【課題】基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】基板９を加熱処理するチャンバ４内の気流を、基板９の位置に応じて変化させる。基板９の搬入時には搬入口４１からチャンバ内に流入する気流を形成する。基板９がチャンバ４内にて加熱される際は、排気口５１ａおよび５１ｂから排出される気体の量を制御することにより、基板９の中央部から端部方向に向かう気流を形成する。これにより、基板９の前端面および後端面は、加熱プレート２により加熱された気体による熱の影響を受けにくい状態で搬送される。その結果、基板９の加熱均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】加熱板に基板を載置して加熱するにあたり、例えば１ｍｍ以下といった小さな微小物体が加熱板の表面に付着している場合であっても、当該微小物体に基板が乗り上げたか否かを検出すること。
【解決手段】ウエハＷを載置するための加熱板１１について、水平方向に互いに離間するように複数のヒータ１２を設けると共に、これらヒータ１２に対応するように温度センサ１３を配置する。そして、設定温度に設定された加熱板１１上にウエハＷを載置した後、加熱板１１の温度がウエハＷに吸熱されて下降し始めてから前記設定温度に戻るまでの間に測定された温度センサ１３の温度測定値について標準偏差を算出し、この標準偏差と予め設定したしきい値とを比較する。 （もっと読む）

【課題】現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができるウエハ載置機構及びウエハ載置ステージ、並びに、このようなウエハ載置ステージを用いたレジスト形成装置を得る。
【解決手段】ウエハの処理を行う際に該ウエハを支持するウエハ載置ステージ１００ａにおいて、ウエハを支持するための載置ステージ本体１１１と、該載置ステージ本体上に、該載置ステージ本体の表面に密着するよう、該載置ステージ本体に着脱自在に設けられ、該ウエハを載置するためのスペーサ部材１１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】気流制御を通して基板を均一に加熱することが可能な加熱処理装置およびこれを備える塗布現像装置を提供する。
【解決手段】基板を収容可能で、前記基板Ｓが通過する第１の搬入口６２Ｉおよび第１の搬出口６２Ｏを有する筐体と、前記第１の搬入口６２Ｉから前記第１の搬出口６２Ｏへ向かう方向に前記基板Ｓを搬送する第１の搬送機構と、前記第１の搬送機構により前記筐体内を搬送される前記基板Ｓを加熱するヒータ７２と、前記筐体に設けられる排気口であって前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏから前記排気口に至る気流を形成可能な当該排気口と、前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏの一方または双方に臨んで設けられ、吸気により前記気流を調整する当該吸気口とを備える加熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の加熱処理において、加熱処理時間の短縮と、加熱電力の省エネルギーを提供する。
【解決手段】基板を水平方向に搬送する搬送路の下部に複数個配設された下部面体状ヒータ７１は搬送路の幅方向の中央部のＥ列、両端部のＤ列とＦ列に分かれている。中央部Ｅの加熱電力は両端部Ｄ、Ｆより高く設定されている。下部面体状ヒータ７１のＥ列は管状ヒータ７１ｑの加熱に対応した温度が保たれ、同時に熱伝導により電力の空間７１ｗと７１ｘのほぼ半分の域まで温度が保たれている。Ｄ、Ｆ列の管状ヒータ７１ｒ，７１ｓの熱も熱伝導で電力の空間７１ｗと７１ｘのほぼ半分の域まで温度が保たれている。管状ヒータ７１ｒ，７１ｓの電力Ｄ、Ｆは低い電力なので温度はＤｈ、Ｆｈ分しかないが、枠体６の内壁の蓄熱６３ｈを利用して、Ｄｈ、Ｆｈの熱に積算されて、Ｅｈの温度と同じ温度になる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による浮きの発生を防止することにより、大型の平板状基板を均一に加熱する方法と装置を提供する。
【解決手段】平板状基板を均一に加熱する基板加熱装置１であって、少なくとも、前記平板状基板３を載置して接触させることにより前記平板状基板３を加熱するための加熱プレート２と、前記加熱プレート２を包含して覆うことができるカバー４と、前記加熱プレート２とカバー４を制御することができる制御装置と、を備えており、前記加熱プレート２は、少なくとも前記平板状基板３を支えるための複数のワーク受けピンと、それらのワーク受けピンを前記制御装置で制御することができる駆動機構と、前記加熱プレート２を前記制御装置で制御することができる加熱機構と、を備えていることを特徴とする基板加熱装置。 （もっと読む）

【課題】処理ユニットの設置スペースを小さくして、装置の小型化を図ると共に、基板の処理時間の短縮化及び搬送時間の短縮化によりスループットの向上を図れるようにすること。
【解決手段】ウエハＷを加熱するための加熱部５０を形成する熱板５１と、熱板５１の下方に配設され、ウエハを冷却するための冷却部４０を形成する冷却プレート４１と、上下に配設された加熱部５０及び冷却部４０と対向する位置に配設され、ウエハＷに対して処理液の液膜を形成する複数の現像処理部６０と、冷却部４０及び現像処理部６０に対してウエハＷを搬入又は搬出するためのメインアームＡ１と、メインアームＡ１から受け取ったウエハＷを冷却部４０に受け渡すと共に、加熱部５０に近接する位置に移動する昇降可能な支持ピン８０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】焼成時における膜中の異常結晶成長を防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】表面に薄膜が形成された半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されて保持部７に保持される。チャンバー６内の雰囲気置換が行われた後、光照射部５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに向けてフラッシュ光が照射され、薄膜の焼成処理が行われる。フラッシュ光照射と同時に、光照射部５のハロゲンランプＨＬによる光照射も開始する。発光時間が極めて短く強度の強いフラッシュ光であれば、薄膜の表面温度を瞬間的に昇温することができる。このため、膜中に長時間焼成に起因した異常結晶成長が生じるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】シャッター部材周辺への昇華物の固着および炉内温度への影響を効果的に防止し得る熱処理装置を提供する。
【解決手段】 この発明に係るこの熱処理装置１は、シャッター部材７、複数の接触部材９、弾性部材１０、およびダクト２７を備える。シャッター部材７は、搬出入口２０Ａを遮蔽するものである。複数の接触部材９は、シャッター部材７に設けられ、熱処理炉２０の搬出入口周縁部２０Ｂに圧接する。弾性部材１０は、シャッター部材７に設けられ、複数の接触部材９を圧接方向に付勢する。ダクト２７は、熱処理炉２０の搬出入口２０Ａの開口部に設けられ、シャッター部材７と熱処理炉２０の搬出入周縁部２０Ｂとの間の隙間１２に開口する複数の吸気孔２７Ａを有し、隙間１２を流れる空気を吸気孔２７Ａから吸い込んで戻り通路２５に排気する。 （もっと読む）

【課題】加熱板に基板を載置して熱処理するにあたり、加熱板の温度を速やかに降温すること。
【解決手段】加熱板８４の下方側に加熱板８４と略同じ大きさの２枚の冷却プレート８１、８２を水平に設け、下側の冷却プレート８１は断熱部材を介して加熱板８４に固定し、上側の冷却プレート８２は下側の冷却プレート８１に対して昇降できるように構成する。下側の冷却プレート８１には冷媒流路８８を設け、上側の冷却プレート８２を下側の冷却プレート８１に接触させて予め冷却しておき、加熱板８４の温度を降温させるときには、上側の冷却プレート８２を上昇させて加熱板８４に接触あるいは近接させる。また、２枚の冷却プレート８１、８２を用いずに、冷媒流路８８を備えた１枚の冷却プレートを加熱板８４に接触あるいは近接させるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】基板の前端面が高温加熱プレート１０の上流側端部を通過するときに、基板を高速で搬送する。その後、基板を低速で搬送し、基板の後端面が高温加熱プレート１０の下流側端部を通過するときに、再び基板を高速で搬送する。基板の前端面および後端面は、高温加熱プレート１０の上流側端部および下流側端部を、それぞれ迅速に通過する。このため、高温加熱プレート１０から基板の前端面および後端面に与えられる熱量が、抑制される。その結果、基板の熱均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】熱板の強度を低下させたり、装置コストを増大させることなく、基板間における塗布膜の特性の変動を防止しつつ、基板を処理する処理時間を短縮することができる、熱処理方法及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】所定温度に設定された熱板上に、複数の基板よりなる基板群の各基板を順次載置して熱処理する熱処理方法において、熱板の設定温度を第１の温度Ｔ１よりも低い第２の温度Ｔ２に変更し、熱板の温度が第２の温度Ｔ２に到達する前に、熱板による基板群の最初の基板の熱処理を開始し、熱板により最初の基板を熱処理する第１の工程Ｓ１６と、最初の基板の熱処理の後、熱板の設定温度を第２の温度Ｔ２よりも高い第３の温度Ｔ３に変更し、熱板の温度が第３の温度Ｔ３に到達した後、熱板の設定温度を第２の温度Ｔ２に変更する際に、熱板による基板群の次の基板の熱処理を開始し、熱板により次の基板を熱処理する第２の工程Ｓ１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱板の強度を低下させたり、装置コストを増大させることなく、基板間における塗布膜の特性の変動を防止しつつ、基板を処理する処理時間を短縮することができる、熱処理方法及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱板の設定温度を第１の温度Ｔ１から第２の温度Ｔ２に変更し、熱板の温度が第２の温度Ｔ２に到達する前に、熱板による基板群の最初の基板の熱処理を開始し、熱処理を開始した後の熱板の温度データを取得し、熱板の温度が第２の温度Ｔ２に到達する際に、取得した熱板の温度データに基づいて、熱板の設定温度を第２の温度Ｔ２から変更し、第２の温度Ｔ２から設定温度が変更された熱板により最初の基板を熱処理する第１の工程Ｓ１４〜Ｓ１６と、最初の基板の熱処理の後、熱板の設定温度を第２の温度Ｔ２に戻し、熱板の温度が第２の温度Ｔ２に保持されている状態で、熱板により基板群の次の基板を熱処理する第２の工程Ｓ１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を炉内で加熱する際、金属製の搬送トレイに搭載していたため、そのガラス端面と周辺部の輻射率の差から、ガラス基板外周端部に急激な温度勾配が発生し、その勾配によるひずみから、ガラス基板が割れる等の問題が発生していた。
【解決手段】発明の基板の熱処理装置は、熱処理の際に用いる搬送トレイ２に、ガラス基板１の周辺にガラスと輻射率の近いセラミックプレート１０および基板受け９を配置することにより、ガラス基板外周端部の温度勾配を低減させ、加熱プロセスにおけるガラス基板の割れ防止を行う。 （もっと読む）

【課題】基板面内での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、基板搬送路２の所定区間を覆うと共に、前記基板搬送路を搬送される被処理基板Ｇに対する熱処理空間を形成する第一のチャンバ８Ａと、前記第一のチャンバ内を加熱可能な第一の手段１７，１８と、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し所定温度に冷却されたエアを吹き付け、局所的に冷却可能な第二の手段４１，４２と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段４５と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第二の手段による冷却動作のオン／オフ切換を行う制御手段４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板面内での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板搬送路２を形成し、被処理基板Ｇを基板搬送路に沿って平流し搬送する基板搬送手段２０と、被処理基板に対する熱処理空間を形成する第一のチャンバ８Ａと、第一のチャンバ内を加熱または冷却可能な第一の加熱・冷却手段１７，１８と、第一のチャンバの前段に設けられ、基板搬送路を搬送される被処理基板を検出する基板検出手段４５と、基板検出手段の検出信号が供給されると共に、基板搬送手段による基板搬送速度を制御可能な制御手段４０とを備え、制御手段は、基板検出手段の検出信号により被処理基板の搬送位置を取得し、基板搬送方向に沿って複数に分けられた被処理基板の領域ごとに、基板搬送手段による基板搬送速度を切り換え、第一のチャンバ内における滞在時間を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、基板搬送路を搬送される被処理基板Ｇに対する熱処理空間を形成する第一のチャンバ８と、加熱または冷却温度の設定温度を変更可能であって、前記第一のチャンバ内を加熱または冷却可能な第一の加熱・冷却手段１７，１８と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段４５と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第一の加熱・冷却手段の制御を行う制御手段４０とを備え、前記制御手段は、前記第一のチャンバに向けて搬送される複数の被処理基板のうち、先頭の被処理基板が前記基板検出手段によって検出されると、前記第一の加熱・冷却手段の設定温度を第一の温度から第二の温度に変更する。 （もっと読む）

【課題】基板処理システムの加熱装置を昇温するにあたり、三相交流電源の各相の線間電流の平衡を維持しつつ、基板処理システムの起動時間が長くなることを防止する。
【解決手段】ウェハを処理する塗布現像処理システムは、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序にしたがって複数の加熱装置４０ａ〜４０ｄを昇温する際に、各加熱装置４０ａ〜４０ｄが接続された各相の線間電流値を監視し、加熱装置４０ａ〜４０ｄの昇温中に線間電流値が制限値を上回り加熱装置の昇温が制限された相が生じた際に、昇温が制限された相以外の相における、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序において次順以降に昇温される加熱装置の昇温の可否を判断し、昇温が制限された相に接続された加熱装置を飛ばして、昇温が制限された相以外の相に接続された昇温可能な加熱装置の昇温を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上に生じるパーティクルを低減する超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が薬液で濡れた半導体基板をチャンバ２１０内に導入する工程と、前記チャンバ内に超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を前記薬液の臨界温度以上に調整し、圧力を前記薬液の臨界圧力以上に調整して、前記薬液を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記超臨界状態の薬液を気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジストによるレジストパターン形成において、厚さ０．２５０インチの合成石英からなるマスク基板であっても、高い残膜率かつ高コントラストである、高品質なパターンを形成する。
【解決手段】化学増幅型レジストをＰＡＢまたはＰＥＢ処理するベーク処理装置５０であって、９０秒以内で所定のベーク温度にマスク基板１表面が到達するよう、２段目以降のホットプレート５２は所定のベーク温度に調整保持し、１段目のホットプレート５１の温度は所定のベーク温度より高い温度に調整保持する。 （もっと読む）