【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】Ｐ⁻型半導体基板２０は、互いに対向する第１主面２０ａ及び第２主面２０ｂを有し、光感応領域２１を含んでいる。光感応領域２１は、Ｎ^＋型不純物領域２３と、Ｐ^＋型不純物領域２５と、Ｐ⁻型半導体基板２０においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域と、からなる。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂには、不規則な凹凸１０が形成されている。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂ側には、アキュムレーション層３７が形成されており、アキュムレーション層３７における、光感応領域２１に対向している領域は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＳＰは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面２１ａ及び第２主面２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備えている。シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成されていると共に、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。シリコン基板２１の第２主面２１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、複数の光検出チャンネルＣＨがｎ型半導体層３２を有する基板Ｓを備える。フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ⁻型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。ｐ⁻型半導体層３３は、ｎ型半導体層３２との界面でｐｎ接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域ＡＭを光検出チャンネルに対応して複数有する。ｎ型半導体層３２の表面には不規則な凹凸１０が形成されており、当該表面は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】隣接する光電変換部間の距離が小さくなった場合における光電変換部の感度の低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板ＳＢに配された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部を互いに分離するように前記半導体基板に配された分離部１０３とを備え、前記光電変換部は、第１の導電型と反対の第２の導電型の不純物を含む第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域の下に配され、前記第２の半導体領域より低い濃度で前記第２導電型の不純物を含む第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の下に配され、前記第１導電型の不純物を含む第４の半導体領域とを含み、前記分離部１０３は、前記半導体基板ＳＢの表面より深い位置であって少なくとも前記第２の半導体領域の側方に配され、前記第１導電型の不純物を含む第５の半導体領域と、前記第５の半導体領域の下方であって少なくとも前記第３の半導体領域の側方に配される。 （もっと読む）

【課題】例えば、感度が高められた光電変換素子、及び光電変換装置、並びにイメージセンサを提供する。
【解決手段】下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上に形成されたゲート絶縁膜（４１）、絶縁膜（４２）、（４３）及び（４４）のうちアクリル樹脂の有機樹脂から構成された絶縁膜（４３）上に形成されている。下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有している。したがって、下電極（１５１ｅ）によれば、フォトセンサ（１５１）の上側からフォトセンサ（１５１）に入射した入射光のうちｎ型半導体層（１５１ｂ）、受光層（１５１ｃ）及びｐ型半導体層（１５１ｄ）を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特異な電子特性を利用して、極低温を必要することなく、小規模の装置で、非常に微弱なテラヘルツ光の強度を明確に検出でき、かつその周波数を非常に広い周波数範囲で正確に測定することができるテラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化層が形成された半導体チップ１２と、半導体チップの表面に密着して設けられた２次元グラフェン１４、導電性のソース電極１５、及びドレイン電極１６と、半導体チップの裏面に密着して設けられたゲート電極１７とを備える。２次元グラフェン１４は、半導体チップの表面に沿って延び、かつその両端部がソース電極とドレイン電極に接続されている。さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電流を流し、その間のＳＤ電圧Ｖ１を検出するＳＤ電圧検出回路１８と、ゲート電極に可変ゲート電圧Ｖ２を印加するゲート電圧印加回路１９と、２次元グラフェンに可変磁場Ｂを印加する磁場発生装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】半導体基板２を絶縁層４が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板２を貫通して絶縁層４に至る孔Ｈ１を光感応領域Ｓ１に対応する位置に形成する。次に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７に、不規則な凹凸２２を形成する。絶縁層４のｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層４が除去されると共に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸２２が面７の全面に形成される。次に、不規則な凹凸２２が形成された基板を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】カラーＣＣＤリニアセンサの出力感度向上を図るとともに、小型化を実現させる。
【解決手段】受光部２の第１列１１に第１基本画素７を配置し、第１列１１の隣の第２列１２に第２基本画素８を配置する。その第１基本画素７は、第１色に対応する第１列第１色画素７−１と、第１列第１色画素７−１の隣に配置され、第２色に対応する第１列第２色画素７−２と、第１列第２色画素７−２の隣に配置され、第３色に対応する第１列第３色画素７−３とを含むものとする。また、第２基本画素８は、第１色に対応する第２列第１色画素８−１と、第２列第１色画素８−１の隣に配置され、第２色に対応する第２列第２色画素８−２と、第２列第２色画素８−２の隣に配置され、第３色に対応する第２列第３色画素８−３とを含むものとする。その第２列第１色画素８−１は、第１列第２色画素７−２の隣に配置される。 （もっと読む）

【課題】近赤外線に対する受光感度やダイナミックレンジを高めることを可能にして、車載用赤外線イメージセンサーに必要な高速性や、暗所監視イメージセンサーに求められる高感度化、高ダイナミックレンジ化を実現することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子１は、近赤外線ラインセンサー部２と近赤外線反射可動ミラー部３とからなる。近赤外線ラインセンサー部２は、ｐ型シリコン基板１１の上面１３側の一部にｎ型シリコン領域１２を形成してなるものであり、ｎ型シリコン領域１２は、ｐ型シリコン基板１１の側面１４側から入射する近赤外線の入射方向に沿って、その長さが数１０μｍ〜数１００μｍとなるように形成されている。シリコン層２４とシリコン基板２２との間にはミラー駆動用回路が形成され、ミラー駆動用電圧が印加されることにより、シリコン層２４の可動部２４ｂが斜め下方に傾く。 （もっと読む）

本発明は複合誘電体ゲートＭＯＳＦＥＴ構造を有す感光検出器とその信号読み取り方法に関する。ＭＯＳＦＥＴ構造検出器がｐ型半導体基板上に形成される。ｎ型半導体領域がｐ型半導体上部の２つの側面に位置し、ソースとドレインを形成する。下層の誘電体層、光電子蓄積層、上部誘電体層、および制御ゲートが順に基板上に積み重ねられる。上部の絶縁誘電体によって、光電子蓄積層に蓄積された光電子が制御ゲートに漏れ出るのを防ぐことが可能である。ソースとドレインは、光電子が集められ光電子蓄積層に注入され蓄積される際に、浮いた状態にある。基板またはゲートの表面に入射光を検出するための透明または半透明の窓が形成されている。本発明の検出器は、優れた拡張性、フラッシュメモリ製造技術との互換性、低いリーク電流、ＣＣＤよりも速い撮像速度、加工不良に対する非感受性、他の構造よりも広いダイナミックレンジ、およびより高い信号読み取り精度を有する。
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【課題】本発明は、光ショットノイズを抑制した状態で、アバランシェ増倍によって感度の向上を可能にする。
【解決手段】第１電極２１と、前記第１電極２１に対向して形成された第２電極２５と、前記第１電極２１と前記第２電極２５との間に形成されていて、導電膜２２中にナローギャップ半導体の量子ドット２３を分散させた光電変換膜２４とを有し、前記第１電極２１および前記第２電極２５の一方の電極が透明電極で形成され、他方の電極が金属電極もしくは透明電極で形成されている。 （もっと読む）

本発明のフォトダイオードは、第1の型の導電性を有する半導体の第1および第2の層(1、3)の間に設けられる中間層(2)を含む、3つの層のスタック、ならびに、少なくとも中間層(2)および第2の層(3)と接触し、3つの層(1、2、3)の平面に対して横断方向に延在する領域(4)を含み、前記領域(4)は、第1の型の導電性と反対の第2の型の導電性を有する。中間層(2)は、第2の型の導電性を有する半導体材料で作製され、前記領域(4)とP-N接合を形成するために、第2の型の導電性から第1の型の導電性への、中間層(2)の導電性の型の反転が、第1および第2の層(1、3)内の第1の型の導電性のドーパントにより引き起こされる。
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【課題】フォトダイオードを透過した長波長領域の光が有効に光電変換されるようにして、感度の向上を可能とする。
【解決手段】半導体層１１中に形成された光電変換部２１と、前記光電変換部で光電変換された信号電荷を取り扱うもので、前記光電変換部に入射する光の入射側とは反対側の前記半導体層１１に形成された信号回路部(図示せず)と、前記光電変換部を透過した光を前記光電変換部側に反射するもので前記光電変換部の光入射側とは反対側に形成された反射層４３とを備える。前記反射層４３は、前記半導体層１１の光の入射側とは反対側の上方に形成された配線層５３とは異なる層であって、前記半導体層１１と前記配線層５３との間の絶縁膜８１に形成された孔９３内に埋め込むように形成されている。 （もっと読む）

感光デバイスは、それぞれが仕事関数を有する第１のコンタクトおよび第２のコンタクトと、第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間の感光物質とを備えるデバイスを含む。感光物質はｐ型半導体またはｎ型半導体を含み、感光物質は仕事関数を有する。回路が第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間にバイアス電圧を印加する。バイアスが第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間に印加されたとき、感光物質は、第１のコンタクトから第２のコンタクトまでの電子走行時間より長い電子寿命を有する。第１のコンタクトは電子の注入を提供し、正孔の抽出を阻止する。第１のコンタクトと感光物質間の界面は、１ｃｍ／ｓ未満の表面再結合速度を提供する。
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【課題】小さい画素サイズでも充分な応答特性が得られる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】それぞれ半導体基体７の厚さ方向に延びて形成された、ｎ^＋領域２と、ｐ^＋領域３と、ｎ^＋領域２とｐ^＋領域３とに挟まれているアバランシェ領域４とを有する構造のアバランシェフォトダイオードと、このアバランシェフォトダイオードの構造を複数個繰り返し含む画素を含む固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 可視光領域だけでなく赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する酸化物透明電極膜を提供する。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、チタンを含有し、１５０℃以上３５０℃以下に加熱された基板上に成膜されており、酸化インジウムのインジウムがチタンに、チタン／インジウムの原子数比で０．００３〜０．１２０の割合で、置換され、酸化インジウムは結晶質であり、酸化物透明電極膜の比抵抗が５．７×１０^-4Ωｃｍ以下であり、ホール測定効果によるキャリア電子濃度が５．５×１０^-3以下であり、かつホール効果測定によるキャリア電子の移動度が４０ｃｍ²／Ｖｓｅｃ以上である酸化物透明電極膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、生体成分を高感度で検出することができる生体成分検出装置を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、生体成分検出装置は、波長３μｍ以下の生体成分の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電流利得のばらつきを低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基体１と、この半導体基体１の表面の一部に形成された、バイポーラトランジスタの第２導電型のコレクタ層２と、このコレクタ層２の一部に形成された、バイポーラトランジスタの第１導電型のベース層６と、このベース層６の一部に形成された、バイポーラトランジスタの第２導電型のエミッタ層７と、このエミッタ層７の直下の領域を除いた部分の半導体基体１に形成された、第１導電型の半導体層９とを含む半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】
単結晶、微結晶、又は多結晶で構成される有機光電変換層を用いつつ、抵抗率を向上させることにより、光電変換効率が高く、解像度の高い光電変換膜及びこれを用いた撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
有機材料製の正孔注入阻止層、光電変換層、及び電子注入阻止層が積層され、バイアス電圧が印加される光電変換膜であって、光電変換層の電子伝導準位Ｅ_ｃ、正孔伝導準位Ｅ_ｖ、正孔注入阻止層の電子伝導準位Ｅ_ｃＨ、正孔伝導準位Ｅ_ｖＨ、電子注入阻止層の電子伝導準位Ｅ_ｃＥ、正孔伝導準位Ｅ_ｖＥに対し、｜Ｅ_ｃＨ｜＞｜Ｅ_ｃ｜、｜Ｅ_ｖＨ｜＞｜Ｅ_ｖ｜、｜Ｅ_ｖ｜＞｜Ｅ_ｖＥ｜、及び、｜Ｅ_ｃ｜＞｜Ｅ_ｃＥ｜が成立し、電子注入阻止層又は正孔注入阻止層のうち、信号読み出し側になる阻止層の抵抗率は１０^１０Ω・ｃｍ以上であり、キャリアの移動度は１０^−３ｃｍ^２／Ｖｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を実現することができる光電変換素子、撮像素子、及び、光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極２０１，２０４と、前記一対の電極２０１，２０４の間に設けられた光電変換層２００、２０２とを備えた光電変換素子であって、光電変換層２００、２０２が複数層で構成され、複数層の各層がドナー−アクセプタ連結構造で且つ同じ有機化合物から構成され、複数層の一部の層が他の層と配向性が異なる。 （もっと読む）