【課題】 小型で光検出精度の優れた受発光素子を提供する。
【解決手段】 一導電型の半導体材料から成り、傾斜面２ｂ１およびこれに続く底面２ｂ２で構成された窪み部２ｂを一主面２ａに有する基板２と、基板２の一主面２ａに設けられた発光ダイオード３と、窪み部２ｂの底面２ｂ２に設けられた第１フォトダイオード４と、窪み部２ｂの傾斜面２ｂ１に設けられた第２フォトダイオード５とを有する。 （もっと読む）

【課題】バイパスコンデンサと受光素子との間の配線長を短く揃えることが可能な受光デバイスを提供する。
【解決手段】受光デバイス１Ａにおいて、光分岐部１２、受光素子部１３ａ〜１３ｄ、及びキャパシタ１４ａ〜１４ｄは、共通の光導波路基板１０に形成されている。信号増幅部５０Ａ，５０Ｂの信号入力用電極パッド５１ａ〜５１ｄ、及び受光素子部１３ａ〜１３ｄは、光導波路基板１０の端縁１０ｂに沿って配置されている。受光素子部１３ａ〜１３ｄの信号出力用電極は、信号入力用電極パッド５１ａ〜５１ｄにワイヤボンディングされている。キャパシタ１４ａ〜１４ｄは、受光素子部１３ａ〜１３ｄに対し並んで配置されており、それらの基準電位側電極パッド１８ａ〜１８ｄと、信号増幅部５０Ａ，５０Ｂの基準電位用電極パッド５２ａ，５２ｃ，５２ｄ及び５２ｆとが互いにワイヤボンディングされている。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】安定動作をすることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２、多重反射層３、ＩｎＧａＡｓ光吸収層７、ＩｎＰ窓層９が順に積層されている。ＩｎＰ窓層９は、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２，７より大きいバンドギャップを持つ。ＩｎＰ窓層９の一部にｐ型不純物拡散領域１１が設けられている。アノード電極１２はｐ型不純物拡散領域１１上に設けられ、光が入射する開口を持つ。ｎ型ＩｎＰ基板１の下面にカソード電極１３が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１１の外側にメサ溝１４が設けられている。メサ溝１４を挟んでｐ型不純物拡散領域１１の反対側にｐ型不純物拡散領域１６が設けられている。ｐ型不純物拡散領域１６はＩｎＧａＡｓ光吸収層２に達し、金属膜１７はｐ型不純物拡散領域１６を介してＩｎＧａＡｓ光吸収層２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】耐電源ノイズ特性を維持しながら光結合装置に使用される半導体チップを縮小化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、光結合装置は、第一のフォトダイオード、第一の反転増幅器、第二のフォトダイオード、第二の反転増幅器、及びコンパレータが設けられる。第一のフォトダイオードの第一の接合容量及び第一の反転増幅器の第一の帰還抵抗の積と、第二のフォトダイオードの第二の接合容量及び第二の反転増幅器の第二の帰還抵抗の積とが同一の値に設定され、第一の接合容量が第二の接合容量よりも大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】内部での光の散乱及び反射を抑制することができる光半導体集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層３２が埋め込まれた高抵抗半導体基板３１と、第１の半導体層３２上に形成された光活性層３３及び第２導電型の第２の半導体層３４と、高抵抗半導体基板３１上に形成された導波路コア層３６を含む導波路部と、が設けられている。そして、光活性層３３と導波路コア層３６とが光の伝播方向に沿って互いに接触している。 （もっと読む）

【課題】過大光が入射しても故障しない積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、基板１０上方の光電変換部Ｐと、光電変換部Ｐで発生した電荷に応じた信号を読みだす回路Ｓとを含む画素１０１を複数有する。回路Ｓは、基板１０内に形成され画素電極２１に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部１０と、電荷蓄積部１０の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ３２とを含む。電荷蓄積部１０は、画素電極２１と電気的に接続される電荷蓄積領域１１と、領域１１の隣に離間して形成される電荷蓄積領域１３と、領域１１と領域１３とを、断面ポテンシャルにおいて、所定の電位よりも高い電位においては電気的に分離し、前記所定の電位以下の電位においては電気的に接続する領域１２とにより構成され、出力トランジスタ３２は領域１３の電位に応じた信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】より確実に画素間クロストークを抑制することが可能な、固体撮像素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に配置された第１導電型の不純物層ＤＰＷと、不純物層ＤＰＷ上に、第１導電型の不純物領域と第２導電型の不純物領域とが互いに接合する構成を含む光電変換素子と、光電変換素子を含む単位画素を構成し、光電変換素子と電気的に接続されるトランジスタＭ１〜Ｍ４とを備えている。平面視において光電変換素子の外周部の少なくとも一部には、内部に空隙ＡＧが含まれ、光電変換素子と、光電変換素子に隣接する光電変換素子とを、互いに電気的に絶縁する分離絶縁層ＳＩが配置されている。上記分離絶縁層ＳＩは、第１導電型の不純物層ＤＰＷの最上面に接する。 （もっと読む）

【課題】受光素子を過電流から保護するために電流がバイパスされるような場合であっても、受光素子が受光した光の強度を計測することのできる光受信モジュールを提供すること。
【解決手段】光受信モジュールは、受光した光の強さに応じて電流を流す受光素子と、前記受光素子を流れる電流を少なくとも流す自己バイアス抵抗と、前記受光素子を流れる電流量が所定の値を超える場合に前記自己バイアス抵抗を流れる電流の一部を前記受光素子を介さずに流すバイパス回路と、前記受光素子を流れる電流量を示す信号を出力する受光電流検出部と、前記バイパス回路を流れる電流量を示す信号を出力するバイパス電流検出部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）が、高レベルの放射にさらされる場合、ＡＰＤはブラインド、すなわち、さらに入ってくる単一光子に鈍感となりうる光検出システムを提供する。
【解決手段】アバランシェフォトダイオード１と、アバランシェフォトダイオード１に逆バイアスをかけるバイアス回路３と、光子吸収によりアバランシェフォトダイオード１に生じるアバランシェイベントを過渡電流として測定する第１測定回路と、アバランシェフォトダイオード１に流入するバイアス電流を測定する第２測定回路と、を具備する光検出システム。 （もっと読む）

【課題】電極成膜時における素子特性劣化の少ない光電変換素子を備える固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極１１と、第一電極１１に対向する第二電極１３と、第一電極１１と第二電極１３との間に形成された光電変換層１２とを含む光電変換部を有する光電変換素子１００であって、第二電極１３と光電変換層１２との間に、光電変換層１２の表面の凹凸を緩和する平滑層１０４を設けた。平滑層１０４は、有機のアモルファス材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さＲａが１ｎｍ以下であり、かつ、その厚みが３０〜３００ｎｍである。また、第二電極が光入射側の電極であり、第一電極１１が正孔取り出し用の電極であり、第二電極１３が電子取り出し用の電極である。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波を効率よく受信し、信号／雑音比を向上したテラヘルツ波受信素子を提供する。
【解決手段】第１の波長λ₁のテラヘルツ波を受信するテラヘルツ波受信素子１００であ
って、２以上の半導体層（バッファ層１０２ａおよび電子供給層１０４ａ）のヘテロ接合により形成される２次元電子チャネル層１０３ａ、ゲート幅方向にλ₁／２の長さを有するゲート電極１１１ａ、ドレイン電極１１３ａおよびソース電極１１２ａを有する第１のＦＥＴ１００ａと、第１のＦＥＴ１００ａのゲート電極１１１ａのゲート幅方向における中央部と接続され、かつ、ゲート電極１１１ａと直交するように配置されたゲート配線１１４ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶の面内方向の外側に漏れる光のロスと、発光に寄与せず吸収層として働いてしまうことによる活性層での吸収ロスとを抑制し、光の利用効率を向上させることが可能となる二次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、特定の光を吸収するシリコンを含む光吸収層によって形成された光電変換層が、前記基板面に対して垂直な方向に積層された積層構造による受光素子であって、
前記光電変換層が、前記特定の光の波長に対応した光共振器を形成する前記積層構造中に配された一対の多層膜反射鏡によって狭持された構造を備え、
前記一対の多層膜反射鏡による光共振を可能とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子同士の間隔が異なる場合、隣接する光電変換素子へ混入する電荷量にばらつきが生じてしまう。
【解決手段】 本発明の光電変換装置は、第１および第２の光電変換素子との間に信号電荷に対して障壁となる第１の半導体領域を有する。そして、第１および第３の光電変換素子との間に第１の半導体領域と同じ深さの、第１の半導体領域よりも幅が狭い、信号電荷に対して障壁となる第２の半導体領域を有する。更に、第１の半導体領域と第２の半導体領域の下部に信号電荷に対して障壁となる第３の半導体領域を有する。 （もっと読む）

【課題】小型化を容易に図ることができ、且つ、ＥＭＩによる誤作動を防止することができる光検出装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】受光部及び回路部が形成された半導体層とシリコン基板とが絶縁層を介して積層された構造を有するＳＯＩ基板と、ＳＯＩ基板の第１主面上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜に埋設された表面回路配線と、受光部への所定波長領域の光を透過する開口を有する格子部を含む表面擬似配線と、ＳＯＩ基板の第２主面上に形成された裏面回路配線及び裏面擬似配線と、表面回路配線と裏面回路配線とを接続する貫通回路配線と、表面擬似配線と裏面擬似配線とを電気的に接続する貫通擬似配線を有し、受光部の周囲は、表面擬似配線、裏面擬似配線及び貫通擬似配線によって囲まれていること。 （もっと読む）

【課題】従来の出力回路は、電源立ち上がり時に不安定な出力を出す可能性があった。
【解決手段】電源電圧が所定の電圧以上で動作するバイアス回路と、前記バイアス回路の動作時に生成するバイアス電流もしくはバイアス電圧が供給されると、入力差動信号に応じた信号を出力する差動増幅回路と、前記差動増幅回路からの出力に応じた差動信号を入力し、その差動信号に応じて出力信号を出力し、前記バイアス回路よりも直列接続された素子の段数が少なく構成される出力段回路と、前記バイアス回路の生成するバイアス電流もしくはバイアス電圧が供給されない場合、強制的に前記出力段回路が入力する差動信号の一方のレベルを接地電圧とすることで、前記出力段回路が出力する出力信号のレベルを固定するプルダウン回路と、を有する出力回路。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することが可能であるとともに、精度を向上させることが可能な半導体光検出素子を提供する。
【解決手段】この半導体光検出素子１００は、Ｐ型シリコン基板１０に形成された第１フォトダイオード２０と、このＰ型シリコン基板１０に形成され、第１フォトダイオード２０と同一構造を有する第２フォトダイオード３０と、第１フォトダイオード２０上に形成され、グリーンフィルタから構成されるカラーフィルタ層２１と、第２フォトダイオード３０上に形成され、ブラックフィルタから構成されるカラーフィルタ層３１と、第１フォトダイオード２０の検出信号から第２フォトダイオード３０の検出信号を減算する演算回路部５０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に過大な入力が加わることを防止する、光通信において受信又は中継をする光受信器に関する。
【解決手段】光受信器は、外部からの入力した光信号を２つに分岐する光分岐手段と、分岐された２つの光信号のうち、一方の光信号に時間遅延を与える光遅延手段と、光遅延手段からの光信号の光強度を変調する光強度変調手段と、光強度変調手段からの光信号を電気信号に変換する第１の光電変換手段と、他方の光信号の強度を計測し、電気信号に変換する第２の光電変換手段と、第２の光電変換手段で計測された光信号の強度に応じて、光信号の変調量を制御する制御信号を光強度変調手段に出力する制御手段とを備え、一方の光信号が出力されたときから光強度変調手段に入力されるまでの時間は、他方の光信号が出力されたときから光強度変調手段が応答を完了するまでの時間以上となるように光遅延手段が一方の光信号を遅延する。 （もっと読む）

【課題】デッドタイム終了直後に過剰なバイアス電圧が発生することを防止し、誤検出を回避することが可能にする。
【解決手段】光子を検出するためのＡＰＤを備えた光子検出器であって、光子到着予定時刻に応じた周期的なゲートパルス３ｃと直流電圧源６からの直流電圧との和をＡＰＤバイアス電圧７ａとしてＡＰＤ８に印加するゲートパルス発生器２'およびバイアスティー５と、ＡＰＤ８が光子を検出した直後の所定時間の間、ゲートパルス３ｃの出力を抑制し、当該所定時間経過後にゲートパルス３ｃの出力を再開させるデッドタイム信号発生器１３とを備えている。また、ゲートパルス３ｃは、正のゲートパルス３ａと負のゲートパルス３ｂとが組み合わされた正負のゲートパルスである。 （もっと読む）