【課題】 ダンピング回路の通過帯域幅の劣化を抑制しつつピーキングを抑制することができる受光回路を提供する。
【解決手段】 受光回路は、受光素子と基準電位との間に接続され、インダクタ素子、抵抗素子およびキャパシタ素子からなる直列回路を備えた第１個別ダンピング回路と、前記受光素子と前記基準電位との間に前記第１個別ダンピング回路と並列に接続され、インダクタ素子、抵抗素子およびキャパシタ素子からなる直列回路を備え、前記第１個別ダンピング回路とは異なる通過帯域を有する第２個別ダンピング回路と、前記第１あるいは第２個別ダンピング回路の少なくとも一方における前記キャパシタ素子と前記受光素子との間に設けられた、前記受光素子を逆バイアスする電源を供給するためのノードと、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な化合物半導体層、特にIII族窒化物系化合物半導体層を有する半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に下地層を成膜する工程と、下地層上にＳｉＯ₂ 膜の帯状パターンマスクを形成し、次いで下地層及びサファイア基板の上部をエッチングして帯状の凸部と溝状の凹部とを交互に周期的に備えた凹凸構造を形成する工程と、その凹凸構造上にＧａＮ層を横方向成長法により成長させる工程と、この横方向成長工程の前（または後）に、識別マークを基板の少なくとも一方の面側に形成する工程と、識別マークを基準にして低欠陥密度領域上に半導体素子形成領域を位置決めする位置決め工程とを含む。横方向成長工程において、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的に形成されることを利用して、低欠陥密度領域の特定、および半導体素子形成領域の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】マスクパターン形状から大きく乖離しないメサ部のメサパターン形状を得ること。
【解決手段】所定の結晶軸方向に平行な方向に、マスクパターンの最大長とする複数の辺を配置させた状態において、該マスクパターンの下方に位置する化合物半導体薄膜に対して、ウェットエッチング法によりエッチング速度が等価なサイドエッチングを行うことによって、マスクパターンの多角形の形状に対応した多角形を構成する上面と下面とを有するメサパターンからなるメサ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの接続段数の増加を抑えながら、より大きな出力電圧を得ることができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線エネルギーを電気信号に変換して取り出す赤外線センサ１において、赤外線エネルギーを電気信号に変換する受光部２、受光部２が赤外線エネルギーを受光したことによって励起された電荷に対してローレンツ力を加えるように作用する磁場を発生させる磁石７、磁性体６、リードフレーム３を設け、磁石７、磁性体６、リードフレーム３によって電荷の移動する方向と直交する方向にローレンツ力を加える。 （もっと読む）

【課題】微弱な赤外線光を高感度、高Ｓ／Ｎ比で検出することができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板１上に形成された半導体材料を含む第１メサ部４０、第１メサ部４０と極性が異なる半導体材料を含む第２メサ部４３を含む複数のフォトダイオードを含む赤外線センサを、複数のフォトダイオードの全てについて、フォトダイオードが占有する基板面積Ｓ_Wと、第１メサ部４０と第２メサ部４３との接触面積Ｓ₁₂とが、０．７≦（Ｓ₁₂／Ｓ_W）≦０．９８の関係になるように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体受光素子の電極と半導体層の電気的接続を確保しつつ、安定的に製造されることにより、歩留まりが向上される半導体受光素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板に積層されるとともに、上面部を有する半導体層と、前記半導体層の前記上面部を覆って形成されるとともに、反射主領域を有する反射膜と、前記反射膜の上面の少なくとも一部を覆って形成されるとともに、前記反射膜を貫いて延び前記半導体層の前記上面部と接する接合部を有する上部電極と、を備え、前記半導体基板の前記半導体層側とは反対側から入射する光を検出する半導体受光素子であって、前記上部電極の前記接合部は、前記反射膜の前記反射主領域の周縁の一部を囲い、前記反射主領域は、前記反射膜のうち、前記接合部の外方に位置する領域と連なっている。 （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、中赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板の表面に設けられた少なくとも第１のｎ型半導体層２と、第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３のｉ型半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２のｐ型半導体層３と、第２のｐ型半導体層３と第３のｉ型半導体層４との間の、複数の第４の半導体層５と、第５の半導体層６とから構成されている。第４の半導体層５のバンドギャップは第２、第３の半導体層のバンドギャップより大きく、複数の第４の半導体層５と第５の半導体層６は交互に積層され、超格子構造を形成しており、赤外線によって第３の半導体層で生じた拡散電流およびリーク電流を抑制することによって、入射光量に対する電気出力が増加し、Ｓ／Ｎ比の向上を実現した。 （もっと読む）

【課題】ＰＩＮダイオードの光電流出力制御トランジスタのリーク電流を増大させることなくＰＩＮダイオードの光遮断時の光電流出力立下り特性改善を行う。
【解決手段】Ｐ−型半導体基板１にＰ＋型埋め込み層２を形成する。次にＰ−型半導体基板１上にＰ−型エピタキシャル層３を形成し、該Ｐ−型エピタキシャル層３内にＰ＋型埋め込みコンタクト層５を形成する。次にＰ＋型埋め込み層２からＰ−型エピタキシャル層３内のＰ＋型埋め込みコンタクト層５に連結するＰ＋型這い上がり層２ｂを形成する。これによりＰＩＮダイオードに光を入射した場合に発生する正孔がアノード電極まで流れる経路の電気抵抗の低減を図る。この場合、Ｐ＋型埋め込み層２形成のためのボロンイオンのドーズ量を制御部のＮＰＮトランジスタ６０のコレクタ−エミッタ間リーク電流が増大しない範囲に調節する。 （もっと読む）

【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 （もっと読む）

【課題】反射層を備える下面入射型の半導体受光素子における反射層における性能の劣化が抑制できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された第１導電型の半導体からなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成された半導体からなる光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層１０４と、第２半導体層１０４の上の周辺部に接して形成された第１電極１０５と、第１半導体層１０２に形成された第２電極１０６と、第１電極１０５の内側の第２半導体層１０４の上に誘電体層１０８を介して形成された金属からなる反射層１０９とを少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】超高速動作に適した、受光感度の高い「光通信用フォトダイオード」を提供する。
【解決手段】本発明に係るフォトダイオードは、半絶縁性基板１上に、ｐ形電極層２、半導体光吸収層３、４、半導体光吸収層３、４よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する電子走行層５、ｎ形電極バッファ層６、及びｎ形電極層７が順次積層され、半導体光吸収層３、４及び電子走行層５が第１のメサ構造を形成し、ｎ形電極バッファ層６及びｎ形電極層７が第２のメサ構造を形成し、ｐ形電極８と、ｎ形電極９とを有する。半導体光吸収層３、４は積層方向にドーピングプロファイルを有し、動作状態において、半導体光吸収層３、４にｐ形の中性を保つ領域が存在し、少なくとも電子走行層５とｎ形電極バッファ層６との両層が接する部分が空乏化し、第２のメサ構造の形状とドーピング構造で決まる電界分布により、第１のメサ構造内に活性領域が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなる集積回路とゲルマニウム受光器との集積化がより容易に行えるようにする。
【解決手段】シリコン層１０１の上に形成された第１ゲルマニウム層１０２と、第１ゲルマニウム層１０２の上に形成された第２ゲルマニウム層１０３と、第２ゲルマニウム層１０３の上に第２ゲルマニウム層１０３の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層１０４とを少なくとも備える。第１ゲルマニウム層１０２および第２ゲルマニウム層１０３は、周囲が絶縁層１０５により覆われている。 （もっと読む）

【課題】出力電圧もしくは出力電流の範囲を広げることなく、検出可能な照度範囲が広い光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０１と、前記光電変換素子に電気的に接続された増幅回路とを含む光電変換装置と、前記光電変換装置に印加するバイアスを反転させるバイアス切り替え手段１０２とを有し、前記バイアス切り替え手段１０２を用いて前記光電変換装置に印加するバイアスを反転させることで、出力電圧もしくは出力電流の範囲を広げることなく、光電変換装置の検出可能な照度範囲を広げる。 （もっと読む）

【課題】高強度の光が入力されても、応答性の低下が抑制できるようにする。
【解決手段】例えばＩｎＰからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成された第１導電型の半導体からなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成された半導体からなる光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層１０５と、第１半導体層１０２に形成された第１電極および第２半導体層１０５に形成された第２電極とを少なくとも備える。光吸収層１０３は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有して基板１０１とは格子定数が異なる半導体から構成されて歪みを有している。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードをより低いバイアス電圧で動作させても、より高い感度が得られるようにする。
【解決手段】電子走行層１０３の上に形成された第１導電型の半導体からなる電界制御層１０４を備える。第１半導体層１０２，電子走行層１０３、電界制御層１０４、および第２半導体層１０７は、光吸収層１０５を構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成され、電子走行層１０３および光吸収層１０５は、第１半導体層１０２，電界制御層１０４、および第２半導体層１０７よりも不純物濃度が低い状態とされている。 （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた第１の保護層５と、この第１の保護層を被覆して設けられた第２の保護層６から構成されている。半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面に２層からなる保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 （もっと読む）

【課題】従来の赤外線センサと比較して、Ｓ／Ｎ比が向上した赤外線センサを提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に、ｐ型半導体層と、ｉ型半導体層と、ｎ型半導体層とを含むＰＩＮフォトダイオード構造とを備える赤外線センサであって、前記ｉ型半導体層は、少なくともインジウム、アンチモン、及びガリウムを含むことを特徴とする赤外線センサが開示される。前記ｉ型半導体層において、ガリウムとインジウムの組成比を調整することにより、赤外線センサの出力感度が最大となる波長を選択することができるので、Ｓ／Ｎ比が向上した赤外線センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】視感度補正用の赤外線除去フィルタを不要とし、かつ色再現性を人間の視感度に合わせたカラー用固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された回路部３０と、回路部３０上に配置された下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置されたカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６と、透明電極層２６上に配置された可視光フィルタ４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂとを備え、下部電極層２５、化合物半導体薄膜２４、および透明電極層２６は、回路部３０上に順次積層されると共に、可視光フィルタ４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂの下方の化合物半導体薄膜２４の膜厚を薄層化して、可視光のみを吸収するカラー用固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
高速、高感度並びに入力光に対する光学位置合わせトレランスの大きな面入射型フォトダイオードを提供する。
【解決手段】
面入射型フォトダイオードにおいて、光吸収層４の上下に接しているクラッド層５、３の少なくとも光の入力側にある当該クラッド層３の形状が入力光１１の進行方向に対して層の幅が狭くなるテーパー状とし、光吸収層４の接合面積よりクラッド層３の受光面積を大きくする。これにより、入力光１１と面入射型フォトダイオードとの間の光学位置合せトレランスの改善を図り、面入射型フォトダイオードの高速化、高感度化、高光結合化を図る。 （もっと読む）