【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１ウエハの上部に第２ウエハを結合させる段階と、第２ウエハの背面にハードマスク層を形成する段階と、ハードマスク層の上部に、ビアホール領域を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、感光膜パターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングすることでハードマスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターンをエッチングマスクとして第１及び第２ウエハを一定深さまでエッチングすることでビアホールを形成する段階と、を含む。これによると、両ウエハを非常に効果的に接合させることができ、高いアスペクト比を持つビアホールに残留する残渣をきれいに除去でき、素子特性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成を有する複数の光検出素子を含む光検出装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板２上において複数の分離溝５によって互に分離されて設けられており、電気的に直列接続された複数の光検出素子４を備え、光検出素子４は、所定の導電型の第１の領域８と他の導電型の第２の領域１０とを含むＩｎＳｂ化合物半導体層であり、この化合物半導体層の光検出領域６において入射光を光電変換し、複数の光検出素子４のうち分離溝５を挟んで互に隣接する二つの光検出素子４の一方に含まれる第１の領域８と、他方に含まれる第２の領域１０とは、電気的に接続され、光検出領域６、第１の領域８及び第２の領域１０は、光検出素子４の化合物半導体基板２との接合面と、この接合面の反対側にありこの接合面に沿って延びる光検出素子４の主面との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ４０５ｎｍ近傍の短波長の光に対して安定した高感度を有する、フォトダイオードを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオード１００Ｃは、Ｐ型の基板１１０上に、Ｐ型のシリコン層１１２、Ｎ型のシリコン層１１４、フィールド酸化膜１１８、活性領域の表面を覆うシリコン酸化膜１２０ｃと、シリコン酸化膜１２０ｃを覆うシリコン窒化膜１２２ｃとを有する。フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＧｅ−ＰＩＮ光半導体素子において、ＳｉＧｅ半導体層自身にＰＩＮ構造が形成されることを防止し、ＳｉＧｅ半導体層に印加される電界を低減する。
【解決手段】ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。つまり、ｐ型Ｓｉ半導体層、ｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）、ｉ型Ｓｉ半導体層、ｎ型Ｓｉ半導体層が順に積層されたことを特徴とする光半導体素子、又はｎ型Ｓｉ半導体層、ｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）、ｉ型Ｓｉ半導体層、ｐ型Ｓｉ半導体層が順に積層されたことを特徴とする光半導体素子とした。 （もっと読む）

【課題】量子効率の波長依存性を低減することができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。ｎ型ＩｎＰ基板１０の上面に反射防止膜２６が形成されている。第１の光共振層１４は、第１，第２の多層反射層１２，１６を構成する各半導体層よりも厚い。第２の多層反射層１６とアノード電極２２の間に有る膜の光学膜厚を第１の光学膜厚Ｌｏｐｔ１とし、第１の光共振層１４の光学膜厚を第２の光学膜厚Ｌｏｐｔ２とすると、Ｌｏｐｔ１とＬｏｐｔ２は異なる。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】温度変化の大きい状況であっても、ダイオード素子の温度依存性の影響を低減した出力電圧を得ることのでき、且つ光電変換素子の検出下限以下の微弱光を検出する状況にあっても、出力電圧を一定にして動作させることを課題とする。
【解決手段】光電変換素子より生じる光電流が第１のダイオード素子によって対数圧縮された出力電圧として出力される光電変換回路と、抵抗素子を流れる電流に応じて第２のダイオード素子で対数圧縮された基準電圧を出力する基準電圧生成回路と、光電変換回路から出力される出力電圧と、基準電圧生成回路から出力される基準電圧との差分を増幅した出力信号を出力する演算回路と、出力信号により光電変換回路より出力される対数圧縮された出力電圧に応じた電流を出力する出力回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】入射光量が小さい場合であっても、容量素子への電荷の蓄積を行い、光の強度の検出ができ、構成する定電流源またはスイッチ等の素子数を増加させることなく動作させることを課題とする。
【解決手段】光電変換素子と、光電変換素子の出力電流を増幅する増幅回路と、を含む光電変換回路と、第１のスイッチを介して第１の電位が供給され、第２のスイッチを介して増幅回路で増幅された電流に応じた充電または放電がなされる容量素子と、容量素子の一方の電極の電位と第２の電位を比較するためのコンパレータと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、その一方主面の一部を覆うように形成されるものであって、ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２およびＺｎＯ層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。積層体５には段差１１が形成され、上記接合部６は、段差１１を生じさせる立ち上がり面１２上に露出している。立ち上がり面１２は傾斜していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光センサー素子の応答速度を早め、検出精度を向上させた半導体装置を実現する。
【解決手段】検出回路５１０に繋がる第１の導電領域としての第１のｐ型半導体領域５３２−１、第１の導電領域としての第２のｐ型半導体領域５３２−２の面積を電源配線５２１に接続される第２の導電領域としての第１のｎ型半導体領域５３３−１〜第３のｎ型半導体領域５３３−３の面積に比べて小さく構成する。具体的には第１の導電領域を構成するサブ領域の個数は第２の導電領域のサブ領域の個数より少ないように構成する。また、第１の導電領域をｎ型、第２の導電領域をｐ型半導体で構成して電位勾配の発生をおさえる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができるフォトセンサを提供すること。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサは、薄膜トランジスタ５２の上層に形成された第１パッシベーション膜４１と、ドレイン電極１３と、下部電極１４とを電気的に接続する、第１パッシベーション膜４１に設けられた開口部と、薄膜トランジスタ５２、及びフォトダイオード５１を被覆する第２パッシベーション膜４２と、第２パッシベーション膜４２の上層に形成され、当該第２パッシベーション膜４２に設けられたコンタクトホールを介して上部電極１５と電気的に接続される上層配線２３と、コンタクトホールを形成する際に上部電極１４が露出しないように、上部電極１４より上層に形成された接続膜１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。各ＧａＮ系半導体素子Ｄのｐ側透明電極８及びｎ電極７が半導体素子Ｄの光の取り出し面又は受光面側に形成される。各電極を接続する配線１２、１３の一部は、ｐ側透明電極８と同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】素子特性のばらつきが少なく、量子効率が高い光半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、ｎ型ＩｎＰ歪緩和層１４（第１導電型の歪緩和層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１６（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１８（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。ｎ型ＩｎＰ歪緩和層１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１０と同じ材料で構成されている。ｎ型ＤＢＲ層１２とｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１６の間に形成されている層のトータルの光学長は、入射光の波長λの半分の整数倍である。 （もっと読む）

【課題】１．７μｍを超える波長域に受光感度をもち、応答性に優れ、暗電流の低いＩｎＧａＡｓ受光素子アレイ、その製造方法および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上に、受光素子１０が、複数、配列された受光素子アレイであって、Ｉｎ組成が０．５３を超えるＩｎＧａＡｓ受光層３と、ｎ型窓層４とを備え、その窓層はｎ型キャリア濃度１×１０¹⁶／ｃｍ³以上を有し、受光素子の受光領域のｐｎ接合またはｐｉｎ接合１７を形成するためのｐ型領域１５は、上記の窓層からＩｎＧａＡｓ受光層へと導入されたｐ型不純物によって形成され、そのｐ型領域は、窓層において上記のｎ型キャリア濃度の周囲領域１９に囲まれている。 （もっと読む）

【課題】厚みの増加、視野角特性および表示品位の低下などを防止しつつタッチパネル機能に対応できる有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子34により、封止基板14側に出力する光L1よりも弱い光L2をガラス基板12側へと出力する。光L2のガラス基板12の背面側での反射光L3を検出可能な光センサを有機ＥＬ素子34のガラス基板12側に形成する。保護用のガラス板などの追加の部材を設けることなく、有機ＥＬ素子34からガラス基板12側へと出力した光L2をガラス基板12の背面側で指Ｆの接触によって反射した反射光L3を光センサで検出できる。部材の追加に伴う厚みの増加、視野角特性および表示品位の低下などを防止しつつ、指Ｆなどの接触を検出するタッチパネル機能に対応できる。 （もっと読む）

【課題】応答の線形性が良く、量子効率が高い光半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。ｎ型ＤＢＲ層１２は、屈折率が低いｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。ｎ型ＩｎＰ層１２ａは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより大きく、入射光を吸収しない。一方、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより小さく、入射光を吸収する。ｎ型ＩｎＰ層１２ａの光学層厚はｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂの光学層厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】ソース線を介しての画素間のクロストークの発生を防止することにより、解像度を向上させることのできる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１００の各画素１００ａには、第１電極８１ａ、ドレイン電極６ｃ、および電界効果型トランジスタ３０のドレインに対して、当該画素に対してＸ方向で隣接する画素のソース線６ａが位置する側に、定電位に保持されたシールド線７が形成されている。従って、データ線６ａ₂の電位変化が画素１００ａ₁の第１電極８１ａ₁の電位に及ばないので、画素１００ａ間のクロストークを防止することができ、解像度が高い固体撮像装置１００を実現することができる。 （もっと読む）

本発明は、フォトダイオードが一体化された垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を有するＶＣＳＥＬ装置に関する。該フォトダイオード２は、半導体物質の第１のｎドープ領域６、ｐドープ領域７、真性領域８及び第２のｎドープ領域９の層シーケンスから形成される。フォトダイオード２と該レーザとは、第１のｎドープ領域６における抵抗ｎ接点１０として実現される共通電極を共有する。該提案される装置は、複雑さの小さな製造を可能とし、より低い製造コストに帰着する。
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【課題】ナノワイヤベースのフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ナノワイヤベースのフォトダイオード１００及びくし形ｐ−ｉ−ｎフォトダイオード２００は、フォトダイオード１００、２００のｉ領域にｉ型半導体ナノワイヤ１４０、２４０を使用する。ナノワイヤベースのフォトダイオード１００、２００は、ｐ型ドーパントがドープされた第１の半導体の第１の側壁１１０、２１２、２１０と、ｎ型ドーパントがドープされた第１の半導体の第２の側壁１２０、２２２、２２０と、第１の側壁と第２の側壁との間でトレンチ１３０、２３０にかかる真性半導体ナノワイヤ１４０、２４０とを備える。トレンチは、基板１５０、１６０、２５０に隣接する底部より頂部の方が幅が広い。第１の側壁及び第２の側壁の一方又は両方の第１の半導体は単結晶であり、第１の側壁、ナノワイヤ及び第２の側壁は合わせてフォトダイオードのｐ−ｉ−ｎ半導体接合部を形成する。 （もっと読む）

感光性構造体が、電気的に直列に接続された複数の感光領域(１２４）を備える。遮光層が、上記構造体の主要面上への入射光から上記感光領域(１２４）を遮蔽するように配置された複数の導電領域(５０１）を備える。上記導電領域（５０１）は、互いに電気的に絶縁されている。
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