【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１０に凸層１１を形成する。導電層４０を凸層１１の一側面に接触するようにして半導体層１０の表面に積層する。第１電極２１を凸層１１の反対側の面に接触するようにして半導体層１０の表面に設ける。第２電極２２を導電層４０に設ける。更に、凸層１１又は導電層４０に多数の周期構造３３を含む金属ナノ構造３０を積層する。各周期構造３３は複数の第１凸部３１からなり、第１凸部３１の配置間隔が周期構造３３に応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】ガードリングを比較的小さくする。
【解決手段】フォトダイオードは、アバランシェダイオードを構成する中央部１０と、該中央部を隣接する中央部から隔離するガードリング部１２と、を含む。そして、中央部１０または前記ガードリング部１２に外部から所定の元素を導入して拡散する。例えば、中央部１０に炭素を導入する。これによって、中央部１０とガードリング部１２とのイオン化率の差がより大きくなるようにイオン化率を変化させる。 （もっと読む）

【課題】分光感度特性の安定化に貢献することができ、製品にばらつきが発生し難いうえ視感度特性に近似した特性を容易に確保することができる受光素子、半導体装置、電子機器、および受光素子の製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１積層構造体Ｂ１は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ａと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ａと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ａと、を有し、第２積層構造体Ｂ２は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｂと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第３層２１ａと、を有し、第３積層構造体Ｂ３は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｃと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第４層２１ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１と、ＩｎＰ基板の上に位置するＭＱＷの受光層と、受光層上に位置するｐ型コンタクト層４と、ｐ型コンタクト層にオーミック接触するｐ側電極１１とを備え、ＭＱＷが、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）層と、ＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）層とを対とする積層構造であり、ｐ型キャリア濃度、１×１０^１４ｃｍ^−３以上、かつ５×１０^１５ｃｍ^−３以下、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、食品の品質を高感度で検査することができる食品品質検査装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光感度の優れた光抵抗方式の受光素子を提供する。
【解決手段】第１のIII族窒化物からなる第１層と、第１のIII族窒化物とは組成が異なる第２のIII族窒化物からなる第２層とが繰り返し交互に積層された超格子構造を有するコンタクト部を、第３のIII族窒化物からなる受光層の上において対向電極を構成する櫛歯状電極である第１の電極と第２の電極の電極指形成位置に対応させて形成したうえで、第１と第２の電極をそれぞれ、対応するコンタクト部を被覆しつつコンタクト部および受光層と接合形成する。 （もっと読む）

【課題】イオンドープ面を形成し暗電流を抑制することができる有機薄膜受光素子を提供する。
【解決手段】基材１上に、少なくとも一方が光透過性を有する第１の電極２および第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に介在され入射する光を吸収して光キャリアを生成する光導電性有機薄膜層３と、を有し、第１の電極２および光導電性有機薄膜層３の少なくとも一方は、第１の電極２と光導電性有機薄膜層３との界面にイオンをドープ処理したイオンドープ面５を備え、第１の電極２の仕事関数のエネルギーの大きさは、光導電性有機薄膜層３のイオン化ポテンシャルのエネルギーよりも小さく、第１の電極２は、光誘起電流として発現させるため、光キャリアが輸送可能な第２の電極４よりも正に大きな電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を低減するとともに、応答速度の低下を抑制することができる、ＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】 光導電セル１は、基板２と、この基板２の上に成長させられたｎ型ＭｇＺｎＯ層３とを備えている。ｎ型ＭｇＺｎＯ層３は、ＺｎＯにＭｇが含有されたＭｇ_ｘＺｎ_ｘ−１Ｏ（ただし、０≦ｘ≦１）混晶からなる。また、ｎ型ＭｇＺｎＯ層３には、たとえば、１×１０^１６ｃｍ^−３〜１×１０^２０ｃｍ^−３のドーピング濃度で、窒素がドーピングされている。そして、このｎ型ＭｇＺｎＯ層３には、ｎ型ＭｇＺｎＯ層３における受光により発生する電気信号を取り出すためのオーミック電極４（オーミック電極４１およびオーミック電極４２）がオーミック接合されている。 （もっと読む）

【課題】赤外光への感度のさらなる向上を図りうる赤外光検出器を提供する。
【解決手段】赤外光検出器１００によれば、第１電子層１０２の孤立領域１０の「遮断状態」および「接続状態」が切り替えられる。接続状態の実現により、遮断状態における孤立領域１０の帯電量の飽和ひいては第２電子層１０４の電気伝導率の変化の飽和が解消されうる。したがって、第２電子層１０４の電気伝導率の変化が累積的に検出され、これによって赤外光の感度のさらなる向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上し、且つ暗電流を低減することができる光検出器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光検出器１は、ｎ型ＩｎＡｓ基板１２と、ｎ型ＩｎＡｓ基板１２上に形成されたｎ型ＩｎＡｓバッファ層１４と、ｎ型ＩｎＡｓバッファ層１４上に形成されたｎ型ＩｎＡｓ光吸収層１６と、ｎ型ＩｎＡｓ光吸収層１６上に形成されたＩｎＡｓ_ＸＰ_ＹＳｂ_{１−Ｘ−Ｙ}キャップ層１８（Ｘ≧０、Ｙ＞０）と、キャップ層１８上に形成されており、堆積方向に開口部２０ｈを有する第１の無機絶縁膜２０と、第１の無機絶縁膜２０の開口部２０ｈからｐ型不純物を拡散することによって形成され、キャップ層１８からｎ型ＩｎＡｓ光吸収層１６の上層まで達するｐ型不純物半導体層２４と、第１の無機絶縁膜２０上及びｐ型不純物半導体層２４上に形成された第２の無機絶縁膜２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】感度および応答速度がともに優れたシリコン系の受光素子を提供する。
【解決手段】シリコン原子を主成分とする母体半導体と、格子点サイトの前記シリコン原子と置換されるｎ型ドーパントＤと、前記ｎ型ドーパントＤに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚとを含み、前記異種原子Ｚは前記ｎ型ドーパントＤとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となっている光電変換層を有することを特徴とする受光素子。 （もっと読む）

【課題】有機エレクトロルミネッセント素子を提供する。
【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は画素素子からなる。画素素子は、制御領域と感知領域を有する基板と、制御領域を被覆するスイッチ装置と駆動装置と、感知領域を被覆するフォトセンサーとなるフォトダイオードと、感知領域に配置され、フォトセンサーを発光させるOLED素子と、フォトセンサーと駆動装置に結合されるキャパシタと、からなる。特に、フォトダイオードがOLED素子がフォトダイオードに照射する光線を感応することにより、OLED素子の輝度に対応するフォト電流が生成され、キャパシタの電圧はフォト電流により調整されて、駆動装置を経る電流を制御し、OLED素子の輝度を変化させる。OLEDの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】複雑な装置等を必要とせず、可視光に感度がなく、且つ、応答速度の速い紫外線センサを提供すること。
【解決手段】紫外線センサは、光起電力型のものであり、酸化亜鉛単結晶基板１１と、その＋ｃ面上に形成されたショットキー電極１２からなる紫外線受光部を備える。ショットキー電極１２は、紫外線透過性を呈するような膜厚を有しており、例えば、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔｅ又はＷからなる層を少なくとも一層備えたものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】
従来、フォトダイオード又はフォトダイオードの樹脂封止体には空乏層に集光する為に反射面やレンズが備えられたが、反射面で反射した光の全てが空乏層に入射するわけでない。また、光を反射する性質を持たないフィラーをフォトダイオードの樹脂封止体に混合しており、フォトダイオードに入射する光が空乏層に到達できるとは限らない。
本願発明は上記課題を解決する為になされたもので、フォトダイオードに入射する光の一部をフォトダイオードの空乏層へ集光又は到達させることを目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成する為に、本発明は、フォトダイオードの基板又は半導体層に反射面を備えた。また、フォトダイオードを収容する筐体に拡散体を充填した。 （もっと読む）

特にナノ領域で個々の材料成分を堆積する公知方法は顕微鏡のプローブチップと基板の間に電界を使用して運転し、電界に前駆物質ガスを、材料成分を含有する１種の化合物と一緒に導入する。電界の作用下に化合物が分離し、材料成分が遊離し、材料成分が引き続き基板上にプローブチップの下に狭く限られた領域に堆積する。本発明の方法では複数の先駆物質ガス（ＰＧ）を、他の材料成分（Ｃｄ、Ｔｅ）を含有するそれぞれ他の化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）と一緒にガス混合物中で、調節可能な混合比で、同時にまたは相前後して使用し、分離された異なる前駆物質化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）から分離された材料成分（Ｃｄ，Ｔｅ）から選択された混合比に相当して共通の化合物（ＣｄＴｅ）を形成し、この化合物を基板（Ｓ）に局所的に堆積する。従ってパラメーターを調節した化合物材料、特に化合物半導体を異なる材料成分と一緒に変動できる濃度で堆積できる。有利に異なるスペクトル帯域の間隙を有するナノ構造化された、堆積されたナノポイントからのフォトダイオードまたは発光ダイオードを有する半導体部品を形成することもできる。
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【課題】発振しきい値を比較的容易に低減することができるサブバンド間遷移を利用した電磁波発生・検出素子を提供することである。
【解決手段】電磁波発生・検出素子は、半導体材料による量子井戸構造の量子井戸に生成されたサブバンド間の遷移により電磁波に対する利得を与える利得媒体１０が基板１に備えられている。基板１の面方向とはほぼ垂直方向に所定周波数領域の電磁波を閉じ込めるための複数の反射体２、９が設けられ、反射体２、９が利得媒体１０を挟んで一定間隔を隔てて備えられる様にするためのスペーサ手段３が、利得媒体１０とは異なる材料部により構成されている。 （もっと読む）

【課題】ｎ−ＩｎＰ基板の上にＩｎＧａＡｓ、またはＩｎＧａＡｓＰ受光層とｎ−ＩｎＰ窓層を設けＩｎＰ窓層の側から亜鉛を選択拡散してｐ型領域を作製したフォトダイオードにおいて、亜鉛分布プロフィルが急峻であってかつ表面近くのｐ型領域におけるｐ型キャリヤ濃度が４×１０^１８ｃｍ^−３以上であるＩｎＰ系のフォトダイオードを与えること。
【解決手段】 ４８０℃〜５６０℃の温度範囲で閉管法又は開管法で亜鉛を熱拡散し、窒素、不活性ガス雰囲気または真空中で４００℃〜４２０℃、１０分〜３０分の熱処理をすること。低温の熱拡散で亜鉛分布プロフィルが急峻になる。低温の熱拡散でｐ型キャリヤ濃度は低くなるが、熱処理をするのでｐ型キャリヤ濃度が４×１０^１８ｃｍ^−３以上に上がる。 （もっと読む）

【課題】 より長波長の半導体光源の活性層、あるいは半導体光増幅器の活性層として使用できる半導体薄膜構造を提供する。
【解決手段】 III-Ｖ族化合物半導体基板１０１上に、III-Ｖ族化合物半導体薄膜が積層された構造において、前記半導体混晶薄膜の少なくとも一層が活性層１０５であり、相分離によって形成された混晶組成の異なる複数の領域１０５ａ、１０５ｂを有するとともに、前記活性層１０５は結晶成長時における下地層の少なくとも一部にビスマスまたはアンチモン、あるいはビスマスとアンチモンの両方が添加されている。 （もっと読む）

【課題】 光検出感度を従来に比して向上可能な光検出素子を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】 内部に光電変換部を有する半導体基板１と、半導体基板１の表面上に設けられた２０ｎｍ未満の厚みを有する第１絶縁体層２と、第１絶縁体層２上に設けられた第２絶縁体層３とを備えた光検出素子の製造方法において、第1及び第２絶縁体層を形成す光検出素子の製造時に紫外線を照射すると、照射後の感度が照射前の感度に対して増加する。 （もっと読む）

【課題】 容易な光導波モジュールの製造方法及び光・電気複合デバイスの製造方法、並びにこの製造方法によって実現可能な信頼性の高い光導波モジュール及び光・電気複合デバイスを提供すること。
【解決手段】 シリコン基体２に光導波層３を形成する工程と、光導波層３の一部分を除去して凹部６を設ける工程と、凹部６内に受光素子構成層を成膜する工程とを有する、光導波モジュールの製造方法、及びこの製造方法により得られる光導波モジュール１。本発明の光導波モジュールの製造方法によって得られた光導波モジュール１において、光導波層３及び受光素子４を含む基体２上に、絶縁膜１２を介して半導体層１３を接合する、光・電気複合デバイスの製造方法、及びこの製造方法により得られる光・電気複合デバイス１４。 （もっと読む）