【課題】波長が長い光に対しても受光感度を上げると共に、簡単なプロセスで安価に形成することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン半導体基板２とｎ型シリコン半導体３との接合部に生じる空乏領域に入射した光を光電変換する撮像素子１において、ｎ型シリコン半導体３が、ｐ型シリコン半導体基板２の内部に、当該ｐ型シリコン半導体基板２の面方向、且つ光の入射方向に沿って長手方向に延在して複数配設されて形成される。また、入射光の侵入長に対応させた位置、及び長さでｎ型シリコン半導体３を複数配設することで、侵入長に応じた色の光を個々に光電変換することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、中赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板の表面に設けられた少なくとも第１のｎ型半導体層２と、第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３のｉ型半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２のｐ型半導体層３と、第２のｐ型半導体層３と第３のｉ型半導体層４との間の、複数の第４の半導体層５と、第５の半導体層６とから構成されている。第４の半導体層５のバンドギャップは第２、第３の半導体層のバンドギャップより大きく、複数の第４の半導体層５と第５の半導体層６は交互に積層され、超格子構造を形成しており、赤外線によって第３の半導体層で生じた拡散電流およびリーク電流を抑制することによって、入射光量に対する電気出力が増加し、Ｓ／Ｎ比の向上を実現した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ５５は、ＩｎＰ基板１上に位置するｎ型バッファ層２と、タイプ２型のＭＱＷからなる受光層３と、受光層の上に位置するコンタクト層５と、受光層３を経てｎ型バッファ層２に至るｐ型領域６とを備え、選択拡散によるｐ型領域は、隣の受光素子におけるｐ型領域とは、選択拡散されていない領域により隔てられており、ｎ型バッファ層内において、ｐ型領域のｐ型キャリア濃度と該バッファ層のｎ型キャリア濃度との交差面がｐｎ接合１５を形成していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感知可能な周辺光の範囲を拡張し、低い照度での分解能を向上させる。
【解決手段】光感知回路は、第１基準電圧および第２電源の間に連結されるＰ１と、Ｐ１のゲート電極および第２電極の間に連結され、ゲート電極に第１制御信号が印加されるＰ２と、第１基準電圧とＰ１との間に連結され、ゲート電極に第２制御信号が印加されるＰ３と、第２電源とＰ１との間に連結され、ゲート電極に反転された第２制御信号が印加されるＰ４と、第２基準電圧と第３基準電圧との間に連結されるＰＤと、第２基準電圧とＰＤのカソードとの間に連結され、ゲート電極に第１制御信号が印加されるＰ５と、ＰＤのカソードと第３基準電圧との間に連結されるＣ１と、ＰＤのカソードとＣ１の第１電極との間に連結され、ゲート電極に第３制御信号が印加されるＰ６と、Ｐ１のゲート電極およびＣ１の第１電極の間に連結されたＣ２とを含む。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い感度を有し、撮像画像に滲みが発生するのを抑制することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子Ｐと、複数の光電変換素子Ｐの各々で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部３とを有する撮像素子であって、光電変換素子Ｐが、前記電荷を捕集する画素電極６と、画素電極６と対向する対向電極１０と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられ、入射光に応じて前記電荷を発生する光電変換層９と、画素電極６と光電変換層９との間に設けられた電子ブロッキング層７とを含み、画素電極６同士の間隔が２５０ｎｍ以下であり、電子ブロッキング層７の各々の画素電極６側の面から対向電極１０側の面までの表面電位の変化量が−１ｅＶ以上、３ｅＶ以下となっている撮像素子。 （もっと読む）

【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子の光電変換効率を動作初期から長期間高く維持できるようにする。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間に、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とを混合して含む有機光電変換層１２を備える。好適には、有機光電変換層１２は、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とをバルクヘテロ構造で備える。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極（画素電極６、対向電極１０）と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層９と、光電変換層９と画素電極６との間に設けられた電荷ブロッキング層７とを有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９と電荷ブロッキング層７との間に設けられ、ガラス転移温度が２００℃以上の有機化合物で構成された中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を示し、かつ、暗電流値が低く、素子を加熱処理した場合にも、外部量子効率の低下を抑え、暗電流の増加幅を小さくすることが可能な、耐熱性に優れた光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】導電性薄膜、有機光電変換膜、ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子。有機光電変換膜が、ガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以上のｐ型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するｐ型有機光電変換材料を含有し、ブロッキング層が、Ｔｇが１４０℃以上であるブロッキング材料を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン、あるいは微結晶シリコンで作製したフォトダイオードを使用し、構造が簡単で、かつ低電圧で駆動可能なフォトセンサ装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオードがアレイ状に配置されたフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイの各行のフォトダイオードの第１電極に接続される複数の走査線と、前記フォトダイオードアレイの各列のフォトダイオードの第２電極に接続される複数の読出線と、前記複数の走査線に接続され、１水平走査期間毎に、前記各走査線に順次選択走査信号を供給する走査回路と、前記複数の読出線に接続され、信号読み出し時に、１水平走査期間の前記各読出線の電圧変動を信号電圧として取り込む信号処理回路とを備え、前記各フォトダイオードは、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製されており、信号読み出し時に、前記各フォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードをより低いバイアス電圧で動作させても、より高い感度が得られるようにする。
【解決手段】電子走行層１０３の上に形成された第１導電型の半導体からなる電界制御層１０４を備える。第１半導体層１０２，電子走行層１０３、電界制御層１０４、および第２半導体層１０７は、光吸収層１０５を構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成され、電子走行層１０３および光吸収層１０５は、第１半導体層１０２，電界制御層１０４、および第２半導体層１０７よりも不純物濃度が低い状態とされている。 （もっと読む）

【課題】
高速、高感度並びに入力光に対する光学位置合わせトレランスの大きな面入射型フォトダイオードを提供する。
【解決手段】
面入射型フォトダイオードにおいて、光吸収層４の上下に接しているクラッド層５、３の少なくとも光の入力側にある当該クラッド層３の形状が入力光１１の進行方向に対して層の幅が狭くなるテーパー状とし、光吸収層４の接合面積よりクラッド層３の受光面積を大きくする。これにより、入力光１１と面入射型フォトダイオードとの間の光学位置合せトレランスの改善を図り、面入射型フォトダイオードの高速化、高感度化、高光結合化を図る。 （もっと読む）

【課題】全波長帯の量子効率に優れた垂直構造のシリコン光電子増倍管を提供すること。
【解決手段】本発明は垂直構造のシリコン光電子増倍管に係り、さらに詳しくは、ガイガーモードで動作する多数のマイクロピクセルと、前記マイクロピクセルの周りに配設されるトレンチ電極と、前記マイクロピクセル及び前記トレンチ電極が載置されると共に、外部につながるように部分的に開放された状態の基板と、を備えて、前記トレンチ電極と前記マイクロピクセルとの間に逆バイアスを加えることにより電場が水平に形成されることをその構成上の特徴とする。特に、前記マイクロピクセルは、ｐ型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるＰＮ接合層と、を備えていてもよい。 （もっと読む）

【課題】信号電荷を効率的に読み出すことができ、残像の発生を抑制することができる有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】射光を光電変換し、信号電荷を生成する有機光電変換膜を備えた有機光電変換素子１０であって、有機光電変換膜１０１の一方の面に設けられた第１電極と、有機光電変換膜１０１の他方の面に配列された複数の第２電極とを備え、隣り合う第２電極同士の間の隙間が３μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の面積を増加させることなく、分光感度特性のリップルを低減させ、かつ出力感度を向上させることのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、Ｎ型領域１３とＰ型領域１４を有し、受光面のＰ型領域１４上に屈折率が均一な透明絶縁膜１５が形成され、フォトダイオードＰＤ２は、フォトダイオードＰＤ１と画素開口部およびＮ型領域１３とＰ型領域１４を共有し、受光面のＰ型領域１４上に透明絶縁膜１５および透明絶縁膜１５とは屈折率が異なる透明絶縁膜１６を有し、電荷読み出し部３は、フォトダイオードＰＤ１およびフォトダイオードＰＤ２に共通に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、生体成分を高感度で検出することができる生体成分検出装置を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、生体成分検出装置は、波長３μｍ以下の生体成分の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をする。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体を用いるとともに、より広範囲の光波長域の光も光電変換でき、より多くの撮像データが得られる光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６と、層間絶縁層４１、酸化亜鉛系化合物半導体薄膜４２、電極４３、４４を備え、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、前記透明電極層２６と前記下部電極層２５間及び前記電極４２、４３間に逆バイアス電圧を印加することにより、紫外領域光を光電変換して広帯域化する光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性が良く光吸収係数の高い光電変換膜を有することで、暗電流の発生を抑えて、感度を高めた固体撮像装置を可能にする。
【解決手段】シリコン基板１１上に格子整合された銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＳＳｅ）系混晶または銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−亜鉛−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＺｎＳＳｅ）系混晶からなるカルコパイライト系化合物半導体からなる光電変換膜１３を有する。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを含むナノワイヤフォトダイオードと少なくとも一つの垂直フォトゲートに動作可能に接続するナノワイヤフォトダイオードからなるデバイスに関する。

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