【課題】接点注入電流を減らすことによって垂直方向漏洩電流を減らす高フィルファクタ画像アレイを提供することである。
【解決手段】センサが、真性アモルファス・シリコン層と、この真性アモルファス・シリコン層の第１面に結合したｐドープ・シリコン層と、このｐドープ・シリコン層に結合した透明な第１電極と、真性アモルファス層の第２面に結合した少なくとも１つの非金属のバック接点とを包含し、このバック接点が、真性アモルファス・シリコン層の１つの領域から電荷を集め、集めた電荷を検出電子装置に与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】本実施例における受光素子は、光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても十分な信号レベルを有する検出信号を供給すること、及び入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことを目的とする。
【解決手段】本実施例における受光素子は、信号光を伝播させるコアと、前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第１導電型の第１半導体層と、前記第１半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第１導電型と反対の第２導電型を有する第２半導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＭＯＳ技術と共存可能な高速高効率光検出器を作る問題に対処すること。
【解決手段】本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 受光面に入射する光の量を増加させる
【解決手段】 集光部材３００は、集光部材３００の、開口部２０１に対応した領域５１０に入射する光の焦点５００を、光路部材２２０の内部であって、第２平面１００２と、第２平面１００２から受光面１１１側に距離Ｄ／２だけ離れた第４平面１００４と、の間に形成する。 （もっと読む）

【課題】入射光の利用効率を向上する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続して中心部分２２２を囲み、かつ、周辺部分２２１の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた半導体積層体と、半導体積層体上に設けられた導電層とを備え、半導体積層体は、基板側から導電層側にかけて、ｎ型窒化物半導体層、ｉ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層をこの順に含み、ｐ型窒化物半導体層は導電層側の表面に凹凸を有している光電変換素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】優れた耐久性を有する有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換層に下記一般式（１）で表される化合物を含有する。


（式中、Ｑは活性メチレン基残基を表し、Ｚは炭素原子と共に５員環、又は６員環を形成するために必要な非金属原子団を表す。） （もっと読む）

【課題】 受光素子の空間電荷効果の抑制および受光素子の高光結合効率の両方を実現する光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置は、レンズと、レンズを通過した光信号が入力される受光素子と、を備え、レンズと受光素子の受光面との間において、光信号の第１の光路と、第１の光路と異なる長さの第２の光路とが交差し、第１の光路を通過する光と第２の光路を通過する光との位相差に起因して受光素子の受光面において複数のピーク光強度が生成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減した光検出器を提供する。
【解決手段】価電子帯エネルギーレベルと伝導帯エネルギーレベルとを有するｎドープの半導体基板を含む光吸収層と、その第１側面は光吸収層の第１側面に隣り合い、光吸収層のドープされた半導体の価電子帯エネルギーレベルと実質的に等しい価電子帯エネルギーレベルを有するバリア層と、ドープされた半導体を含み、バリア層の、第１側面に対向する第２側面に隣り合うコンタクト領域とを含み、バリア層は、光吸収層からコンタクト領域に多数キャリアがトンネルするのを防止し、光吸収層からコンタクト領域に熱化された多数キャリアが流れるのを阻止するのに十分である膜厚と伝導帯バンドギャップを有する。代わりに、ｐドープ半導体が用いられ、バリアと光吸収層の伝導帯エネルギーレベルが等しくなる光検出器。 （もっと読む）

【課題】製造工程の工程数の増大を抑制しつつ、受光面での反射光に起因するノイズが抑制される半導体受光素子、及び、その製造方法の提供。
【解決手段】半導体入射光の光軸に対して法線方向が斜交して配置される受光面と、該受光面との交差稜線に対して対称的に形成される傾斜面と、を有するとともに、該入射光を受光して電気信号に変換する受光素子部、を複数備える、半導体受光素子であって、１の前記受光素子部への入射光の光軸と、該入射光が該受光面で反射してなる反射光の光軸とからなる入射面が、該反射光の進行方向側で、少なくとも他の１の前記受光素子部への入射光の光軸と交差しないように、該他の１の受光素子部が配置されている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度及び低混色の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素部１００が行列状に配置された固体撮像素子１０であって、画素部１００は、ナノメートルオーダーの直径を有する半導体または金属からなる複数の微粒子１１４ａ、１１４ｂが分散され入射光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜１１５と、信号電荷を光電変換膜１１５から読み出す読み出しトランジスタ１０３を有する半導体層１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】抵抗を所望の大きさとすることが可能な半導体受光素子及びそれを有する受光装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、一導電型のｎ型ＩｎＰ基板２０と、ｎ型ＩｎＰ基板２０上に設けられ、周縁の内側が受光領域となる一導電型と反対導電型のｐ型ＩｎＰ窓層２４と、ｐ型ＩｎＰ窓層２４上に設けられたシリコン窒化膜３２と、シリコン窒化膜３２上に設けられたｐ電極３６と、ｐ電極３６とオーバーラップする領域のシリコン窒化膜３２に複数設けられた、ｐ電極３６とｐ型ＩｎＰ窓層２４とを電気的に接続するための窓３４と、を備える半導体受光素子である。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅを拡散した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法を提供する。特性を向上できる半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、以下の工程を備えている。ＧａＳｂ基板１２上にＧａＳｂを含む層を成長することにより、エピタキシャルウエハを形成する。Ｓｂ元素とＴｅ元素とを有する化合物を用いて、エピタキシャルウエハの表面側からＴｅを拡散する。半導体装置の製造方法は、上記半導体ウエハの製造方法により半導体ウエハを製造する工程と、半導体ウエハにおいてＴｅが拡散された領域に電極を形成する工程とを備える。半導体装置は、フォトダイオードであることが好ましい。センサアレイ３０の製造方法は、フォトダイオード２０を複数形成する工程を備える。 （もっと読む）