【課題】二次元フォトニック結晶の面内方向の外側に漏れる光のロスと、発光に寄与せず吸収層として働いてしまうことによる活性層での吸収ロスとを抑制し、光の利用効率を向上させることが可能となる二次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、特定の光を吸収するシリコンを含む光吸収層によって形成された光電変換層が、前記基板面に対して垂直な方向に積層された積層構造による受光素子であって、
前記光電変換層が、前記特定の光の波長に対応した光共振器を形成する前記積層構造中に配された一対の多層膜反射鏡によって狭持された構造を備え、
前記一対の多層膜反射鏡による光共振を可能とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、水分を高感度で検出することができる水分検出装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩＩＩ−Ｖ族半導体基板のバンドギャップエネルギより小さく、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、検出装置は波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、水分を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び高速応答性に優れた光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、光電変換膜が、フラーレン又はフラーレン誘導体と、吸収スペクトルが下記（Ａ）及び（Ｂ）の少なくともいずれかの条件を満たす光電変換材料とを含む。（Ａ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつλ_Ｍ２＜λ_Ｌ２（Ｂ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつΔ｜λ_Ｍ１−λ_Ｌ１｜＞Δ｜λ_Ｍ２−λ_Ｌ２｜（Ａ）及び（Ｂ）において、λ_Ｌ１、λ_Ｌ２、λ_Ｍ１、及びλ_Ｍ２は、波長４００〜８００ｎｍの範囲における最大吸収強度の１／２の吸収強度を示す波長であって、λ_Ｌ１及びλ_Ｌ２は、前記光電変換材料をクロロホルムに溶解させたときのクロロホルム溶液スペクトルにおける波長を表し、λ_Ｍ１及びλ_Ｍ２は、前記光電変換材料単独の薄膜吸収スペクトルにおける波長を表す。ただし、λ_Ｌ１＜λ_Ｌ２、λ_Ｍ１＜λ_Ｍ２。 （もっと読む）

【課題】光センサの感度のばらつきを低減することができる半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を透過しないＭｅｔａｌ層２６の下部領域、すなわち、Ｎ−ＷＥＬＬ層１４上部方向から照射された光が入射されない領域にＮ＋層１６が形成されており、Ｎ−ＷＥＬＬ層１４上部の光が入射される領域にはＮ＋層１６は形成されていない。これにより、受光素子１０に入射された光は、Ｎ＋層１６を透過せずに、Ｐ−Ｓｕｂ層１２とＮ−ＷＥＬＬ層１４とのＰＮ接合面に到達し、電荷を励起させる （もっと読む）

【課題】優れた発電効率を備える太陽電池素子を提供する。
【解決手段】太陽電池素子１００は、基板１１０と、マスクパターン１２０と、半導体ナノロッド１３０と、第１の電極１５０と、第２の電極１６０とを有する。半導体ナノロッド１３０は、基板１１０上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う半導体ナノロッド１３０同士の中心間距離ｐと、半導体ナノロッド１３０の最小径ｄとの比ｐ／ｄが１〜７の範囲にある。半導体ナノロッド１３０は、第１の導電型の半導体からなる中心ナノロッド１３１と、真性半導体からなり中心ナノロッド１３１を被覆する第１の被覆層１３２と、第２の導電型の半導体からなり第１の被覆層１３２を被覆する第２の被覆層１３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いて良好な量子効率（電子取り出し効率）の受光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 それぞれが窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を順に有する受光素子であって、ｎ型層と活性層との間には、ｎ型層から順に、ｎ型層のｎ型不純物濃度よりも小さいｎ型不純物濃度の第１層と、第１層の格子定数よりも大きい格子定数の第２層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 受光感度の偏りが抑制された半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子１は、基板１０１上に、光吸収領域１０５を含む半導体層１１０が配置され、さらに、前記半導体層１１０よりも光入射側にレンズ１２０が配置され、前記レンズ１２０は、光入射側に凸面を有し、前記凸面は、中心領域１２１と、前記中心領域１２１を取り囲む外周領域１２２とを有し、前記外周領域１２２は、前記光吸収領域１０５への集光に必要な曲率半径を有し、前記中心領域１２１は、平面であり、前記中心領域１２１から入射した光の前記光吸収領域１０５における光入射面積が、前記光吸収領域１０５の面積以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物及びフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｚ_１は５又は６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３はそれぞれ無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。Ｄ_１は特定の縮環構造を表す。ｎは０以上の整数を表す。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

（もっと読む）

【課題】感度が高く、素子設置面積が小さく、簡易な方法で作製できる光センサーを提供する。
【解決手段】キャリア濃度が１．０×１０^１４／ｃｍ^３以上１．０×１０^１７／ｃｍ^３以下の半導体材料からなるゲート電極１０と、前記ゲート電極と同型のキャリアによりチャネルを形成する半導体である活性層１６と、ソース電極１４Ｓと、ドレイン電極１４Ｄと、ゲート絶縁膜１２と、を有するトランジスタを備え、前記ゲート電極に形成された空乏層に対して光を照射し、前記活性層を介してソース電極とドレイン電極との間を流れる電流値の変化によって照射された光の強度を検知する。 （もっと読む）

【課題】特定の波長に対して感度を持たせた素子を材料の選定を行うことなく容易に作製可能な受光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】Ｐ型半導体１４、Ｎ型半導体１３、各電極１２、１５の何れかを構成する材料を、逆バイアス電圧を印加するとともに、堆積させる材料の吸収波長よりも長波長である希望波長の光を照射しつつ堆積させる堆積工程を有し、この堆積工程は、照射光により近接場光を発生可能な局所形状５４が堆積させている材料表面に形成されている箇所では、近接場光による非断熱過程を通じて希望波長の照射光を光吸収して電子を生成するとともに、その電子により当該局所形状５４に逆バイアス電圧に基づく局所電場を打ち消す非断熱フローと、局所形状５４が未形成の箇所では、逆バイアス電圧に基づく局所電場が生じた箇所に粒子５１を順次吸着させ、その結果、局所形状５４が形成された場合には非断熱フローへ移行する粒子吸着フローとを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード間のクロストークを低減するとともに、長波長光に対しても感度を高める。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層２１上に、第１導電型の第２半導体層２２が設けられる。第２半導体層２２における上部に、第２導電型の複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂが設けられる。各第１半導体領域２３ａ，２３ｂを取り囲むように、第２半導体層２２における上部に、第２導電型の第２半導体領域２４が設けられる。不純物濃度が第１半導体層２１及び第２半導体層２２よりも高濃度である第１導電型の複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂが、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂの下方に間隔をあけて、第２半導体層２２中に設けられる。複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂは、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂ、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と共に複数のフォトダイオードを構成する。 （もっと読む）

【課題】 高感度な半導体受光装置を構成可能な半導体受光素子、それを用いた半導体受光装置および半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子１０は、基板１１上に、光信号を電気信号に変換するフォトダイオード層１２と、半導体抵抗層１３とが、前記順序で積層され、前記フォトダイオード層１２と前記半導体抵抗層１３とが、電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に感度を持ち、冷却することなく暗電流を抑制することができる、半導体素子および半導体ウエハを提供することを目的とする。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上に形成された、単位量子井戸にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（０．３８≦ｘ≦０．６８）７およびＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層（０．３６≦ｙ≦０．６２）８を含む多重量子井戸構造を備え、ＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層の中に、またはＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層とＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層との間に、導電帯の底がＧａＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ層よりも高い第１のバリア層Ｂ_１が位置し、その第１のバリア層の厚みが０．２ｎｍ以上２．５ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）

【課題】エッジ検出オペレーションのために適切なセンサ構成を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の感光チップは、Ｙ方向に実質的に整列された少なくとも一組のフォトセンサと、複数の開口部を備える非透過的材料の層であって、前記複数の開口部における各開口部は、それぞれ中心線を有し、各フォトセンサの一部のみと重なり、前記各フォトセンサの前記一部のみが感光性を有する、非透過的材料の層と、を備え、フォトセンサの各組に対する開口部のそれぞれの前記中心線は、前記Ｙ方向の同一直線上になく、前記複数の開口部は、前記Ｙ方向に直交するＸ方向に実質的に整列されている開口部の行を少なくとも１つ含み、前記開口部のそれぞれは、前記Ｙ方向に直交するＸ方向で等しい幅を有する。 （もっと読む）

【課題】 量子効率の高い光電変換素子および光電変換方法を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子１０は、バンドギャップＥ_ｇと、電子準位および励起準位の間のエネルギの差Ｅ_ｄと、が同じである第１の量子井戸を有している、複数の励起領域４０ａと、１つの第１の量子井戸の電子準位から他の第１の量子井戸の励起準位に共鳴トンネル現象で電子を導く複数の第２の量子井戸を有している、複数のトンネル領域４０ｂと、を有しており、励起領域４０ａと、トンネル領域４０ｂと、が交互に重なって設けられている。 （もっと読む）

【課題】等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させた赤外線検出装置を実現する。
【解決手段】赤外線検出装置に、主面部に所定のピッチで所定深さの溝部が形成されたシリコン基板と、前記主面部及び溝部上面に形成され、上記シリコン基板との間でショットキバリアダイオードを形成する白金シリサイド層と、この白金シリサイド層の上面部に形成された反射金属層とを備えることにより、等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高い感度を得ることができる光検知器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１と、下部電極１上方に形成された活性層９と、活性層９上方に形成された上部電極４と、が設けられている。活性層９には、障壁層２と、障壁層２と格子整合する量子井戸層３と、が設けられている。障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。量子井戸層３には、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃと、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃの結晶に格子歪を生じさせる第２の化合物半導体層３ｂと、が設けられている。 （もっと読む）