であって、該方法が、二成分マーカの一成分の像を投影するステップであって、該二成分マーカはその二つの成分のプリント間のオーバーレイ誤差に対して感度を有するステップと投影された像における二成分マーカの該成分の位置をイメージセンサにより計測するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子レイヤーの多様な特性を測定するための測定マークとそれを利用したキャリブレーション方法、測定システム及び測定してキャリブレーションするためのコンピュータプログラム製品を提供する。
【解決手段】半導体素子の各レイヤーの多様な特性を測定するための測定マークにおいて、隣接する曲り形パターンと互いに多様な間隔で離隔した線分形枝パターンを有した多数個の破線形L型パターンを含むマーク。本発明の実施形態による場合、一つの測定マークで各レイヤーの多様な特性を同時に測定できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の加工時における位置決めの際に、透明な基板に対しても良好な位
置情報の検出を実現することのできるアライメントマークを設けたアライメントマーク付
き半導体基板及びアライメントマークの製造方法を得る。
【解決手段】 彫りこみ形のアライメントマーク４及び５を構成するそれぞれの彫りこみ
６を、第一段目の彫りこみの底面６１にさらに第二段目の彫りこみ６２を設けた、二段の
階段状に形成し、アライメント光源等を照射したときに散乱による反射を起こしやすくし
て、透明な半導体基板に対しても十分な安定した反射光を得る。 （もっと読む）

【課題】液浸法を適用した場合にも、基板とパターン像との位置合わせを効率良く精確に行うことができる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置ＥＸは、基板Ｐとパターン像とを位置合わせするためのマークＡＭを検出する第１検出系ＡＬＧと、マークＡＭのうち液体ＬＱで濡れている第１部分を特定するために第１検出系ＡＬＧの検出結果を解析する解析装置６と、解析装置６の解析結果に応じて所定の処理を行った後、第１検出系ＡＬＧの検出結果を用いて、基板Ｐとパターン像とを位置合わせする制御装置７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ精度を維持若しくは向上させ、かつスループットの向上を図る。
【解決手段】 基板Ｗ上の最初の区画領域の露光を開始した後、最後の区画領域の露光開始までの間に、主制御装置２０は、その基板上に形成されている少なくとも１つのアライメントマークの位置情報を、マーク検出系ＡＬＧと位置検出系７４との検出結果に基づいて検出する。また、主制御装置２０は、検出されたアライメントマークの位置情報を考慮して、基板上の最初の区画領域を除く特定の複数の区画領域を露光する際の基板の移動目標位置を統計演算を含む処理により決定する。 （もっと読む）

本発明は、単一の測定構造（２００）からオーバーレイ誤差とパターン配置誤差情報とを取得する技術を提供する。これは、単一の測定構造（２２１、２４１）において少なくとも２つの異なるデバイス層に周期的サブ構造（２１０、２２０、２４０、２５０）を形成することで実現される。ここでは、少なくとも１つのセグメント化された部位（２００）と非セグメント化部位（２１１、２５１）とは２つの異なるデバイス層に供給される。
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【課題】偏光リソグラフィーにおいて使用するためのターゲットおよびその使用方法。
【解決手段】参照用層の上に位置する第１構造部と、第２層の上に位置する第２構造部とを含む。上記第１構造部が上記第２層を通して可視となるように上記第２層は光透過性を備えている。上記第２構造部は、複数の各サブ構造部を有するフォトマスクから形成される。上記複数の各サブ構造部の全ての各サブ構造部は、第１の配向方向に配向されている。上記第２層上に上記第２構造部をパターニングするために偏光が使用され、上記偏光は、上記第１配向方向と同じ偏光方向を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体の歩留りを維持しながら、上記半導体のコストを低減できる偏向リソグラフィーのためのアライメントマークおよびその検出方法を提供する。
【解決手段】アライメントマークの好ましい実施形態は、第１偏向方向に沿って配置された、第一構成要素型を有する複数の各第１の垂直方向構成要素１１０と、第２偏向方向に沿って配置された、第二構成要素型を有する複数の各第２の垂直方向構成要素１２０とを含み、上記第１偏向方向と上記第２偏向方向とは互いに実質的に直交しており、互いに隣り合う各素子は、それぞれ、互いに異なる構成要素型である。上記アライメントマークは、光強度または回折光をベースとしたアライメント工程に使用され得る。 （もっと読む）

【課題】標準を外れた基板を適切にレベリングする基板ホルダおよびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板Ｗ１を基板テーブルＷＴに装着した後に、ＩＩＩ／Ｖ化合物半導体などの第二基板Ｗ２を、ウェハ、ガラス基板などの第一基板Ｗ１の表面３上で位置決めされる。投影ビームが第二基板Ｗ２の目標部分Ｃに投影されるように第一基板Ｗ１を投影システムに対して位置合わせされる。第二基板を、パターン形成した放射線に露光する。 （もっと読む）

【課題】 デバイスパターンの転写位置ずれ量を忠実に反映し、合わせずれ検査の測定精度を向上させた合わせずれ検査用マークの形成方法を提供する。
【解決手段】 基準層デバイスパターンと、この基準層デバイスパターンと同じ層にある第１マークを形成し、基準層の上層に、基準層に対応した上層デバイスパターンとこの上層デバイスパターンと同じ層にあり、この上層デバイスパターンの線幅、ピッチ、パターン密度の少なくともいずれかと同等の複数のパターン３２０ａ〜３２６ａの配列からなる第２マーク領域を、第１マークに隣接して形成し、第２マーク領域の境界部分に配列されたパターン３２０ａ，３２６ａを選択的に除去し、残余のパターン３２１ａ〜３２５ａにより第２マークを形成するステップとを含み、第１及び第２マークを用いて、基準層と上層のパターンの合わせずれを検査する。 （もっと読む）

【課題】収差の影響を考慮したフォトマスクの製造方法および露光方法を提供する。
【解決手段】石英などからなる透明基板５１の上に、透過する露光光の透過率と位相角とを制御するためのシフタ膜５２を形成する。このシフタ膜５２の材質としては、たとえばＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮなどが用いられる。レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ₄＋Ｏ₂ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ₂ＣＯ₂ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。その後、レジスト膜５３を除去することにより、フォトマスク５０を完成させる。 （もっと読む）

【課題】 画像から求めた重ね合わせずれ量が正しいか否かの判断を行うことができる重ね合わせ測定装置を提供する。
【解決手段】 基板１１の異なる層に形成された第１マークと第２マークの画像を測定波長域の光によって取り込み、該測定波長域での画像に基づいて、第１マークと第２マークとの重ね合わせずれ量を求める第１計測手段(１３〜２７)と、第１マークと第２マークの画像を測定波長域とは異なる評価波長域の光によって取り込み、該評価波長域での画像に基づいて、第１マークと第２マークとの重ね合わせずれ量を求める第２計測手段(１３〜２７)と、第１計測手段が測定波長域で求めた重ね合わせずれ量と、第２計測手段が評価波長域で求めた重ね合わせずれ量とに基づいて、測定波長域での重ね合わせずれ量の信頼性に関わる指標を算出する算出手段２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 光軸方向の結像位置ずれに関わる分布情報を簡易的に得る。
【解決手段】 凸状または凹状のパターンの内マーク１Ａと、前記内マークと同一面上に前記内マークに対して対称かつ異なる間隔で形成された複数の凸状または凹状の外マーク１Ｂ〜１Ｄとを有する基板を結像光学系の物体面に配置し、前記基板を前記マークの中心の周りに前記結像光学系の光軸に垂直な面内で反転させる前後で、該内マークと該外マークの各段差位置との位置ずれ量を計測して、前記反転前後の位置ずれ量の平均値を算出する第１工程と、前記外マークのうち前記内マークに向かって立ち上がる各段差で計測された位置ずれ量の前記平均値の前記基板面での分布状態と、前記外マークのうち前記内マークに向かって立ち下がる各段差で計測された位置ずれ量の前記平均値の前記基板面での分布状態と、に基づいて、前記結像光学系の収差情報を生成する第２工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の合わせマーク、ならびに前記合わせマークを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の合わせマークは、絶縁層８０に設けられた凹部３８と、凹部３８に埋め込まれた導電層３２と、導電層３２上に設けられた酸化バリア層４２と、を含み、平面パターンにおける凹部３８の面積占有率が５％以上である。 （もっと読む）

【課題】被露光物と該被露光物の表裏両面側に配置されたフォトマスクとを正確に位置合せして被露光物の表裏両面を高精度に露光することのできる両面露光方法を提供する。
【解決手段】二つのフォトマスクを被露光物の表面側と裏面側に配置して被露光物１１の表裏両面を同時に露光する際に、被露光物１１に二つのアライメントマークＡＭ_１１を形成すると共に被露光物１１の表面側に配置されたフォトマスク１２Ａに二つのアライメントマークＡＭ_１２Ａを形成し、さらに被露光物１１の裏面側に配置されたフォトマスクに二つのアライメントマークＡＭ_１２Ｂを形成する。そして、これらアライメントマークが撮像装置１３の光軸上に位置するようにフォトマスク１２Ａ，１２Ｂの位置を調整した後、被露光物１１の表裏両面を露光するようにする。 （もっと読む）

【課題】
結像光学系の検出視野内にアライメントマークが複数存在するときにおいても、支障なくマーク位置を検出できる位置検出方法を提供する。
【解決手段】
基板Ｗ上のアライメントマークＡＭの位置を検出するにあたり、ラインアンドスペースパターンで形成され本来ライン部Ｌ，Ｌ，…の整列方向の位置関係からこの整列方向の座標をマーク位置として検出するために用いるアライメントマークであって、ライン部整列方向に複数のアライメントマークＡＭ，ＡＭ，…が所定間隔を置いて並んでおり、これを検出光学系３５の検出視野内３５ｆに収めたときに、いずれか１つのアライメントマークＡＭのライン部Ｌの両端ＹＴ，ＹＢの位置関係からライン部Ｌの整列方向に直行する方向の座標を求めてマークの位置検出を行う。 （もっと読む）

【課題】
複数の基板の位置測定を効率的に行う。
【解決手段】
ステージを水平移動して結像光学系の検出視野における測定有効範囲内に測定マークを収めて行う位置測定方法において、それぞれ同位置に測定マークを形成した複数の基板を順次載せ換えて所定の測定を行うようになっており、予め記憶された所定位置にステージが位置するようにステージ駆動機構を駆動させ（ステップＳ２）、ステージ移動後に測定マークから測定有効範囲までの距離を算出し、この距離を記憶するとともに所定位置にこの距離を加算して新たな所定位置を導出し（ステップＳ５）、測定マークが測定有効範囲を外れたときにステージを上記算出された距離だけ移動させて測定マークを測定有効範囲内に収めて所定の測定を行い、次の基板を載せたステージが上記導出された新たな所定位置に位置するようにステージ駆動機構を駆動させることを特徴としている。 （もっと読む）