【課題】電流−電圧特性が正側と負側で確実に非対称になり、障壁電圧を向上させるダイオード特性を示し、更には発電電力を増大できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１１に導電層２０を積層し、その上にランダムな周期の周期構造３３を多数含む金属ナノ構造３０を積層する。一対の電極４１，４２を導電層２０上に互いに離して設ける。一対の電極４１，４２のうち第１電極４１と導電層２０との間に極性確定層５０を介在させる。好ましくは、極性確定層５０を、厚さ１ｎｍ未満の絶縁体にて構成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ５は、第１半導体基板２１と、第１半導体基板２１に比較してｎ型の不純物濃度が高い第２半導体基板２３と、を備え、裏面入射型である。第１半導体基板２１と第２半導体基板２３とは、表面２１ｂ及び表面２３ｂが貼着面とされて、貼着されている。第１半導体基板２１は、表面２１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されている。第２半導体基板２３の表面２３ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域には、不規則な凹凸１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ５は、Ｐ⁻型半導体基板２０を備え、裏面入射型である。Ｐ⁻型半導体基板２０は、互いに対向する第１及び第２主面０ａ，２０ｂを有し、光感応領域２１を含む。光感応領域２１は、Ｎ^＋型不純物領域２３と、Ｐ^＋型不純物領域２５と、Ｐ⁻型半導体基板２０においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域とからなる。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂには、不規則な凹凸１０が形成されている。Ｐ⁻型半導体基板２０の第２主面２０ｂ側には、アキュムレーション層３７が形成されており、アキュムレーション層３７における、光感応領域２１に対向している領域は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】プロセスばらつきによる色分離特性への影響を軽減することができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により得られる信号を出力する第１導電型の第１半導体層及び第３半導体層と、電位供給手段から電位が供給される第２導電型の第２半導体層及び第４半導体層とを有し、第１半導体層と第２半導体層と第３半導体層と第４半導体層とが順に並んで配された光電変換装置にて、第２半導体層と第４半導体層とを電気的に分離し、第２半導体層に供給される電位と第４半導体層に供給される電位とは互いに独立して制御されるようにして、互いの第２導電型の半導体層の電位を独立に制御し、プロセスばらつきによる色分離特性への影響を軽減できるようにする。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波を発生又は検出するテラヘルツ波素子において、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射する。
【解決手段】テラヘルツ波素子は、基板１０１の上に形成された第１の半導体層１０２と、第１の半導体層１０２の上に形成された第２の半導体層１０４と、第２の半導体層１０４の上に形成されたゲート電極１０６と、第２の半導体層１０４の上にゲート電極１０６を挟んで対向するように形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８と、第２の半導体層１０４の上におけるゲート電極１０６とソース電極１０７との間及びゲート電極１０６とドレイン電極１０８との間に形成され、複数の金属膜１０９が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜１０９Ａ，１０９Ｂと、ゲート電極１０６及び複数の金属膜１０９の上方に配置された第１のミラー１１１と、基板１０１の下に形成された第２のミラー１１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜中赤外域にわたって高い受光感度を持ち、安定した品質、経済性を有する受光素子を提供する。
【解決手段】波長３μｍ〜１２μｍの光に透明なＩｎＰ基板１と、ＩｎＰ基板１に接して位置するバッファ層２と、バッファ層２に格子整合するカットオフ波長３μｍ以上の多重量子井戸構造を有する受光層３とを備え、バッファ層２とＩｎＰ基板１とが、形式的な格子整合条件の範囲を超えながら、バッファ層２がＩｎＰ基板１にエピタキシャル成長しており、バッファ層２が、ＧａＳｂ層から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面入射において、近赤外域の短波長側〜長波長側にわたって全体に高い受光感度を有する受光素子等を提供する。
【解決手段】 受光層が（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＳｂ）タイプ２のＭＱＷであり、補助層４と、基板側から光を入射する構造とを備え、補助層４はｐ型不純物を含み、そのバンドギャップエネルギが、ＩｎＰ基板１のバンドギャップエネルギより小さく、厚みが受光層３の１／５以上あり、補助層内において、ｐ型不純物の濃度が、１Ｅ１８ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３から受光層側における５Ｅ１６ｃｍ^−３以下に低下しており、ｐ型不純物の分布が、拡散によって形成されたものか、またはエピタキシャル成長にて形成されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の波長域の光を選択的に、高感度に検出することができる光検出装置及びこれに用いる光学フィルターを提供する。
【解決手段】支持基板上に２つの受光素子が形成されている。第１の受光素子は、ｐ型層、ｎ型層、光吸収半導体層、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。第２の受光素子は、ｐ型層、ｎ型層、透過膜、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層は、ｐｎ接合領域よりも受光面側配置されている。光の吸収域がない透過膜は、ｐｎ接合領域よりも受光面側配置されている。第１の受光素子の検出信号と第２の受光素子の検出信号を演算することにより、波長範囲λの光量を計測する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に汚染物質を混入させず、分光感度特性がよく、かつ出力電流にばら
つきのない光電変換装置を得ることを課題とする。光電変換装置を有する半導体装置にお
いて、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極と
の間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバ
ーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、
前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端
部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置を提供する。
【解決手段】温度検知部と、温度検知部に熱的に接続された吸収部１０とを含み、吸収部１０に入射した光を検出する半導体光素子であって、吸収部１０が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部１１および凸部を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、色分解特性を向上させることができる光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】入射光を複数の波長範囲に分けて光電変換する光電変換素子であって、
前記入射光が入射され、第１の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ１を有する第１の光電変換層１０と、
該第１の光電変換層の背面側に設けられ、前記第１の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ１ｃを有する第１のカラーフィルタ１５と、
該第１のカラーフィルタの背面側に設けられ、第２の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ２を有する第２の光電変換層２０と、
該第２の光電変換層の背面側に設けられ、前記第２の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ２ｃを有する第２のカラーフィルタ２５と、
該第２のカラーフィルタの背面側に設けられ、第３の波長範囲に光吸収の最大値を有する第３の光電変換層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の吸収波長に強く応答することができる紫外線センサを実現する。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏを主成分とするｐ型半導体層１とＺｎＯを主成分としたｎ型半導体層２とを接合させる前に、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を酸性及びアルカリ性のいずれかに調整した表面処理溶液に接触させ、前記焼結体の表層面のＺｎを溶出させてｐ型半導体層１を作製する。表面処理は外部電極５ａ、５ｂ形成後のめっき処理と同時に行うのが好ましく、表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるようなｐＨに調整された表面処理溶液を選択し、表面処理を行うか、又は表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるような所定時間、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を表面処理溶液に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】視感度に近い分光感度特性を有し、回路規模が小さい照度センサ、およびこの照度センサを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】電流出力回路（２１）は、第１受光素子（ＰＤ１）に流れる第１電流（Ｉｉｎ１）をアナログ‐デジタル変換する第１アナログ‐デジタル変換回路（ＡＤＣ１）のビットストリーム信号（ｃｈａｒｇｅ１）を用いて第１電流（Ｉｉｎ１）に応じた電流（Ｉｉｎ１×α）を出力し、第２アナログ‐デジタル変換回路（ＡＤＣ２）は、第２受光素子（ＰＤ２）に流れる第２電流（Ｉｉｎ２）から電流（Ｉｉｎ１×α）を減算した第３電流（Ｉｉｎ２-Ｉｉｎ１×α）を入力されてアナログ‐デジタル変換する。 （もっと読む）

【課題】垂直に積層したセンサーを含む感光性センサー群を提供する。
【解決手段】第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】分光感度特性の安定化に貢献することができ、製品にばらつきが発生し難いうえ視感度特性に近似した特性を容易に確保することができる受光素子、半導体装置、電子機器、および受光素子の製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１積層構造体Ｂ１は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ａと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ａと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ａと、を有し、第２積層構造体Ｂ２は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｂと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第３層２１ａと、を有し、第３積層構造体Ｂ３は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｃと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第４層２１ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】放射線吸収半導体ウェハーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の放射線吸収半導体ウェハーの製造方法は、複数の一時的な短いレーザーパルス、例えば、フェムト秒パルス、で、シリコン基板、例えば、ｎドープされた結晶シリコン、の少なくとも一つの表面の位置を照射し、同時に、電子供与性の成分を有する、例えば、ＳＦ₆のような物質にその位置を露出させて、所定の濃度の電子供与性の成分、例えば、硫黄、を組み込んだ実質的に不規則な表面層（すなわち、ミクロ構造化された層）を生み出す。基板は、表面層内の電荷担体密度を増強するように選択された高温で、所定の期間に亘って、焼き鈍しされる。例えば、基板は、ほぼ５００Ｋからほぼ１０００Ｋまでの範囲内の温度で焼き鈍しされてよい。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２と対向する上部電極４と、下部電極２と上部電極４との間に形成された光電変換層３とを有し、下部電極２と上部電極４との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子１００であって、上部電極４を光入射側の電極とし、上部電極４が透明電極であり、下部電極２が光の反射機能を有する金属電極である。 （もっと読む）

【課題】波長１．３μｍを含む短波長側から長波長側の近赤外域にわたって、受光感度の変動を抑制した、受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板の上に、ＧａＡｓＳｂ層とＩｎＧａＡｓ層との繰り返し構造からなるタイプ２の多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multiple-Quantum Well）の受光層を備えて、波長１．３μｍおよび２．０μｍを含む近赤外域に受光感度を有する受光素子であって、前記波長１．３μｍの受光感度と、波長２．０μｍの受光感度との比を０．５以上１．６以下としたことを特徴とする。 （もっと読む）