【課題】高い感度を得ることができる光検知器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１と、下部電極１上方に形成された活性層９と、活性層９上方に形成された上部電極４と、が設けられている。活性層９には、障壁層２と、障壁層２と格子整合する量子井戸層３と、が設けられている。障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。量子井戸層３には、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃと、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃの結晶に格子歪を生じさせる第２の化合物半導体層３ｂと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第１の導電型を示す半導体領域、および、第２の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第１の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第１の電極と、第２の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第２の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電圧信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた保護層５とから構成されている。半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面が粗面であり、さらに半導体基板の裏面に保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 （もっと読む）

【課題】バックライトからのフォトダイオードへの光の入射を防止し、検出物からの斜光が所望のフォトダイオードではなく、別のフォトダイオードに入射されるのを防止する。
【解決手段】透光性基板上の第１の遮光層と、第２の遮光層と、第１の遮光層上の第１のフォトダイオードと、第２の遮光層上の第２のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードを覆う第１のカラーフィルターと、第２のフォトダイオードを覆う第２のカラーフィルターと、を有し、第１のフォトダイオードと第２のフォトダイオードとの間には、第１のカラーフィルター及び第２のカラーフィルターからなる第３の遮光層を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は反射防止膜を有するイメージセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーセンシングピクセルと、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部上に直接配置された第３層とを含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成る暗電流の低減された半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３ａ上にＳｂ元素を含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第１の半導体層２ａを形成する工程と、第１の半導体層２ａを形成した後に、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第２の半導体層１０ａを第１の半導体層２ａ上に形成する工程とを備え、第１の半導体層２ａを形成する工程は、第１の半導体層２ａに含まれており基板３ａとの界面から所定の厚みを有する第１の層の形成を第１の温度のもとで行った後に、第１の半導体層２ａのうち第１の層を除いた第２の層の形成を第１の温度よりも高い第２の温度のもとで行い、第２の半導体層１０ａを形成する工程は、第２の半導体層１０ａに含まれており第１の半導体層２ａとの界面から所定の厚みを有する第３の層の形成を第２の温度のもとで行う。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素としてＳｂを含むIII−Ｖ化合物半導体層を有する受光層とｎ型ＩｎＰ窓層とを有しており暗電流を低減可能なIII−Ｖ族化合物半導体受光素子を提供する。
【解決手段】受光層２１のＧａＡｓＳｂ層の成長の際に供給されたアンチモンのメモリ効果により、受光層２３上に成長されるＩｎＰ層２３に、不純物としてアンチモンが含まれる。III−Ｖ族化合物半導体受光素子１１では、ＩｎＰ層２３は不純物としてアンチモンを含むと共に、ＩｎＰ層２３にはｎ型ドーパントとしてシリコンが添加されている。ＩｎＰ層２３中のアンチモン不純物は正孔を生成するように作用するけれども、この生成キャリアをＩｎＰ層２３中に添加されたシリコンが補償して、ＩｎＰ層２３の第２の部分２３ｄは十分なｎ導電性を示す。 （もっと読む）

【課題】 多くのペア数を有する多重量子井戸構造を、良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、半導体素子の製造方法および当該半導体素子を得る。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の量子井戸を５０ペア以上有する多重量子井戸構造３を形成する工程を備え、その多重量子井戸構造３の形成工程では、全有機金属気相成長法（全有機ＭＯＶＰＥ法）により、多重量子井戸構造を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光検出回路を実現するにあたり、電源線及び信号線の数を最小化して受光素子の受光領域を最大化することにより、光の変化程度をより正確に検出できるようにする光検出回路及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】第１電源に接続された受光素子と、上記受光素子と第２電源との間に接続されたキャパシタと、ゲート電極が上記キャパシタの第１電極に接続され、第１電極が選択信号線に接続された第１トランジスタと、ゲート電極が上記選択信号線に接続され、第１電極が上記第１トランジスタの第２電極に接続され、第２電極が出力信号線に接続された第２トランジスタと、ゲート電極が初期化電源に接続され、上記第２電源と上記出力信号線との間に接続された第３トランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】メサ型フォトダイオードの安定なデバイス特性及び長期信頼性を得る。
【解決手段】メサ（受光領域メサ１９）の側面２３と、メサの上面２４における少なくとも当該メサの肩の部分（肩部２５）とは、それらの上に成長された第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により連続的に被覆されている。半導体層においてメサの側面２３を覆う部分の層厚Ｄ１が８５０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を具備し、かつ簡易に製造できる半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、ｎ型の半導体基板２０１上に、半導体メサ１２０と、少なくとも半導体メサ１２０の側壁を覆う半導体層１０７ａが少なくとも形成されている。半導体メサ１２０は、光吸収層１０４と、ｐ型のコンタクト層１０６を少なくとも有する。半導体基板１０１の主面は、＜０１−１＞方向を軸として、（１００）面に対して回転角θだけ回転した結晶面であり、その回転角θは０．１°≦｜θ｜≦１０°である。 （もっと読む）

【課題】高い均一性を備える銀薄膜を熱処理により凝集させて凸凹を形成する場合、温度や表面状態により、一箇所に凝集し、銀薄膜が無くなってしまう領域と、銀が「だま」状に集中してしまう場所ができてしまう場合がある。この場合、本来の目的である乱反射領域にはならず、不良品となる課題がある。
【解決手段】多結晶ＩＴＯ層２０ａを積層し、フォトリソグラフ工程によりレジストマスクを形成した後、多結晶ＩＴＯ層２０ａを例えば塩酸系のエッチング液を用いてエッチングする。ここで、レジストマスクに覆われた部分は配線層として機能する。この場合粒界から選択的にエッチングが進行し、特定の面方位のグレインが残り、エッチングマスクとして機能する残渣２０ｂが形成される。この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単に設計された、感度の高い、無線周波数の使用に適した、ｐｉｎダイオード、を備えた集積回路構造を提供する。
【解決手段】集積回路構造において、保護される材料８２が隣接している少なくとも１つの段を含んだ形状を形成し、段をも覆う保護層を形成し、上記保護層を形成した後、スペーサ素子層を形成し、スペーサ素子層に異方性エッチングを行い、段に少なくとも１つのスペーサ素子を形成し、スペーサ素子によって覆われていない領域において、保護層を薄膜化するか、または、完全に除去し、上記保護される材料８２に沿って、保護層の少なくとも１つの残余領域１５０が残っており、保護層を薄膜化または除去した後、有効層を形成し、有効層をパターン形成すると同時に、スペーサ素子を除去して、保護される材料８２を、残余領域１５０によって保護する。 （もっと読む）

【課題】高い励起効率と光子取り出し効率の両方を兼ね備え、バックグラウンド雑音が少ない単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】量子ドット４が上部半導体層２と下部半導体層３の間に埋め込まれ、その上部の金属遮光膜５に、開口から金属突起１１〜１４が張り出した構造を持つ突起付開口６が形成されている。励起光源２１から発せられたＹ方向の偏光を有する励起光は、金属突起１３、１４からなるアンテナＹに共鳴して、量子ドット４を励起する。その後の量子ドットからの発光は、金属突起１１、１２からなるアンテナＸに結合し、Ｘ偏光の光子として外部に取り出される。 （もっと読む）

集積フォトニック・デバイスに対する側壁光検出器及びそれらの製造の方法。実施形態は、マルチモード・ファイバーのスポット・サイズを適合するように十分に大きい領域を有する基板半導体機能の側壁に形成されたp-i-n積層膜を含む。実施形態は、第2側壁光検出器に導波路によって結合された第1側壁光検出器を含み、その第1側壁光検出器は、第1側壁に入射する光の第1波長を吸収し、第2波長を吸収するように調節されたi層を有する第2側壁光検出器に第2波長の光を通過させるように調節されたi層を有する。
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【課題】高品質な光デバイスをシリコン基板上にモノリシックに形成する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に設けられた複数のシード結晶と、複数のシード結晶に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つに、供給される駆動電流に応じて光を出力する発光半導体、または光の照射を受けて光電流を発生する受光半導体を含む光電半導体が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、光電半導体を有する３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体にヘテロ接合トランジスタが形成されている光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子における逆導電型の半導体層のエッジ間でのリーク電流を抑えるようにする。
【解決手段】絶縁層（６６，６８）にｎ型半導体層７１の面積よりも小さい面積（上部開口面積）のコンタクトホール６９を形成し、当該コンタクトホール６９を介してｐ型半導体層６４とｉ型半導体層７０が接するようにする。すなわち、ｐ型半導体層６４のｉ型半導体層７０と接するエッジ（コンタクトホール６９の下部開口端）をｎ型半導体層７１のエッジよりも内側に位置させる。これにより、ｐ型半導体層６４のｉ型半導体層７０と接するエッジとｎ型半導体層７１のエッジの間の距離を、従来技術のようにｐ型半導体層６４とｎ型半導体層７１がほぼ同一形状で形成され、ｐ型半導体層６４とｉ型半導体層７０が直接接している場合に比べて長くする。 （もっと読む）

【課題】段差部において膜厚の急激な変動が抑制された半導体膜を含む半導体基板、およびその製造方法、並びに、その半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板１は、下地基板１０と、下地基板１０上の一部に形成されている金属膜２０と、金属膜２０を覆うようにして下地基板１０上に形成されている絶縁膜３０と、絶縁膜３０上に形成され、かつ結晶化された半導体膜４０とを備えている。絶縁膜３０は、金属膜２０の端部において段差部を有し、当該段差部の下地基板１０に対して垂直な断面形状が、外に膨らむ「Ｒ」形状を呈している。上記段差面は、その上端部から下端部に向かって、テーパー角度ψが略０°から徐々に大きくなって、略４０°〜９０°であるテーパー角度θになるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）