【課題】エピタキシャル成長時の製造コストを高くすることなく、エピタキシャル成長層の形成後での重ね合わせ精度を向上することが可能な重ね合せ用のアライメントマークを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークＡＭ１１，Ａ１２が隣り合う間の凸部領域ＳＣ１の上方におけるエピタキシャル成長層ＥＰの表面には、第１アライメントマークＡＭ１１からのパターンダレと第２アライメントマークＡＭ１２からのパターンダレとが重なり合い、第１アライメントマークＡＭ１１および第２アライメントマークＡ１２の段差パターンの側壁に沿って並行に延びる凸部ＣＲ１が形成され、この凸部ＣＲ１に基づき、明確な光学的信号微分強度分布のピークＰＭ２を読取ることができる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマーカのコントラストを強める方法を提供する。
【解決手段】基板上にアライメントマークを作成する方法は、導電性ラインセグメントおよびスペースセグメントにセグメント化された複数のラインを形成し、それによりライン間にスペースを形成して基板の第１のレイヤ内に微小構造を形成することと、基板の第２のレイヤ内に複数の導電性トレンチを作成することと、複数のトレンチをラインセグメントと電気的に接触させ且つ複数のトレンチを少なくとも部分的にスペースセグメントに重ねることとを含む。 （もっと読む）

【課題】 選択可能な回折次数の放射のために様々な偏光成分に対する微細なラインパターンにより空間的に変化する反射特性を可能にするアライメントマークを製品にもたらすことである。
【解決手段】 製品の位置はその製品上のアライメントマークを使用して測定される。放射がアライメントマークに向かって伝送され、アライメントマーク内のパターンによって回折される。位置情報は回折された放射の位相関係から決定される。アライメントマークは、それから回折された放射が収集される相互に平行な導電体トラックのセットを備え、そのパターンは連続するトラックの間のピッチが、製品の表面に沿った位置の関数として変化するパターンによって決定される。したがって例えばパターンは、ピッチが第１および第２の値をそれぞれ有する交互となった第１および第２の領域を備える。第１および第２の領域のようなパターンの異なる部分においてトラックは互いに平行なのでより良い測定が可能である。 （もっと読む）

【課題】試験構造を有する基板上のダブルパターニング・オーバレイ誤差の計算の信頼性を改良する。
【解決手段】基板上の第一構造と第二構造の間のオーバレイを測定する方法が提供される。構造は、平行線などの等距離要素を備え、第一及び第二構造の等距離要素が交互になる。本発明によれば、第一構造の要素の設計幅ＣＤ₁は、第二構造の要素の設計幅ＣＤ₂と異なる。設計幅の差を使用して、不適切に測定されたオーバレイ誤差を有する測定点を識別することができる。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を抑えつつアライメントマークを適切に保護できる光半導体デバイスの作製方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１２となるウェハ上に半導体メサ１４となる半導体積層を形成する工程と、半導体メサ１４及びアライメントマーク５０の平面形状を含むエッチングマスクを用いて半導体積層をエッチングすることにより、半導体メサ１４及びマーク用メサを形成する第１のエッチング工程と、半導体メサ１４及びマーク用メサをＩｎＰ埋込領域２８で埋め込む工程と、マーク用メサ及びその周辺のＩｎＰ埋込領域２８をエッチングする第２のエッチング工程とを行う。第２のエッチング工程の際に、ＩｎＰを選択的にエッチングすることで、マーク用メサの一部を残存させてアライメントマーク５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】製品歩留りの向上を図った半導体ウェハ及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハは、同一区画が碁盤目状に形成され、上記各区画に製品となる半導体素子を形成する製品エリアと、上記半導体素子を形成するための半導体ウェハマスクの位置合わせに使用されるターゲットエリアとを有する。上記半導体素子は、半導体基板表面に設けられた第１金属電極と、上記第１金属表面に設けられた第２金属電極と、上記第２金属電極上に設けられたバンプ電極とが形成される。上記ターゲットエリアは、上記第１金属電極と、上記第１金属電極上に形成された第２金属電極とを形成する各工程で発生する第１位置合わせマークと、上記半導体基板表面に形成された酸化膜の厚さの段差により形成された第２位置合わせマークとを有する。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント技術を用いたデバイス製造におけるスループットの低下を抑制できる微細加工装置を提供することにある。
【解決手段】微細加工装置は、パターンを含む原版１を被転写基板３に押し付け、前記パターンを被転写基板３に転写するためのものであり、被転写基板３と原版１との相対的な位置ずれを計測するための第１の計測手段７と、第１の計測手段７により計測された前記位置ずれに基づいて、前記パターンが被転写基板３の所定の位置に転写されるように、原版１と被転写基板３との相対的な位置を補正するための位置補正手段９と、位置補正手段９により原版１と被転写基板３との相対的な位置が補正された状態で、原版１を被転写基板３に押し付けるための押し付け手段と、被転写基板３に転写された前記パターンと、被転写基板３に予め形成されたパターンとの相対的な位置関係を計測するための第２の計測手段２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 位置決めの正確さおよび／または強健性が改善されたリソグラフィ投影装置のアライメント・システムを提供する。
【解決手段】 リソグラフィ装置の位置決めシステムは、位置決め放射線源１、第１検出器チャネルおよび第２検出器チャネルを有する検出システム、および検出システムと連絡する位置決定ユニットを有する。位置決定ユニットは、第１および第２検出器チャネルからの情報を組み合わせて処理し、組み合わせた情報に基づいて、第２オブジェクト上の基準位置に対する第１オブジェクト上の位置決めマークの位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターンで形成されたパターンに新たなパターンを重ね合わせて露光して、新たなパターンを形成する際、重ね合わせ精度を向上させると共に、露光及び重ね合わせ計測処理時間を短縮することができるアライメントマークを形成できるようにする。
【解決手段】アライメントマークは、第３のマスクの位置合わせを行うために、被処理膜に、第１の図形要素を有する第１のマスク及び第２の図形要素を有する第２のマスクを用いて形成される。このようにして形成されるアライメントマークは、複数で且つ同一形状の第３の図形要素を備え、第３の図形要素の一の辺は第１の図形要素により形成され、他の辺は第２の図形要素により形成されている。 （もっと読む）

【課題】露光装置の位置検出装置の光学系の特性計測用のマークを正確に形成すると共に、その光学系の収差等を高精度に補正する。
【課題を解決するための手段】マークを検出する位置検出装置の調整方法であって、調整用のウエハ１１Ａ上で計測方向に凹部３３ａ，３５ｂと凸部３３ｂ，３５ａとが交互に周期的に配列されると共に、互いにその凹部とその凸部とを反転した形状の２個のマークＨＭ１，ＨＭ２を近接して形成しておき、照明系によってマークＨＭ１，ＨＭ２を照明し、検出用光学系を介して計測されるマークＨＭ１，ＨＭ２の間隔に基づいてその照明系の所定の光学特性を調整する。 （もっと読む）

【課題】作製が簡単であり、認識が容易であるアライメントマークを用いたアライメント方法を提供する。
【解決手段】アライメントマークは、暗部を形成する凹凸領域と、明部を形成する平坦領域からなる。凹凸領域は、アライメントマーク認識装置が前記アライメントマークを認識するとき、凹凸領域を形成する凹部または凸部のエッジ部が暗く認識される幅の２倍と、前記アライメントマーク認識装置の認識限界幅の合計幅以下の幅を有する。平坦領域は、アライメントマーク認識装置がアライメントマークを認識するとき、平坦領域の両側に形成されるエッジ部が暗く認識される幅を除きアライメントマーク認識装置が認識するために必要とする幅以上の幅を有する。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンの繋ぎ合わせにより当該マスクパターンのサイズよりも広域なパターン像を形成する場合に、パターン同士の繋ぎ精度を高めることを可能にする。
【解決手段】繋ぎ合わせる二つのマスクパターンにより重複して露光される重複露光領域２を確保し、前記二つのマスクパターンの一方に測定マーク３を構成する主マーク３ａと他の測定マーク４を構成する副マーク４ｂとを配し、前記二つのマスクパターンの他方に前記測定マーク３を構成する副マーク３ｂと前記他の測定マーク４を構成する主マーク４ｂとを配し、前記重複露光領域２に前記測定マーク３および前記他の測定マーク４を形成し、各測定マーク３、４における主マーク３ａ．４ａと副マーク３ｂ，４ｂとの組み合わせ態様に基づいて前記二つのマスクパターンによるパターン繋ぎ合わせの位置ズレ測定を行う。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイを測定する方法、及び、オーバーレイ測定に使用するターゲットであって、基板上の所要スペースが少なくかつ測定方向間のクロストークを防ぐターゲットを提供する。
【解決手段】スキャトロメータと共に使用するオーバーレイマーカは、重なり合う二つの２次元格子を有する。この二つの格子は同一のピッチを有するが、上方の格子のデューティ比は、下方の格子のデューティ比に比べて小さい。このようにすることで、Ｘオーバーレイ測定値とＹオーバーレイ測定値の間のクロストークを防ぐことができる。格子は、直接重なり合っていてもよく、あるいは、一方向又は二方向で交互に配置されるようにずれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】側壁転写プロセスにおけるプロセス変動を高精度にモニターできるプロセスモニターマークを用いたプロセスモニター方法を提供すること。
【解決手段】プロセスモニター方法は、半導体回路に形成される配線のピッチの２倍のピッチのラインアンドスペースパターンA1,A2をスペースパターンA0或いは残しパターンを挟んで対に備えたレジストパターンであるプロセスモニターマークを、半導体回路の形成領域とは異なる箇所に形成し、対に備えられたラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離を測定し、ラインアンドスペースパターンのラインパターンを細らせるスリミングを行い、スリミングの後に対に備えられたラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離を測定し、スリミング前後のラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離の変化量に基づいてラインパターンのスリミングによる寸法変化量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 従来技法の欠点を解決すべく非対称なターゲットの測定やモデル化、ターゲットジオメトリ（幾何学構造）の特殊な設計および/または微妙な調整を可能にするアライメントシステムを提供すること。
【解決手段】 １つまたは複数のサブターゲットをアライメントターゲット上に形成することによってアライメントターゲットにジオメトリデザインを持たせ、アライメントシステムにより１つまたは複数のサブターゲットの全てに関してアライメントを実施し、プロセスのキャラクタライズとアライメントシステムのアライメントの計算のためのアルゴリズムを使用する。 （もっと読む）

【課題】従来の酸化物バフ方法を適用する必要なく、傷のないアライメントマークを生成することのできる方法を提供する。
【解決手段】凹所を構成するべく酸化物層および犠牲層が処理される。凹所は充填材で充填される。凹所の充填中、犠牲層上に充填材層が形成される。充填材層は、化学機械研磨によって除去される。凹所の充填および充填材層の除去中、犠牲層によって酸化物層が保護される。次に、エッチングによって犠牲層が除去される。これにより、突起を備えた、傷のない酸化物層が提供される。突起を備えた酸化物層が導電層で覆われ、それにより突起が酸化物層を貫き、関連する突起が形成される。これらの関連する突起によってアライメントマークが形成される。 （もっと読む）

【課題】下地基板上に複数の層が積層された半導体装置を製造するに当たり、同一のパターンが形成される場合に、一つのマスクを共通して用いる。
【解決手段】下地用マスク１１は、マーク領域３４に第１アウターマーク用パターン４１と、第１アウターマーク用パターンを行方向にｓ×（Ｘ１＋ｄＸ）、又は、−（ｎ−ｓ）×（Ｘ１＋ｄＸ）移動し、かつ、列方向にｔ×（Ｙ１＋ｄＹ）、又は、−（ｍ−ｔ）×（Ｙ１＋ｄＹ）移動した位置に第２アウターマーク用パターン４６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー後の重ね合わせずれ検査を正確に実行して、重ね合わせずれ検査結果に誤差が含まれることを極力防止する。
【解決手段】本発明の重ね合わせ計測方法は、半導体の製造工程において重ね合わせて形成される第１の層と第２の層との間のずれ量を計測する方法であって、下地マークに対し内側または外側に前記下地マークと同形状のレジスト像を形成してなるオーバーレイマークに光を照射し、前記オーバーレイマークからの回折光を受光し、この受光信号の強度に基づいて重ね合わせずれ量を計測する方法において、前記オーバーレイマークをウエハ面内の重ね合わせずれ測定箇所に、ウエハのダイシングラインに対して回転配置し、ウェハ中心と前記重ね合わせずれ測定箇所を結ぶ線に対し、測定線が垂直になるオーバーレイマークだけを測定して重ね合わせずれ量を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】各層のパターン間の位置ずれを、それぞれ誤差の量や方向のばらつきが小さく検知することが可能であるとともに、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができ、さらに、多層薄膜上におけるオーバーレイマーカーの占有面積を小さく抑えることが可能な、多層薄膜から成る多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置を提供する。
【解決手段】各層のパターン６２，６６，７０間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカー６２ａ，７０ａ，６６ａを各層に備え、少なくとも一つの層の特定のオーバーレイマーカー７０ａの観測位置から、その層とは異なる複数の層のオーバーレイマーカー６２ａ，６６ａを観測可能となるねらいで、オーバーレイマーカー６２ａ，７０ａ，６６ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】円筒状または円柱状のマスクの位置情報を正確に取得でき、基板上にパターン像を良好に形成することができるマスクを提供する。
【解決手段】マスクＭは、パターンＭＰが形成され所定軸Ｊの周りに配置されたパターン形成面ＭＦと、パターン形成面に形成されたパターンからなり、パターンは外周面の周方向に複数形成され、パターン形成面の所定領域にパターンに対して所定位置関係で形成された位置情報を取得するためのマークとを備えている。 （もっと読む）