【課題】本発明は、光ビーム方式において発生する被描画体の描画パターンの変形を簡単な方法で、短時間で補正できる露光装置及び露光方法を提供する、あるいは、本発明の露光装置または露光方法を用いることでスループットの高い表示用パネル基板製造装置または表示用パネル基板製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、光ビームを光ビーム照射装置で照射し、前記基板へ描画する描画データを作成し、前記基板にパターンを描画するに際し、前記基板に設けられた複数のアライメントマークを撮像し、前記描画データの作成は、前記描画する描画点に対応して前記複数のアライメントマークで結ぶ辺に対して予め規定される前記描画点の座標比率に基づいて前記描画点の位置を決め、前記描画データを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転写条件の調整を高精度に行うことができるとともに高スループット化を可能とすること。
【解決手段】基板に第一パターン、第二パターン及び第三パターンを重ねて転写する露光方法であって、基板に第一パターンを所定の転写条件で転写する第一転写ステップと、転写された第一パターンのパターン情報を計測する第一計測ステップと、第一パターンのパターン情報に関する第一計測結果に基づいて転写条件を調整する第一調整ステップと、調整された転写条件で基板に第二パターンを転写する第二転写ステップと、転写された第二パターンのパターン情報を計測する第一計測ステップと、第二パターンのパターン情報に関する第二計測結果と、第一計測結果とに基づいて転写条件を調整する第二調整ステップと、調整された転写条件で基板に第三パターンを転写する第三転写ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】原版と基板とのアライメントとの点で有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】原版に形成された第１のマーク、及び、前記原版を介して前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークを検出する第１の検出部と、前記原版を介さずに第２のマークを検出する第２の検出部と、前記原版のパターンを前記基板に転写するための処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記第２の検出部による前記第２のマークの検出結果の一部を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す統計量を求める処理と、前記複数のショット領域のそれぞれについて、前記統計量から求められる前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークの位置と、前記第２の検出部によって検出された前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークの位置との差分を求める処理と、を行う。 （もっと読む）

【課題】 マスクレス露光工程で仮想のマスクを用いてレイヤ別にオーバーレイする方法を通してマスクレス積層露光を行うことができる整列方法を提案する。
【解決手段】 マスクレス露光で既存のマスク露光のマスクと同一の役割をする仮想のマスクという概念を導入し、既存のマスク露光の整列マークと同一の役割をする仮想のターゲットマークという概念を導入してレイヤ別にオーバーレイを行うことによって、マスクレス露光でも積層露光を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの位置の検出精度を低下させることなくアライメントマークの位置の検出に要する時間を短縮することが可能なアライメントマークの検出方法および配線回路基板の製造方法を提供する
【解決手段】カメラ６２により得られる画像の範囲内にアライメントマークＡＭが存在しない場合に、画像の範囲内に存在する識別マークおよび予め記憶されたアライメントマークＡＭと識別マークとの位置関係に基づいてアライメントマークＡＭの座標が算出される。算出されたアライメントマークＡＭの座標に基づいてカメラ６２の撮像範囲内にアライメントマークＡＭが位置するために長尺状基材１００ａを移動させるべき距離が算出され、長尺状基材１００ａが算出された距離移動される。 （もっと読む）

【課題】インライン化されたリソグラフィ工程における半導体装置の製造システム及び製造方法における生産性向上を図ることを課題とする。
【解決手段】カセットＥからのウエハをインライン化した半導体装置の製造システムでリソグラフィ処理する場合、１枚目のウエハは塗布装置Ａを素通りさせ、直接露光装置Ｂに投入し最適化アライメト作業がなされる。本作業となる２枚目以降のウエハは順次、塗布装置Ａに投入され１枚目のウエハの最適化アライメト作業と並行して塗布処理が行われる。露光装置Ｂの最適化アライメト作業条件が決定した後に２枚目のウエハを露光装置Ｂに投入する。露光装置Ｂの最適化アライメト作業条件は２枚目のウエハにフィードバックされるので２枚目のウエハの露光処理時間の短縮が図れる。１枚目のウエハはＸ枚目の最後のウエハに連続して処理される。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出条件を最適化する。
【解決手段】 アライメント検出系ＡＳを用いてウエハＷ上に形成されたアライメントマーク（ＥＧＡマーク又はサーチマーク）が複数の照明条件及び結像条件で検出され、得られた検出信号が複数のフィルタ処理を用いて解析され（ステップ３０２〜３０６）、その解析結果に基づいて複数のフィルタ処理の処理条件を含む複数の照明条件及び結像条件以外の検出条件が最適化される（ステップ３０８〜３１４）。これにより、アライメントマークの検出条件を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】転写ショット毎に合わせずれ検査を行うための検査方法、検査プログラム、及び検査装置、並びに、検査の所要時間を短縮するための検査装置選択方法、検査装置選択プログラム、及び検査装置選択システムを提供する。
【解決手段】転写ショットＴＳ毎に異なる配置の複数の検査マークＭを用いて、ウェハＷとレチクルとの合わせずれを検査する方法は、転写ショットＴＳ上の複数の検査マークＭを計数し（Ｓ４０１）、その結果に基づいて、転写ショットＴＳの線形補正をする第１補正パラメータｋ_ｉを算出するための複数の第１補正式の中から１つを選択し（Ｓ４０２）、第１補正パラメータｋ_ｉを算出し（Ｓ４０３）、ウェハＷの線形補正をする第２補正パラメータＰ_ｉｍｎを第２補正式に第１補正パラメータｋ_ｉを代入することによって算出し（Ｓ４０４）、第１補正パラメータｋ_ｉ及び第２補正パラメータＰ_ｉｍｎをアライメント補正値として出力する。（Ｓ４０５） （もっと読む）

【課題】パターンの高い重ね合わせ精度を維持する。
【解決手段】ＥＧＡ最適化シミュレーションにおいて、１回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、２回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、を用いてアライメント処理パラメータが最適化される（ステップＳ３８、Ｓ３９、Ｓ４２，Ｓ４３）。これにより、ダブルパターニング法を利用してウエハ上にパターンを形成する場合においても、パターンの高い重ね合わせ精度を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】オンアクシズカメラ以外にカメラを用いることなく半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定することができる測定方法を提供する。
【解決手段】露光装置１０を用いて、半導体装置が形成されない外周部分の表面にアライメントマークが形成されている半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定する測定方法であって、投光手段２４により感光性膜が反応する光を照射するとともにオンアクシズカメラ２２で半導体ウエハ４０の表面を撮影しながら移動手段によってステージを移動させることによってオンアクシズカメラの撮影範囲内の基準位置にアライメントマーク４２を移動させ、基準位置にアライメントマークが存在しているときのステージの位置を位置検出手段２６によって検出する。 （もっと読む）

【課題】マスクとプレートとの間の高精度な位置合わせが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】マスクの上に配置されたマスクマークとプレートの上に配置されたプレートマークとの間の位置合わせを行う露光装置であって、マスクマーク及びプレートマークを同時に計測して画像を取得する画像計測装置と、画像計測装置により取得された画像からマスクマークとプレートマークとの間の相対的な位置誤差を算出する位置誤差演算装置と、画像計測装置による画像取得期間中に、マスクを搭載したマスクステージ又はプレートを搭載したプレートステージの駆動目標位置に対する位置偏差を計測する偏差計測装置と、偏差計測装置により得られたマスクステージ又はプレートステージの位置偏差と、位置誤差演算装置により得られた位置誤差とを用いて、マスクマークとプレートマークとの間の位置合わせを行うための補正量を算出する補正量演算装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置の処理能力を大きく損なうことなく、重ね合わせ精度を向上させる方法及び装置を提供する。
【解決手段】露光条件を最適化するために基板の露光時に基板上の位置合わせ標識を検査する。基板１０が露光及び位置合わせユニット１５の真下で走査を受けるとき、基板のそれぞれの部分が最初に検出器ユニット１６の下方を通過し、次いで露光ユニット１７の下方を通過する。したがって、基板１０のそれぞれの部分に関して検査器ユニット１６によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット１７に伝達可能であり、基板が露光ユニット１７の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の位置合わせ（ウエハアライメント）を短時間で行うことができる技術を提供する。
【解決手段】ステージ５０に保持された基板４０に形成されたマークからの光を検出する複数の領域が第１の方向に配列されたセンサ７０４と、ステージを駆動する第１の駆動部６０と、センサに入射するマークＡＭからの光が第１の方向に沿って移動しながら、複数の領域に順に入射するように、ステージを基板の高さ方向に直交する第２の方向に駆動しつつ、ステージを基板の高さ方向にも駆動するように、第１の駆動部を制御する制御部８０と、センサからの信号を処理する処理部９０と、を有し、処理部は、信号によって与えられる第１の方向に沿った光強度の分布において、ピークを示す基板の高さ方向の位置を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォーカス値の測定時間を短縮し、かつ正確なフォーカス値を得ることができる半導体装置の製造方法及び露光装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ３上に形成されたレジスト６より下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、反射率が低い第１の領域３１について得られたフォーカス値に、前記第１の領域３１よりも反射率が高い第２の領域３２について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う。 （もっと読む）

【課題】マスクと基板との位置合わせを安定して処理可能な露光技術を提供する。
【解決手段】 アライメントマークを使用してマスクに対し処理基板を移動させて当該マスクと処理基板との位置合わせをして露光を行う技術である。画像でのマスク側のアライメントマークＭ２の画素数が、予め設定した基準閾値と一致若しくは当該基準閾値以上となるように撮像装置１６の焦点を調整してマスク側の基準位置を演算する。同様にして、基板側の基準位置を演算する。上記演算したマスク側の基準位置を基準として、マスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるまで、上記処理基板側のアライメントマークＭ１の画像を取得して当該処理基板側の基準位置を演算する処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】
例えば、ウエハの温度分布が不均一であっても重ね合わせ精度の点で有利な露光装置を提供する。
【解決手段】
基板上の複数のサンプルショットの位置を計測し、計測された前記位置に基づいてショットの配列を算出し、算出された前記配列に従って各ショットを位置決めして露光する露光装置であって、前記基板の表面の温度分布を計測する計測手段と、前記計測手段により計測された前記温度分布に基づいて前記表面の部分領域を特定し、前記部分領域に関して、複数のサンプルショットを選択し、選択された前記複数のサンプルショットの計測された位置に基づいてショットの配列を算出する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 プリアライメントの誤計測をプリアライメント計測時に確実に検出して、露光装置の生産性の低下を防止する。
【解決手段】 基板に設けられた複数のショットから選択されるショットに形成されたマークをプリアライメント計測し、当該プリアライメント計測の結果に基づいて前記複数のショットから選択されるショットに形成されたマークをファインアライメント計測し、当該ファインアライメント計測の結果に基づいて基板を位置合わせしながら、前記複数のショットを順に露光する露光装置であって、前記プリアライメント計測されるショットに形成されたマークを検出する検出器と、前記プリアライメント計測を制御する制御器と、を備え、前記複数のショットのそれぞれには、複数のマークが形成されており、前記検出器は、２つのマークを検出し、前記制御器は、前記検出器により検出された２つのマーク間の距離が許容範囲内か否かに基づいて、前記プリアライメント計測に誤計測が含まれているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】
例えば、アライメント計測エラーが発生した場合にスループットの点で有利な露光装置を提供する。
【解決手段】
基板を保持して移動するステージを有し、前記ステージに保持された基板に形成されたアライメントマークを照明してその位置を計測し、計測された前記位置に基づいて前記基板を位置決めして露光する露光装置において、前記アライメントマークに対する複数の照明条件を予め設定し、前記複数の照明条件のうちの第１の照明条件でのアライメント計測エラーの発生に基づいて、前記第１の照明条件を前記複数の照明条件のうちの第２の照明条件に変更する制御手段を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い位置合わせ精度を満たすために位置合わせ時間が増加した場合においても生産性を低下させない露光装置を提供する。
【解決手段】基板を保持して移動する基板ステージと、ショットのアライメントマークの位置を計測する位置計測手段と、基板の高さを計測する高さ計測手段と、を有し、これらの計測結果にしたがって基板ステージを位置決めして基板を露光する露光装置において、基板上の一部のショットに関してショット内の複数の計測箇所で高さ計測手段に高さの計測を行わせてショット表面の形状を算出し、各ショットのアライメントマークの位置を位置計測手段に計測させてショットの配列を算出し、アライメントマークの位置の計測に並行して高さの計測を行い基板の表面の形状を算出する処理手段を有する。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ測定の精度を向上できる重ね合わせ測定マークを提供する。
【解決手段】第１パターンと第２パターンの重ね合わせ測定のためのマークにおいて、プラグ用ホールの開口パターンからなる第１パターンが形成された層間絶縁膜に該プラグ用ホールと同時に形成された第１ホールの開口パターンからなる第１マークと、前記層間絶縁膜に第１ホールと同時に形成され、前記プラグ用ホールの開口サイズと同程度で且つ第１ホールの開口サイズより小さい開口サイズを有する第２ホールの開口パターンからなる第２マークと、前記層間絶縁膜上の導電膜上に形成されたレジスト膜をパターニングして第２パターンと同時に形成されたレジストパターンからなる第３マークを含む構成とする。 （もっと読む）