【課題】 短波長光においても光電変換効率の高い半導体受光装置および紫外線センサー機器を提供する。
【解決手段】 半導体受光装置は、カソード層１と、そのカソード層１の表面に形成されたアノード層２とを備えている。カソード層１とアノード層２とのｐｎ接合間に位置するカソード層１の部分が受光領域３である。 （もっと読む）

光活性ファイバならびにこのようなファイバを製作する方法を提供する。ファイバは、第1電極を含む導電性コアを有する。有機層が第1電極を取り囲み、第1電極に電気的に接続されている。透明な第2電極が有機層を取り囲み、有機層に電気的に接続されている。遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。ファイバを布地に織ってもよい。
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光ダイオードの効率は、基本的な考えにより、基板層（１）を介して光（２０）を入射させることによって光ダイオードを逆さに使用すること、および表面層（３）をミラーとして用いることで向上する。従って、基板層（１）から来る際の第１の通過中または表面層（３）で反射された後の第２の通過中のいずれかに、エピタキシャル層（２）は光子を電子正孔対に変換するチャンスがおよそ２倍になる。表面層（３）は、金属ストライプ（６、７、８）および金属ミラー（９、１０）を備え、またフレキシブルプリント基板の上に前記光検出器を正確に実装するためのソルダバンプ（４、５）に結合された金属領域（１５、１６）を備える。エピタキシャル層（２）およびエピタキシャル層（２）内の領域（１７、１８、１９）は第１のダイオードの電極を形成し、エピタキシャル層（２）および基板層（１）は第２のダイオードの電極を形成し、それにより両方のダイオードの光電流を加えた際に前記効率が同様にほぼ２倍となる。絶縁物上シリコンおよび／またはエッチストッパを含む基板層（１）を、シリコンを除去することによっておよび／または前記エッチストッパまでエッチングすることによって容易に薄型化することができる。
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【課題】高速・高受光感度のフォトダイオード（ＰＤ）と、高速・高耐圧のトランジスタを同一の半導体基板上に適切に混載することができるようにする。
【解決手段】同一の半導体基板上にトランジスタと受光素子が混載されたＯＥＩＣ（光電子集積回路）において、ｐ型の第１のエピタキシャル層２２を形成後、ｎ型の第２のエピタキシャル層２３が形成された構成により、バーティカルＰＮＰトランジスタ３及びフォトダイオード４の高性能化に最適なエピタキシャル層の膜厚が実現できるため、各素子の特性向上を最大限に発揮するような構造が可能となり、ＯＥＩＣとして特性向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの電荷伝送効率を向上させたイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電型（Ｐ型）の半導体層２００に形成されたゲート電極Ｔｘと、半導体層２００内に形成され、フォトダイオードＰＤを構成する、第２導電型（Ｎ型）の第１不純物領域１０５と、ゲート電極Ｔｘの一方にアラインメントされ、半導体層２００の表面から第１深さに拡散された第１導電型の第２不純物領域１０８と、ゲート電極Ｔｘの側壁に形成された第１スペーサ１０９と、第１スペーサ１０９にアラインメントされ、半導体層２００の表面から第１深さよりも深い第２深さに拡散された第１導電型の第３不純物領域１１３と、第１スペーサ１０９の側壁に形成された第２スペーサ１１４と、第２スペーサ１１４にアラインメントされ、半導体層２００の表面から第２深さよりも深い第３深さに拡散された第１導電型の第４不純物領域１１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子に対する更なる高画質化及び低コスト化の要求に応えることを可能にする半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、エピタキシャル成長法により半導体基板上に形成されたエピタキシャル層１とを有し、エピタキシャル層１は、第１のｐｎ接合部２と、第１の絶縁層３と、第２のｐｎ接合部４と、第２の絶縁層５と、第３のｐｎ接合部６とが順次積層されてなり、第１の絶縁層３及び第２の絶縁層５は開口部を有し、第１のｐｎ接合部２と第２のｐｎ接合部４とは第１の絶縁層３の開口部を介して隣り合い、第２のｐｎ接合部４と第３のｐｎ接合部６とは第２の絶縁層５の開口部を介して隣り合い、複数の絶縁層は屈折率周期構造と同心円状の開口部を複数個有しており、それぞれ絶縁層下部に形成されたｐｎ接合により構成される受光素子に対してフィルタ機能及び集光機能を有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 キャパシタＣｘに蓄積される電荷量が大きい場合においても、キャパシタ容量を大きくすることで比較器１０ｃへの入力を小さくすることができ、低感度化を実現できる。また、キャパシタＣｘに蓄積される電荷量が小さい場合においても、キャパシタ容量を小さくすることで比較器１０ｃへの入力を大きくすることができ、高感度化を実現できる。本装置では、これら感度の外部からの変更と、光量計測の出力の取出を入出力兼用端子４から行うことができるため、簡易な構成で感度を変化することができることとなり、それによってダイナミックレンジを広げることができる。 （もっと読む）

【課題】 優れた感度（ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有するイメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明のイメージセンサは半導体基板上に形成された活性画素アレイ領域のメイン画素アレイ領域を備えている。前記センサ上部にパッシベーション膜が形成され、前記パッシベーション膜は少なくとも前記メイン画素アレイ領域のすべてを露出させる。その結果、前記メイン画素アレイ領域上で前記パッシベーション膜による光吸収率及び屈折率を取り除いてイメージセンサの光感度を改善させる。 （もっと読む）

【課題】低照度時の感度を向上させると共に、ダイナミックレンジを向上させる。
【解決手段】 基板５０と、前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲート１４と、前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成されるソース領域１５と、前記ゲート下方の前記基板内に形成された高濃度領域であって、前記光電変換素子において発生した光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させる第２キャリアポケット１９と、前記ゲート下方の前記基板内に形成された高濃度領域であって、少なくとも一部が前記第２キャリアポケットのいずれの部分よりも前記光電変換素子に隣接して形成され、前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させる第１キャリアポケット１７と、前記第１キャリアポケットと前記第２キャリアポケットとの間に形成される電位障壁２とを含む。 （もっと読む）

【課題】 広いダイナミックレンジで入出力関係について高い直線性を高精度で実現することができる光検出装置を提供する。
【解決手段】 光検出装置に含まれるＩ／Ｆ変換装置１０は、第１比較部１１_１、第２比較部１１_２、カレントミラー回路１４、ＳＲ型フリップフロップ回路１６、バッファアンプ１８、第１容量素子Ｃ_１、第２容量素子Ｃ_２、スイッチＳＷ_１、スイッチＳＷ_２、スイッチＳＷ_１１およびスイッチＳＷ_２１を備える。第１比較部１１_１および第２比較部１１_２それぞれの動作特性は互いに同じである。２つの容量素子Ｃ_１およびＣ_２それぞれの容量値は互いに等しい。このＩ／Ｆ変換装置１０は、入力端１０ａがフォトダイオードと接続されており、フォトダイオードで発生した電流を入力端１０ａに入力して、その入力した電流の大きさに応じた周波数の信号をバッファアンプ１８から出力する。 （もっと読む）

本発明は、入射光を検出し得るよう構成されたＭＳＭタイプの光検出器に関するものであって、支持体（１）上に成膜されるとともに、ファブリペロータイプの共振キャビティの第１ミラーを形成するような、反射手段（２）と；入射光を吸収しない材料から形成された材料層（３）と；入射光を吸収する半導体材料から形成された活性層（４）と；検出した信号を収集する複数の分極電極からなるネットワーク（５）と；を具備している。電極ネットワーク（５）は、活性層の上に配置されるとともに、入射光の波長よりも短い一様間隔でもって配置された互いに平行な複数の導電性ストリップを備えて構成され、電極ネットワーク（５）は、共振キャビティのための第２ミラーを形成している。
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【課題】高感度でかつダイナミックレンジの広い光センサおよび固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 光センサ部１２が受光部とホトン−パルス発生回路から構成し、受光部に入射したホトンが変換された光電子を検出する光電子検出部２４を、第１量子ドット２６と、第１量子ドット２６の両側に互いに対向して配置された光電子蓄積領域２８およびゲート電極２９と、これらに対して垂直方向に配置され、抵抗Ｒ1を介して電源電圧が印加されたソース電極３０およびドレイン電極３１から構成する。第１量子ドット２６に印加されるゲート電極２９を第１量子ドット２６が非導通となる電位に設定し、光電子蓄積領域２８に保持された所定数の光電子の電位を付加することで第１量子ドット２６を導通させ、ソース電極３０−ドレイン電極３１間に電流が流れる。その結果、ホトン数に応じたパルス信号が生成される。 （もっと読む）

背面照射型イメージセンサ(14)の製造方法を開示する。本発明の方法は、第１および第２の表面(3,4)を有するウェハ(2)から出発し、第１表面(3)からウェハ(2)内に延在する感光性ピクセル領域(5)を設けるステップと、第１表面(3)を保護基板(7)に対向させて保護基板上にウェハ(2)を固定するステップとを具える。ウェハは、第１の材料の基板(8)と、光学透明層(9)と、半導体材料の層(10)とを具える。基板(8)を、光学透明層(9)を停止層として用いて、半導体材料の層から選択的に除去する。背面照射型イメージセンサでは、光は半導体層を透過して感光性ピクセル領域(5)に入射しなければならない。吸収損失を低減するために、半導体層(10)を比較的薄く均一に作製できると非常に有利である。半導体層の厚さを減少させると、感光性領域に入射する光が多くなり、このことがイメージセンサの効率改善につながる。 （もっと読む）

基板（１１０）上にｎ型光ガイド層（１１１）、増倍層（１１２）、電界緩和層（１１３）、吸収層（１１４）、ｐ型光ガイド層（１１５）およびクラッド層（１１６）がこの順で積層した受光素子において、ｐ型光ガイド層（１１５）をｎ型光ガイド層（１１１）よりも厚く形成する。たとえばｐ型光ガイド層（１１５）の厚みをｎ型光ガイド層（１１１）の２倍以上の厚みとする。 （もっと読む）

電磁ビーム（１７）の検出用の1つ又は複数のビーム感応ゾーン（７，８，９）を有する半導体チップ（２）を有するビーム検出光電素子において、ビーム感応ゾーン（７，８，９）内の電磁ビーム（１７）のフォーカシングが、回折素子（１）によって行われ、この回折素子（１）は、有利には、半導体チップ（２）内に集積化されている。回折素子（１）は、殊に、ゾーンプレートにするとよい。
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付随するひずみシリコン層を備えるピクセルセルを有するイメージャである。ひずみシリコン層は電荷転送効率を増大し、残像を減少し、撮像デバイスにおける青感度を改善する。
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超薄型の裏面照射フォトダイオード・アレイの構造と製造方法である。このフォトダイオード・アレイは第１と第２の表面を有する第１の導電型の基板を有する裏面照射フォトダイオード・アレイであり、第２の表面は基板よりも大きい導電率を有する第１の導電型の層を有する。このアレイはまた、基板の第１の表面から基板よりも大きい導電率を有する第１の導電型の層へと延びて基板よりも高い導電率の第１の導電型の領域のマトリックス、第１の導電型の領域のマトリックスの中に散在させられ、基板の第２の表面上の第１の導電型の層へと延びることのない第２の導電型の複数の領域、と第１の導電型の領域のマトリックスと第２の導電型の複数の領域への電気的コンタクトを作るための第１の表面上の複数のコンタクト部も有する。
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【課題】低価格で高感度なシリコンベースのゲルマニウム含有感光装置を用いた長波長入射光の検出器と検出方法。
【解決手段】 光検出器（１００）は、入射光に応答して出力電流信号を生成する構成でゲルマニウムを含む第１のフォトトランジスタ（１０２）と、第１のフォトトランジスタに電気的に結合し基準電流信号を生成する第２のフォトトランジスタ（１０４）と、第２のフォトトランジスタを覆って入射光を遮蔽して前記基準電流信号を前記入射光から独立させる不透明層とを備える。第１、第２のフォトトランジスタはシリコンーゲルマニウム吸光領域を備え、入射光は出力電流と基準電流とから検出される。 （もっと読む）

【課題】ＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子において、応答速度を低下させることなく受光感度を向上させる。
【解決手段】受光領域２をなすｉ層１５の上面に、光電変換機能を有する色素層４を設ける。 （もっと読む）