【課題】リーク電流が低減された高効率及び高速な光電変換を実現しつつ、製造工程も簡素化すること。
【解決手段】このフォトダイオード１は、半導体又は金属から成る基板２と、基板２上に形成された埋め込み絶縁層３と、埋め込み絶縁層３上の所定領域に沿って並んで形成されたｐ型半導体層６及びｎ型半導体層７を含む半導体層５，６，７と、半導体層５，６，７上に形成されたゲート絶縁層８と、ゲート絶縁層８上に配置され、平面状の金属膜９ａに直線状の貫通溝９ｂが等間隔に形成された回折格子部９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＭＯＳ技術と共存可能な高速高効率光検出器を作る問題に対処すること。
【解決手段】本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードと絶縁膜との界面における光の反射率を最小化し、イメージ
感度を向上させたＣＭＯＳイメージセンサーを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉのフォトダイオード１２が形成された基板１０と、基板１０の上に形
成されるＳｉＯ_２の絶縁膜１４と、基板１０及び絶縁膜１４の間に介在する半反射膜１３
と、絶縁膜１４の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線Ｍ１〜Ｍ４と、カラ
ーフィルター１９と、マイクロレンズ２１とを備えているＣＭＯＳイメージセンサーであ
って、半反射膜１３の屈折率が、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率とＳｉＯ_２の絶縁
膜１４の屈折率との間の値である。 （もっと読む）

【課題】入射光の利用効率を向上する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光路部材２２０は、中心部分２２２と、中心部分２２２の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分２２１と、を含んでおり、光電変換部１１０の受光面１１１に平行な第５平面１００５内、および受光面１１１に平行で第５平面１００５よりも受光面１１１に近い第６平面１００６内において、周辺部分２２１が中心部分２２２に連続して中心部分２２２を囲み、かつ、周辺部分２２１の屈折率が絶縁膜２００の屈折率よりも高く、第５平面１００５内における周辺部分２２１の厚みＴＨ２よりも、第６平面１００６内における周辺部分２２１の厚みＴＨ４が小さい。 （もっと読む）

【課題】積層フォトダイオードにおいて半導体基板表面からの深さ距離で決まる分光特性における混色を低減し、また、３色以上の分光特性を検知することにより感度を向上させることができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板中に、第１導電型の光電変換領域（１２，１４）と、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の領域（１１，１３，１５）とを交互に複数積層した光電変換装置であって、複数の前記第１導電型の光電変換領域（１２，１４）の間に設けられる前記第２の導電型の領域（１３）に印加する電圧を制御することにより、前記半導体基板中に形成される空乏層の幅を変化させる電圧制御部（１８）を有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置を提供する。
【解決手段】温度検知部と、温度検知部に熱的に接続された吸収部１０とを含み、吸収部１０に入射した光を検出する半導体光素子であって、吸収部１０が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部１１および凸部を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置する。 （もっと読む）

【課題】近赤外の波長域１．５μｍ〜１．８μｍに十分高い感度をもち、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に接して位置するバッファ層２と、バッファ層上に接して位置する受光層３とを備え、受光層３が、バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下の第１の半導体層３ａと、それよりも大きいバンドギャップエネルギを持つ第２の半導体層３ｂとを１ペアとして、５０ペア以上を含み、第１の半導体層３ａおよび第２の半導体層３ｂが歪補償量子井戸構造を形成し、厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】赤外光カットフィルタを用いることなく、実用上問題ない色差を実現することが可能なカラー撮像用の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素電極３と、画素電極３に対向する対向電極５と、画素電極３と対向電極５との間に設けられる光電変換層を含む受光層４とを有する受光部Ｐが半導体基板１上方に複数配列された固体撮像素子１００であって、受光部Ｐの分光感度特性は、（１）波長６００ｎｍにおける分光感度が７０％以上、（２）波長６００ｎｍ以上の範囲で分光感度が単調減少、（３）波長７００ｎｍにおける分光感度が波長６００ｎｍにおける分光感度の３０％以下、（４）波長７５０ｎｍにおける分光感度が１０％以下の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層への入射光量を増加させることができ、しかも特性が良好で長寿命の有機光電変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第１の電極１２を形成する。第１の電極１２上に開口１３ａを有する絶縁層１３を形成する。開口１３ａを通じて第１の電極１２と電気的に接続され、かつ絶縁層１３上に延在するように有機光電変換層１４を形成する。有機光電変換層１４上にグラフェンからなる第２の電極１５を形成する。こうして有機フォトダイオードを製造する。この有機フォトダイオードにおいては、第２の電極１５側を受光面側とする。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】赤外線領域の電磁波を高い感度で検知することができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】検知対象の波長に対応した長さで、半導体基板１２上に形成された一対のアンテナパターン１４，１６を有する。下金属層３０、絶縁層３２及び上金属層３４の３層から成り、一対のアンテナパターン１４，１６の間に設けられ、アンテナパターン１４，１６により検出された電磁波を整流するＭＩＭダイオード１８を備える。ＭＩＭダイオード１８は、下金属層３０、絶縁層３２、及び上金属層３４が厚み向に積層して設けられ、下金属層３０及び上金属層３４が一対のアンテナパターン１４，１６の互いに対向する端部にそれぞれ接続している。アンテナパターン１４，１６及びＭＩＭダイオード１８は、半導体基板１２上に設けられた集光レンズ２０により覆われている。レンズ２０は、アンテナパターン１４，１６を被覆して半導体基板１２上に一体に設けられている。 （もっと読む）

【課題】フォトトランジスタの電流増幅率の低下が、製造要因などによりばらついた場合でも良好な光電変換特性を得ることができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により電流を生成する光電変換素子（２）と、前記光電変換素子により生成された電流をベースに入力し、前記入力された電流を増幅してエミッタより出力するフォトトランジスタ（１）と、前記フォトトランジスタより出力された電流を対数変換する対数変換部（３）と、前記フォトトランジスタのベースに電流を出力する電流発生部（５）と、前記光電変換素子の遮光状態で前記対数変換部により対数変換された信号に基づき、前記電流発生部の出力電流を制御する電流制御部（６）とを有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１ａは、柔軟性を有し、可視光に対して透明な透明基板１２と、透明基板上に設けられる透明電極１４と、透明電極の透明基板と接している面の反対側の一部に設けられる有機半導体層１６と、有機半導体層の透明電極と接している面の反対側の表面の上方に設けられる反射層７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の感度を向上させた光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１と、半導体基板１０１内に形成されたウェル領域１０２と、ウェル領域１０２内に形成された受光部を有し、受光部は第一の半導体領域１０３と第二の半導体領域１０４を有し、第二の半導体領域１０４は第一の半導体領域１０３よりも半導体基板１０１の表面側に位置し、第二の半導体領域１０４の禁制帯幅は、第一の半導体領域１０３の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】変換効率が高く、低コストであり、かつ、既存のプロセスラインへの大幅な変更を要しない光電変換装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換装置１は、光電変換層２と、光電変換層２を覆う反射防止膜４と、反射防止膜４の上にＡｇ微粒子７を含むコロイド溶液を塗布して形成されるＡｇ微粒子層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅを拡散した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法を提供する。特性を向上できる半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、以下の工程を備えている。ＧａＳｂ基板１２上にＧａＳｂを含む層を成長することにより、エピタキシャルウエハを形成する。Ｓｂ元素とＴｅ元素とを有する化合物を用いて、エピタキシャルウエハの表面側からＴｅを拡散する。半導体装置の製造方法は、上記半導体ウエハの製造方法により半導体ウエハを製造する工程と、半導体ウエハにおいてＴｅが拡散された領域に電極を形成する工程とを備える。半導体装置は、フォトダイオードであることが好ましい。センサアレイ３０の製造方法は、フォトダイオード２０を複数形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】素子性能の劣化とコストの増大を防ぐことが可能な有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電極２と電極２上方に形成された電極５と、電極２及び電極５間に形成された有機材料を含む光電変換層４と、電極２、電極５、及び光電変換層４を封止する封止層６とを含む有機光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換層４は、フラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体との混合層で構成されており、基板１上方に電極２を形成する第一の工程と、電極２の上方に光電変換層４を形成する第二の工程と、光電変換層４の上方に電極５を形成する第三の工程と、電極５の上方に封止層６を形成する第四の工程とを備え、第二の工程〜第四の工程の各工程を真空下で行い、第二の工程と第四の工程との間の各工程間に、作製途中の有機光電変換素子を非真空下に置く第五の工程を備える。 （もっと読む）

【課題】光量変化を検出する受光回路であり、次段の入力回路が小型で安価で、しかも、消費電流が少ない受光回路を提供する。
【解決手段】入射光量に応じた電流を流す光電変換素子と、該光電変換素子からの電流がドレインに供給されるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、該Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのドレイン電圧が所望の電圧となるように、ロウパスフィルタを介して該ＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧を制御する制御回路と、を有する受光回路であり、前記制御回路は、前記ロウパスフィルタを介して制御されるＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧の制御遅延量が所望の遅延量未満の場合は、ＧＮＤ端子電圧となり、前記ロウパスフィルタを介して制御されるＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧の制御遅延量が所望の遅延量以上の場合は、前記ＮＭＯＳトランジスタのドレイン電圧となる制御状態出力信号を出力する構成であり、該制御状態出力信号を出力信号とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】検出できる波長を制御された量子ドットの検出感度が低い。
【解決手段】本発明の受光素子は、第１の材料からなる第１の量子ドットと、第１の材料とは異なる第２の材料からなる障壁部と、第１の量子ドットの第１の材料と障壁部の第２の材料とがミキシングした第１のミキシング層とを有し、障壁部は、第１のミキシング層を介して第１の量子ドットを覆っている。 （もっと読む）