【課題】光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、基板の熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制する熱処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを加熱することができる波長の光を照射する複数の発光ダイオード５３を備える加熱源５０と、加熱源５０から照射された光により加熱され、その熱をウエハＷに伝達する伝熱板４０と、を備える。伝熱板４０の加熱源と対向する面に、発光ダイオード５３から照射される光の反射を抑制する反射防止層例えば凹凸面４７を形成する。 （もっと読む）

【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持部７に保持される。チャンバー６内の雰囲気置換が行われた後、光照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。フラッシュ光照射と同時に、光照射部５のハロゲンランプＨＬによる光照射も開始する。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温することができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】露光後ベーク処理時における酸の拡散長を短く抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】パターン露光処理が行われた基板ＷがフラッシュベークユニットＦＬＢに搬送される。冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して瞬間的に加熱し、パターン露光時の光化学反応によってレジスト膜中に生じた活性種を酸触媒としてレジスト樹脂の架橋・重合等を進行させ、レジスト膜の現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させる露光後ベーク処理を行う。フラッシュ光照射によるフラッシュ加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理であるため、露光後ベーク処理時における酸の拡散長を短く抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、ＬＥＤチップを含む紫外線照射ユニットを連続して効率的に冷却することが可能な紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】ハウジング１２０は、冷却水導入部１２８および冷却水排出部１２６を少なくとも有する。複数のＬＥＤチップ４０のそれぞれは、発光素子４２、アノード電極４６、およびカソード電極４４を少なくとも有する。冷却ブロック５０は、導電性部材から構成されており、カソード電極４４を含むＬＥＤチップ４０におけるアノード電極４６以外の箇所に当接するように構成される。また、冷却ブロック５０は、少なくとも一部が接地されるように構成される。冷却部材５０は、冷却水導入部１２８および冷却水排出部１２６に水密的に接続され、冷却水導入部１２８および冷却水排出部１２６を連通するように構成された冷却水通過孔５２を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱または冷却する熱処理装置において、基板を支持する支持ピンの数を抑えつつ基板を安定して支持する。また、複数の熱処理装置を有する熱処理システムにおいて、各熱処理装置の支持ピンが基板の同じ位置に接触することを防止する。
【解決手段】支持ピン１２は熱処理装置１のプレート１１の穴３に挿入される挿入部２１、および、基板９に接触する２つの突起２２を備え、挿入部２１の雄ネジ部２１２が穴３の雌ネジ部３２に螺合される。熱処理装置１では、各支持ピン１２が基板９の２箇所に接触するため、支持ピン１２の数を抑えつつ基板９を安定して支持することができる。また、熱処理システムでは、突起２２が並ぶ方向が一定とはされず、熱処理装置間にて基板９の同じ位置に支持ピン１２が接触することが防止される。 （もっと読む）

【課題】装置の設備コスト及び設置スペースを削減し、スループットを向上させ、薬液の使用効率も向上させることが可能な薬液の塗布固化装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に薬液を塗布して固化させる塗布固化装置２において、外部の搬送機構７０によって被処理体が搬出入される搬出入口１０を有する処理容器４と、処理容器内に設けられて被処理体を載置する載置台２４と、搬出入口を開閉する開閉シャッタ部１２と、搬出入口の外側に設けられて被処理体の表面に薬液を塗布する塗布機構４４と、処理容器に設けられて被処理体の表面に塗布された薬液を固化させて薄膜を形成する固化手段２６とを備える。これにより、薬液の塗布機能と塗布された薬液を固化する固化機能とを一体化した装置で行うようにし、この結果、装置の設備コスト及び設置スペースを削減する。 （もっと読む）

【課題】 露光によるレジストパターンの形成においては、波長によって微細化に限界がある。この限界を超えるとともに、パターン形状に優れ、かつ清浄なレジストパターンを有する半導体の製造方法を得る。
【解決手段】 露光により酸を発生する材料を含む第１のレジストパターン１ａ上を、不飽和結合もしくは水酸基を有し、酸の存在で架橋する樹脂を含む第２のレジスト２で覆う。露光により第１のレジストパターン１ａに架橋層４を形成して現像することにより、第１のレジストパターン１ａよりも太った第２のレジストパターン２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】加熱室に搬入した際に基板表面に生じる初期温度分布の影響を低減して、基板全体を均一に加熱することの可能な加熱装置等を提供する。
【解決手段】加熱装置は、基板（ウエハＷ）の搬入された際にこの基板表面に初期温度分布を生ずる加熱室３を備えている。温度分布付与手段（加熱ランプ２）は、待機位置（冷却プレート４）にて待機する加熱室３に搬入される前の基板の表面に、前記初期温度分布を緩和するような搬入前温度分布を付与する。 （もっと読む）

【課題】基板の塗布乾燥処理のスループットを向上する。
【解決手段】直線的な搬送ラインＡ上に，レジスト塗布処理ユニット２４と２つの減圧乾燥ユニット２５，２６を連続して設ける。レジスト塗布処理ユニット２４において，２枚のガラス基板Ｇ１，Ｇ２が前後に連続してノズル８０の下方を通過し連続してレジスト液が塗布される。初めにレジスト液の塗布が終了したガラス基板Ｇ１は，搬送ラインＡに沿ってコロ搬送され，減圧乾燥ユニット２５を通過し，減圧乾燥ユニット２６において減圧乾燥される。次にレジスト液の塗布が終了したガラス基板Ｇ２は，搬送ラインＡに沿ってコロ搬送され，減圧乾燥ユニット２５において減圧乾燥される。減圧乾燥の終了したガラス基板Ｇ１は，搬送ラインＡに沿って下流側の加熱処理ユニットに搬送され，ガラス基板Ｇ２は，減圧乾燥ユニット２６を通過して加熱処理ユニットに搬送される。 （もっと読む）

【課題】複数の被加熱物を収容したマガジン単位での装入、熱処理および取り出しが可能であって、温度分布の均一性およびクリーン度の安定性にも優れた加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１０は、断熱材で形成された箱体状の外部炉体１１内に対向配置された二つの加熱用側壁１２の間に形成されたマガジン収容室１３と、このマガジン収容室１３の背面側に配置された加熱用背壁１４と、発熱手段として加熱用側壁１２および加熱用背壁１４にそれぞれ設けられたプレートヒータ１２ｈ，１４ｈと、マガジン収容室１３の正面側の加熱用側壁１２から離れた位置に開閉可能に配置された扉体１５と、この扉体１５とマガジン収容室１３との間に配置された補助扉体と、を備えている。扉体１５は複数の蝶番１５ａによって回動可能に軸支され、扉体１５を閉止状態に保つためのロック機構１５ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】個々の基板または所定枚数の基板群に対して適切な内容の基板処理を施すこと。
【解決手段】この基板処理装置は、基板に対して処理を施すための処理ユニット１１〜１４と、基板処理の内容（処理手順、処理条件）を表すレシピデータを保持するメインコントローラ５１とを備えている。処理ユニット１１〜１４には、メインコントローラ５１と通信可能に接続されたユニットコントローラ４１〜４４と、当該処理ユニットに供給されて処理される個々の基板毎または所定枚数の基板群毎の状態に関連する状態パラメータを検出する状態パラメータ検出手段とが設けられている。ユニットコントローラ４１〜４４は、メインコントローラ５１からレシピデータを受信し、そのレシピデータに対して、状態パラメータ検出手段による検出結果に応じた補正を施して、最終実行レシピデータを作成する。この最終実行レシピデータに従って基板処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】 パターン寸法の変化を招くことなく、ラインエッジラフネスの低減をはかる。
【解決手段】 被処理基板１１上に化学増幅型のレジストを塗布し、塗布後ベーク・露光・露光後ベーク・現像・リンス・乾燥処理することによって、レジストパターンを形成する方法であって、露光後ベーク時に被処理基板１１を、該基板１１の表面に平行で且つ時間と共に方向が相対的に変化する電界が存在する環境に置く。 （もっと読む）

【課題】 所望のレジストパターン寸法が得られるウェーハの熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハ１１と離間して対向し、昇降自在な複数の発熱体１２を有する加熱ステージ１３と、複数の発熱体１２をそれぞれ支持すると共に、複数の発熱体１２を昇降してウェーハ１１との距離を可変する支持手段１４と、ウェーハ１１と加熱ステージ１３の基準面との距離を検出する距離検出手段１５と、距離検出手段１５からの信号に基づいて、支持手段１４に複数の発熱体１２とウェーハ１１間の距離を調整する制御信号を送出する制御手段１６と、を具備する。
ウェーハ１１の反りによる発熱体１２とウェーハ１１間の距離のばらつきを補正して、ウェーハ１１を均一に加熱する。 （もっと読む）

【課題】 複数のユニットを備えた基板の処理システムにおいて，多様な基板の処理レシピに柔軟に対応し，基板間の処理時間差や基板の搬送待ち時間を低減する。
【解決手段】 第１のブロックと第３のブロックには，複数の熱処理ユニットが積層され，上下の熱処理ユニットは組になって一体化されている。第２のブロックには，複数の液処理ユニットが水平方向に配列されている。第１と第３のブロックの熱処理ユニットには，搬送装置が設けられている。各組の双方の熱処理ユニットは上下動自在であり，同じ熱処理ユニットとの間でウェハＷを授受できる。第２のブロックの液処理ユニットは水平方向に移動自在であり，隣り合う２つの液処理ユニットは同じ熱処理ユニットとの間でウェハＷを授受できる。第１と第３のブロックの熱処理ユニットと第２のブロックの液処理ユニットが相対的に移動して，ブロック間でウェハＷを搬送できる。 （もっと読む）

【課題】 露光装置において基板に付着した液体による動作不良が防止された基板処理装置を提供することである。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、乾燥処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。インターフェースブロック１４に隣接するように露光装置１５が配置される。乾燥処理ブロック１３は乾燥処理部８０を備える。インターフェースブロック１４はインターフェース用搬送機構ＩＦＲを備える。露光装置１５において基板Ｗに露光処理が行われた後、基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲにより乾燥処理部８０に搬送される。乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】スループットの良好な基板処理システムを提供することを目的とする。
【解決手段】基板処理システム２においては、塗布モジュール１０ａ、露光装置２０ａ、現像モジュール３０、露光装置２０ｂ、塗布モジュール１０ｂが順に並んで配置されている。レジスト塗布、露光、現像といった一連の基板処理を行う際に、塗布モジュール１０ａから露光装置２０ａを経て現像モジュール３０への搬送方向および塗布モジュール１０ｂから露光装置２０ｂを経て現像モジュール３０への搬送方向の２通りの一方通行搬送が行われる。塗布モジュール１０ａと露光装置２０ａの間の基板の搬送と、露光装置２０ａと現像モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉することがなく、同様に、塗布モジュール１０ｂと露光装置２０ｂの間の基板の搬送と、露光装置２０ｂと現像モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉することがないため、スループットが向上する。 （もっと読む）

【課題】 カセットステーションとプロセスステーションとの間で搬送機構を介して基板のやりとりを行うシステムにおいてタクトタイムの大幅な改善を実現する。
【解決手段】 搬入ユニット（ＩＮ）１２０および洗浄プロセス部２５には、棒状のコロ１６０を所定のピッチで配置してなる第１の搬送路１６２が敷設されている。搬入ユニット（ＩＮ）１２０には、搬送ユニット２０の搬送機構２２から一度に２枚の基板Ｇ_i，Ｇ_i+1を水平状態で同時に受け取って一時的に支持する一時支持部１６８と、この一時支持部１６８から基板Ｇ_i，Ｇ_i+1を順番に１枚ずつ搬送路１６２上の所定位置にローディングする移載機構１７０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 構造を簡単にし、大型の基板を熱処理する場合にも基板の処理温度の面内均一性を図ると共に、製品歩留まりの向上を図れるようにすること。
【解決手段】 被処理基板Ｇを熱処理する処理容器６０内に収容され、被処理基板Ｇの下面全域に接触する液状の熱媒体７０と、熱媒体７０を所定の処理温度に温調する熱源例えばヒータ８０とを具備する。これにより、熱媒体７０上に被処理基板Ｇを浮上させると共に、被処理基板Ｇの下面全域に熱媒体７０を接触させた状態で、基板Ｇに熱媒体７０から熱を伝達して熱処理を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】 感光基板を所定温度に温調する場合に、感光基板に付着したゴミの影響を回避して、高い露光精度を確保することができる基板温調装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の支持ピンにより基板Ｗを保持する基板保持板に基板Ｗを載置するに先立って、基板Ｗを支持しつつ所定温度に調温する基板温調装置２０において、支持ピンが基板保持板上で基板Ｗを支持する位置に対応して凹部２２が形成された基板支持面２３を有するとともに、所定温度に温調される基板温調板２１を備える。
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【課題】 ＰＥＢ工程を行う前にフォトレジスト内のガスを抜くことにより、ガスによる被エッチング物の形状異常の発生を抑制し、かつ、ＰＥＢ工程による線幅制御性を確保することができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】 露光工程を終了した半導体基板１をＰＥＢ室５に配置されたヒータプレート７により、フォトレジスト３が硬化する温度よりも低い温度ＷＴ１に加熱し、ｔａ時間放置する。これにより、フォトレジスト３に含まれている溶剤などから発生するガスを、フォトレジスト３が硬化する前に抜くことができる。従って、ガスによりフォトレジスト３が膨張したり、ガスが、マスクされたフォトレジスト中に侵入したりすることがなくなるので、フォトレジスト３の形状が変化してしまい、被エッチング物の線幅性が低下してしまうおそれがない。 （もっと読む）