【課題】 半導体素子の特性不良、さらには半導体素子が破壊されない高性能のサブマウントを提供すること。
【解決手段】 絶縁基板２の上面に配線導体層３が形成されるとともに、配線導体層３上に長方形状の半導体素子６を搭載するための長方形状のろう材層４が形成されているサブマウント１において、ろう材層４は、両短辺側の２つの端部４ａ、４ｃと中央部４ｂとに３分割されているとともに、２つの端部４ａ、４ｃの厚みが中央部４ｂの厚みよりも厚い。 （もっと読む）