【課題】本発明は、高速かつ高感度な面型フォトダイオードを提供するものである。
【解決手段】電極用金属膜と誘電体多層膜から構成される反射ミラーにおいて、誘電体多層膜と金属膜からの反射光の位相を合わせるように誘電体膜の最適化をすることでミラーの高反射率化を図る。この高反射ミラーを用いて、面型フォトダイオードの高速化と高感度化の両立を図る。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、かつ、高速応答性能を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体受光素子１は、入力部１２１と、第一出力部１２２と、第二出力部１２３とを含み、入力部１２１から入力した光を偏光分離せずに、入射光よりも強度の低い光に分岐して、第一出力部１２２、第二出力部１２３から出力する光分波器１２と、第一出力部１２２からの光を伝播させる第一光導波路１３Ａと、第二出力部１２３からの光を伝播させる第二光導波路１３Ｂと、第一光導波路１３Ａの光射出側端面、第二光導波路１３Ｂの光射出側端面に接続された半導体光吸収層１４２とを備える。第一光導波路１３Ａからの光は、第二光導波路１３Ｂからの光とは異なる方向から前記半導体光吸収層１４２に入射する。 （もっと読む）

【解決手段】
電離放射線との相互作用で光子を放射するように構成されたシンチレーション層と、第１電極、光電性層、及びシンチレーション層の近傍に配置された光子透過性の第２電極を順番に含む光検出器とを有する放射線センサである。光電性層は、光子の一部との相互作用で電子正孔対を生成するように構成される。放射線センサは、第１電極に電気的に接続され、かつ光電性層内で生成された電子正孔対を示す撮像信号を測定するように構成された画素回路と、第１電極と画素回路の間において、画素回路上に、画素回路を含む平面の上方に第１電極が位置するように配置された平坦化層とを有する。第１電極と第２電極の少なくとも一方の電極の表面は、画素回路に少なくとも部分的に重なり、画素回路のフィーチャの上方に面屈曲を有する。面屈曲は、２分の１ミクロンを超える曲率半径を有する。 （もっと読む）

【課題】メサ上に再成長される半導体層によるメサの被覆性を、工程の追加を行わずに向上させることができるようにする。
【解決手段】メサ（受光領域メサ１９）の側壁は、当該メサの裾が広がる方向に傾斜する斜面である。メサの少なくとも側壁１１２は、その上に成長された、第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により被覆されている。メサの下端部における斜面の傾斜角度θ１よりも、メサの上端部における斜面の傾斜角度θ３の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】入射電磁波によって励起される表面プラズモン・ポラリトンに基づき発生した近接場光を応用し、色情報を確実に再現し得る２次元固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元固体撮像装置は、２次元マトリクス状に配置された画素領域を有し、各画素領域は、複数の副画素領域から構成されており、入射電磁波の波長よりも小さい開口径を有する開口部が設けられた金属層３０及び光電変換素子２１が絶縁膜３１を挟んで配置されており、開口部に対して少なくとも１つの光電変換素子２１が配置されており、開口部３１の射影像は光電変換素子２１の受光領域内に含まれており、開口部３１は入射電磁波によって励起される表面プラズモン・ポラリトンに基づき共鳴状態を発生させるように配列されており、共鳴状態により開口部近傍において発生する近接場光を光電変換素子２１にて電気信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】メサ型のフォトダイオードを有する光通信用素子等の半導体装置において、メサ上部への配線の寄生容量を低減し、応答特性の高速化を図る。
【解決手段】基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。基板１１上に配置された水平配線１９ａとフォトダイオードのアノードとなるｐ型高濃度層１２ｅとの層間を接続する配線１９ｄは当該壁面に沿って配置される。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの層が下記一般式Ａ、Ｂ、または、Ｃで表わされる少なくとも１つの化合物を含有し、この少なくとも１つの層を含む複数の層を備えた有機半導体部品に関する。
【化１】

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【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子２００の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板２０１の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒１０４を有する多結晶ウルツ鉱型半導体１０３を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】電子雑音を低減するために、各々のフォトダイオード素子の応答時間を損なわずに、より低キャパシタンスのフォトダイオード素子及びより低キャパシタンスのフォトダイオード・アレイを開発する。
【解決手段】フォトダイオード素子（２０）が、第一の拡散形式を有する第一の層と、第二の層とを含んでいる。第二の層は電荷収集域（２９）を画定している。電荷収集域（２９）は、第二の拡散形式の作用領域（３２）と、非作用領域（３３）とを含んでいる。作用領域（３２）は非作用領域（３３）を包囲している。フォトダイオード素子（２０）はまた、第一の層と第二の層との間に真性半導体層を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 単純な構成で波形整形が可能な光受信装置を提供する。
【解決手段】 本発明の光受信装置１０は、信号光照射手段１３と、制御光照射手段１５と、信号光受光用受光素子１１と、制御光受光用受光素子１２とを備え、前記信号光受光用受光素子１１は、前記信号光照射手段１３により照射された信号光１４を受光し、前記制御光受光用受光素子１２は、前記制御光照射手段１５により照射された制御光１６を受光し、前記信号光受光用受光素子１１と前記制御光受光用受光素子１２とが、直列接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板（第1の基板）１０１の表面にバッファ層１０２と半導体単結晶層１０３とを順次形成する第1の工程と、半導体単結晶層１０１ａとバッファ層１０２ａとＳｉ（１１１）基板の所定の厚さ部分１０２ｂとを含む分離島１５０を形成する第２の工程と、分離島の表面を覆う被覆層２００を形成する第３の工程と、被覆層をマスクに前記Ｓｉ（１１１）基板をＳｉ（１１１）面に沿ってエッチングして剥離する第４の工程と、分離島の剥離面を別の基板（第２の基板）２０１の表面に接合する第５の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＩＮ構造を有する光電変換素子を、ＣＶＤ法を用いて形成する場合、Ｐ層やＮ層の不純物の混入を避けるために、各々の層毎にチャンバーを分けて形成することが必要となる。この場合にはチャンバーが３つ必要となり、設備投資が大きくなるという課題がある。また、Ｉ層と半導体以外の領域が接触することで、界面欠陥起因の電荷発生により、黒浮きが生じる課題がある。
【解決手段】Ｉ型半導体層２０８を、ＣＶＤ法により得られたＮ⁺層２１０と、イオン注入法で形成されたＰ⁺層２０７で包んだ。Ｉ型半導体層２０８は半導体以外の領域と接触しない。そのため、界面欠陥起因の電荷発生を抑制することができる。また、Ｐ⁺層２０７をイオン注入法で形成することで、２つのチャンバーを備えたＣＶＤ装置を用いることが可能となり、設備投資を抑えることが可能となった。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の低減に基づいた低暗電流と素子容量の低減による高速応答及び高い受光感度を備えたｐｉｎ型受光素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ等からなる半導体基板２０上に、ＳｉドープしたＧａＩｎＡｓからなるｎ型半導体層３０、アンドープＧａＩｎＡｓからなるｉ型半導体層３１及びＺｎドープＧａＩｎＡｓからなるｐ型半導体層３２が順次積層されており、ｉ型半導体層３１及びｐ型半導体層３２の周囲はメサ型に形成されており、そのメサ部の周囲にはパッシベーション半導体層４０を有している。さらに、ｐ型半導体層３２のメサ中央部の受光領域の厚みｈ２は、その周囲の厚みｈ１よりも薄くなっている。このような構造のｐｉｎ型受光素子では、低い暗電流特性を保持しながら、空乏層容量が低減し応答速度が格段に向上する。さらに、ｐ型半導体層３２での光吸収が低減され、受光感度も大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の明暗比を高め、光電流を増大させる。
【解決手段】基板と、前記基板の主面上に併設された、第１導電型の第１の半導体領域と、第２導電型の第２の半導体領域と、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間に設けられ前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域よりも不純物濃度が低い第３の半導体領域と、を有するダイオードと、前記第１の半導体領域、前記第２の半導体領域及び前記第３の半導体領域を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられ、前記第１の半導体領域に電気的に接続された第１の遮光電極と、前記絶縁膜の上に設けられ、前記第２の半導体領域に電気的に接続された第２の遮光電極と、を備え、前記第１の遮光電極は、前記絶縁膜を介して前記第３の半導体領域と相対する第１の領域を有し、前記第２の遮光電極は、前記絶縁膜を介して前記第３の半導体領域と相対する第２の領域を有する光検出装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。第１の半導体の成長を停止させ、第１の半導体の表面に、Ｖ族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第１の基板温度とは異なる第２の基板温度に変化させる。第１の半導体の上に、第１の半導体とは異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第２の半導体を、第２の基板温度で成長させる。基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】長波長帯に対応可能な受光感度を有し、かつ、暗電流のばらつきの少ない半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半絶縁性のFeドープInP基板１上にSnドープｎ型InPバッファ／コンタクト層２と、アンドープInGaAsSb光吸収層４と、Beドープｐ型InGaAs／Beドープｐ型InGaAsPコンタクト層５とが順次積層されてなる構造を備えた半導体受光素子において、光吸収層４とコンタクト層５との境界面の面積を3.14×10²μｍ²以上7.85×10³μｍ²以下とした。 （もっと読む）

【課題】小型で持ち運びやすく、設置場所に制限されず、かつ低電圧で動作できる装置が実現可能となる、フォトダイオードを用いた波長スペクトル検出方法を提案する。
【解決手段】任意の光の波長スペクトルを検出する方法であって、光電変換素子であるフォトダイオードを用いて、前記フォトダイオードから得られる光電流値（もしくは光電流に起因した電圧値）を用いて、前記フォトダイオードに、予め波長と光電流値が判明している比較用の光を入射させたときの光電流値を検出し、前記フォトダイオードに前記任意の光を入射させたときの光電流値と数式２に基づいて、前記任意の光の波長スペクトルを検出する。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＳＰは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面２１ａ及び第２主面２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備えている。シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成されていると共に、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。シリコン基板２１の第２主面２１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】高速応答性に優れ、かつ外部電源が必要ない、半導体受光素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体受光素子は、ｐ型導波路１０１ａと、導波路１０１ｂと、ｎ型導波路１０１ｃからなる第１のｐｉｎ構造有する導波路領域１０１を備える。
また、導波路領域１０１上に、クラッド層１０２ａと、光吸収層１０２ｂと、コンタクト層１０２ｃからなる第２のｐｉｎ構造を有し、導波路領域１０１よりも電気容量が小さい光吸収領域１０２を備える。導波路領域１０１の最上層であるｎ型導波路１０１ｃと、クラッド層１０２ａとは電気的に接続されている。そして、導波路１０１ｂで発生した光起電圧により、光吸収層１０２ｂに電界が生じる。 （もっと読む）