【課題】ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際、同時にアルミニウム（Ａｌ）をドープする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性が良く光吸収係数の高い光電変換膜を有することで、暗電流の発生を抑えて、感度を高めた固体撮像装置を可能にする。
【解決手段】シリコン基板１１上に格子整合された銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＳＳｅ）系混晶または銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−亜鉛−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＺｎＳＳｅ）系混晶からなるカルコパイライト系化合物半導体からなる光電変換膜１３を有する。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを含むナノワイヤフォトダイオードと少なくとも一つの垂直フォトゲートに動作可能に接続するナノワイヤフォトダイオードからなるデバイスに関する。

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【課題】光の入射角度を規定することができるようにしながらも、体格の増大が抑制された受光素子を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の一面側に形成された、光を検知して、検知した光を電気信号に変換する受光部と、を備え、受光部の形成面の裏面が光の入射面とされた受光素子であって、半導体基板の厚さ方向にトレンチが形成され、該トレンチによって、受光部の受光面と、半導体基板内に入射した光の進行方向とが成す光の入射角度を規定した。 （もっと読む）

【課題】優れた発電効率を備える太陽電池素子を提供する。
【解決手段】太陽電池素子１００は、基板１１０と、マスクパターン１２０と、半導体ナノロッド１３０と、第１の電極１５０と、第２の電極１６０とを有する。半導体ナノロッド１３０は、基板１１０上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う半導体ナノロッド１３０同士の中心間距離ｐと、半導体ナノロッド１３０の最小径ｄとの比ｐ／ｄが１〜７の範囲にある。半導体ナノロッド１３０は、第１の導電型の半導体からなる中心ナノロッド１３１と、真性半導体からなり中心ナノロッド１３１を被覆する第１の被覆層１３２と、第２の導電型の半導体からなり第１の被覆層１３２を被覆する第２の被覆層１３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する表示装置において、フォトセンサへの入射光の強度にかかわらず、高精度の撮像を行うことを目的の一とする。
【解決手段】フォトセンサが配置された表示パネルを有し、フォトセンサにより入射光を測定し、入射光に応じてフォトセンサの感度を変更して撮像を行う機能を有する表示装置を提供する。入射光が暗いときにフォトセンサの感度を上げて撮像の精度を向上することで、接触の誤認識の防止や鮮明な画像取り込みを行う。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いて良好な量子効率（電子取り出し効率）の受光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 それぞれが窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を順に有する受光素子であって、ｎ型層と活性層との間には、ｎ型層から順に、ｎ型層のｎ型不純物濃度よりも小さいｎ型不純物濃度の第１層と、第１層の格子定数よりも大きい格子定数の第２層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 受光感度の偏りが抑制された半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子１は、基板１０１上に、光吸収領域１０５を含む半導体層１１０が配置され、さらに、前記半導体層１１０よりも光入射側にレンズ１２０が配置され、前記レンズ１２０は、光入射側に凸面を有し、前記凸面は、中心領域１２１と、前記中心領域１２１を取り囲む外周領域１２２とを有し、前記外周領域１２２は、前記光吸収領域１０５への集光に必要な曲率半径を有し、前記中心領域１２１は、平面であり、前記中心領域１２１から入射した光の前記光吸収領域１０５における光入射面積が、前記光吸収領域１０５の面積以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

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【課題】高い性能を有する光変換装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる光電変換装置は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０１と、薄膜トランジスタ１０１と電気的に接続されたフォトダイオード１００と、を備え、フォトダイオード１００は、薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続する下部電極１０と、下部電極１０の上に形成された光電変換層１１と、光電変換層１１上に透明導電膜によって形成され、上面視で光電変換層１１の上面に内包されるよう形成された上部電極１２と、上部電極１２の外側の部分の光電変換層１１の上面を保護するよう設けられた保護膜（化合物層２０等）と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板に光センサ、光電変換素子、太陽電池素子を有する半導体装置を作成する。
【解決手段】第１の基板上１０１に金属膜１０２、絶縁膜１０３及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜１００及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板１１５を接着したのち、前記第１の粘着材１１６を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】光ディスクの多層化、高倍速化に対応する増幅回路及び光ピックアップ装置において、反射率の低いディスクにおいても高倍速動作時に安定な信号品質を提供する。
【解決手段】増幅回路は、フォトダイオード１１〜１５、演算増幅器２１〜２５、帰還抵抗３１〜３４、抵抗４１〜４５、出力端子５１〜５５、基準電圧電源端子５６、５７、逆バイアス電圧制御回路６１、寄生容量検出回路６５により構成される。逆バイアス電圧制御回路６１は、フォトダイオード１１〜１５のカソードに接続される。フォトダイオード１５の寄生容量を寄生容量検出回路６５で検出する。前記寄生容量検出回路６５の検出結果に基づいて、逆バイアス電圧制御回路６１で生成する逆バイアス電圧を変化させて、フォトダイオード１１〜１４を適切な受光感度に設定する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として、非単結晶基板であるグラファイトを基板として使用するとＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、フォトダイオードに使用することが出来なかった。
【解決手段】グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させた後、ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層を形成し、低温成長バッファ層上にｎ型ＧａＮ層を形成し、ｎ型ＧａＮ層上にＩｎ_xＧａ_1-xＮあるいはＡｌ_yＧａ_1-yＮからなる光吸収層を形成し、光吸収層上にｐ型ＧａＮ層を形成し、ｐ型ＧａＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を形成することが可能となり、グラファイト基板上に直接フォトダイオードを作製することで低コストで優れた特性を有するフォトダイオードを実現できる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に付着した不純物に起因して発生するリーク電流を抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】この撮像装置１００は、基板１の表面上に形成される薄膜トランジスタ７と、薄膜トランジスタ７のドレイン電極２５に電気的に接続される下部電極２７と、下部電極２７の表面上に設けられる光電変換層３０と、光電変換層３０の表面上に設けられる透明電極３４とを備え、光電変換層３０の側面は、平面的に見て、透明電極３４の側面３４ａと略一致しているか、または、光電変換層３０の側面の少なくとも一部が透明電極３４の側面３４ａよりも内側に形成されている。 （もっと読む）

本装置は、ある種の導電率を有する基板と、基板の上の真性領域と、真性領域の表面の一部の上の金属層を備える。真性領域は表面を有している。金属層は、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し、真性領域と整流性接触を形成することができるような厚さを有することができる。
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【課題】静電気やノイズ等の外乱の影響を防止した光センサ素子を提供する。
【解決手段】光センサ素子は、入射光に基づいてアノード電極６とカソード電極１１との間に発生させた電流が流れる方向に交わる断面がメサ型であるポリシリコンからなる半導体層を備える。この半導体層はアノード電極及びカソード電極に接続している両端部にＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、中央部を真性領域３とする。この半導体層（Ｐ＋拡散領域、真性領域）の少なくともエッジ部分をアノード電極で被覆する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好な素子窒化物光半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この窒化物光半導体素子は、Ａ面サファイア基板１と、基板１上に設けられた厚さが１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４と、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４上に形成されたｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層９とを備えている。Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】 量子効率の高い光電変換素子および光電変換方法を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子１０は、バンドギャップＥ_ｇと、電子準位および励起準位の間のエネルギの差Ｅ_ｄと、が同じである第１の量子井戸を有している、複数の励起領域４０ａと、１つの第１の量子井戸の電子準位から他の第１の量子井戸の励起準位に共鳴トンネル現象で電子を導く複数の第２の量子井戸を有している、複数のトンネル領域４０ｂと、を有しており、励起領域４０ａと、トンネル領域４０ｂと、が交互に重なって設けられている。 （もっと読む）

【課題】
導波路に結合された表面プラズモンポラリトン光検出器を提供する。
【解決手段】
金属−半導体−金属（ＭＳＭ）デバイスは、導波路内の光モードからの光を、当該ＭＳＭデバイスの電極表面の表面プラズモンポラリトン（ＳＰＰ）モードに結合する。ＳＰＰモードにおいては、半導体内での光の吸収は、非常に小さい領域で発生することができる。これは、活性な検出器領域の縮小を可能にし、電気的なキャリアに関して低容量（キャパシタンス）で非常に短い移送距離を可能にし、非常に低電圧なデバイス及び／又は非常に高い周波数を可能にし得る。 （もっと読む）

【課題】所定のアドレスに配置された光電変換素子の周辺に配置された光電変換素子に反射光が入射してしまうことによって生ずる解像度（分解能）の低下（周辺ボケ）を防止することを目的とする。
【解決手段】第１の透光性基板と、第１の透光性基板上に設けられた複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子に対向して設けられた第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板と第２の透光性基板とを接着し前記複数の光電変換素子を囲って配置されたシール材と、を有する構造を形成し、前記第１の透光性基板をウェットエッチングすることにより、前記第１の透光性基板を薄くする。 （もっと読む）