【課題】簡易な構成で製造コストを低減できる光電変換素子及びその製造方法を提案する。
【解決手段】ｐｎ接合を設けなくとも、ＣｏＳｉ_ｘからなる光電変換膜３の正極４の近傍付近に光Ｌを照射することにより光誘起電流を発生させることができるので、従来のようなｐｎ接合を形成する複雑な製造プロセスを省くことができ、当該ｐｎ接合等の各種構成が不要な分だけ、簡易な構成で製造コストを低減できる。また、キャリアの移動経路をデバイス表面に制限でき、散乱や伝送損失を低減化し、高速なキャリアを利用した高周波デバイスができる。 （もっと読む）

【課題】高速且つ増幅作用の大きいフォトトランジスタを提供する。
【解決手段】光半導体装置２０は、入射光を受光するフォトトランジスタを有し、フォトトランジスタは、半導体基板に形成された第１導電型のコレクタ層Ｃ（２、３及び５）と、コレクタＣ層上に形成された第２導電型のベース層６と、ベース層６上に形成された第１導電型のエミッタ層７とを備え、エミッタ層７の厚さは、入射光のエミッタ層７における吸収長以下である。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 従来と比較して光電変換効率（感度）をより向上させたフォトダイオードおよびフォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオード１００は、Ｐ型シリコン基板と、Ｐ型のシリコン層１１２と、Ｐ型のシリコン層１１２上に形成され、シリコン層１１２との接合面を含むＮ型のシリコン層１１４と、シリコン層１１４の表面から一定の深さに形成され、シリコン層１１４の不純物濃度よりも不純物濃度が高いＮ型の低抵抗のシリコン領域１１６と、シリコン領域１１６上に形成されたシリコン酸化膜１２０と、シリコン酸化膜１２０上に形成されたシリコン窒化膜１２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】近赤外域に受光感度を持つＮ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層を含み、かつ暗電流を抑制した受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１と、ＩｎＰ基板１の上に位置する、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層３とを備え、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層３の上に位置する、ＩｎＰ又はＩｎＡｌＡｓでなる窓層５と、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層３とＩｎＰ又はＩｎＡｌＡｓでなる窓層５との間に位置するＩｎＧａＡｓバッファ層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において、特に垂直型シーモスイメージセンサー（ＣＭＯＳ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ）を製造する方法を提供する。
【解決手段】暗漏れ特性（ｄａｒｋ ｌｅａｋａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）の他、誘電物質にひびが入るサーキュラ欠陥（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｄｅｆｅｃｔ）も改善するために、高温ダブルアニール（ｄｏｕｂｌｅ−ａｎｎｅａｌ）工程と追加的な他の保護窒化膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）を選択的に適用し、垂直型ＣＭＯＳイメージセンサーの品質と信頼性を保障する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された複数の半導体素子を備えた半導体装置において、半導体素子の基板側に配置された遮光層の電位を安定化させて半導体素子の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、光透過性を有する基板１０１と、基板１０１に支持された複数の半導体素子１２５と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された導電性を有する複数の島状の遮光層１０３と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された透光性を有する導電膜１０２とを備え、複数の島状の遮光層１０３は、複数の半導体素子１２５の少なくとも２つの半導体素子と関連付けられており、かつ、導電膜１０２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】機能膜を有する機能性素子の機能膜の特性を向上させながらも、機能性素子全体の特性劣化を低コストで防ぐことが可能な機能性素子の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する一対の電極７，９と、電極７，９間に挟まれた光電変換膜８とを有する光電変換素子の製造方法であって、電極７上方に光電変換膜８を形成し、光電変換膜８上に、光電変換膜８の特性を向上させるために行うアニール処理による光電変換膜８の変質を防ぐための変質防止膜１１を形成する工程（図２（ａ））と、変質防止膜１１形成後にアニール処理を施す工程と、アニール処理後に変質防止膜１１を除去する工程（図２（ｂ））と、変質防止膜１１の除去後、光電変換膜８上に電極９を形成する工程（図２（ｃ））とを備える。 （もっと読む）

【課題】光量損失を最小限にし長寿命でかつ小型化が容易な露光装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１００と、このガラス基板１００上に配列された複数の発光素子１１０から構成される発光素子列を具備し、発光素子１１０が１層以下の空気層３を介して感光体２に対向せしめられ、感光体２を露光するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を低減化することができる受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子（１００）は、半導体基板（１）と、半導体基板上に設けられた第１導電型の第１半導体層（２，３，４，５，６）と、第１半導体層上に設けられた第２導電型の第２半導体層（７）と、第１半導体層および第２半導体層の側面に設けられ一部に層厚の小さい薄層領域を備える第３半導体層（１３）とを備え、薄層領域（１３ａ）の最薄部は、第１半導体層と第２半導体層との界面のビルトイン空乏層（Ａ）よりも半導体基板側に位置する。 （もっと読む）

【課題】特に青色光を中心とした短波長光に対し、受光面における反射率が低減され、高受光感度特性となっている光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体装置の製造方法は、基板１０１に受光素子を形成する工程（ａ）と、受光素子上にシリコン窒化膜１０４を形成する工程（ｂ）と、基板１０１上に第１の絶縁膜１０５を形成する工程（ｃ）と、第１の絶縁膜１０５を熱処理により平坦化する工程（ｄ）と、受光素子上において、第１の絶縁膜１０５を開口してシリコン窒化膜１０４を露出させる工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、シリコン窒化膜１０４に選択的に不純物を導入することにより、シリコン窒化膜１０４の屈折率を変化させる工程（ｆ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】出力電圧もしくは出力電流の範囲を広げることなく、検出可能な照度範囲が広い光電変換装置を得ること、光センサの特性ばらつきによる出力ばらつきが小さい光電変換装置を得ること、消費電力が小さい光電変換装置を得ること、歩留まりが高く、製造コストが小さい光電変換装置を得ることを課題とする。
【解決手段】照度に対応する電流信号を出力する光センサと、光センサから出力された電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を有する光検出回路と、光検出回路から出力された電圧信号を増幅する増幅器と、増幅器から出力された電圧と基準の電圧を比較し、制御回路に結果を出力する比較回路と、比較回路からの出力によって、検出する照度範囲を決定し、制御信号を光検出回路へ出力する制御回路とを有し、電流電圧変換回路は、制御信号に従って抵抗値を変える半導体装置を有する。 （もっと読む）

【課題】本願発明では、Ｓｉ集積回路の作製プロセスとの整合がよく、１μｍ以上の波長でも感度を有し、高速で動作する光検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、光吸収層をＧｅとし、真性半導体層をＳｉで構成するＰＩＮ構造の光検出器とした。具体的には、極性のあるＳｉ半導体層１１と、真性Ｓｉ半導体層１２と、前記Ｓｉ半導体層１１と逆極性のＧｅ半導体層１３と、が順に積層されている光検出器１である。 （もっと読む）

【課題】軽量で薄く、好ましくは可撓性を有する光センサ、光電変換素子、光電変換装置、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第１の素子と、第２の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第２の素子とを有し、前記第１の素子と前記第２の素子は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされている半導体装置に関する。また前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路である。またカラーフィルタに代えて、カラーフィルムを用いてもよい。 （もっと読む）

本発明は、光学デバイス、およびそれを製造する方法に関する。ある態様においては、本発明は光起電力デバイスまたは太陽電池に関する。光学デバイスは第１電極と、第２電極と、第１および第２電極の間に配置される活性エレメントと、を備える。活性エレメントは、第１電極から縦方向に延びるとともに第１および第２電極に接している複数の半導体構造を備える。活性エレメントはｎｐ接合を備える。半導体構造では、少なくとも構造の一部は、概ねプレートまたはフレーク形状である。ある態様においては、半導体構造は、ナノメートル範囲にある少なくとも１つの特徴的な寸法を有する。
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【課題】赤外光および紫外光による光電流の発生を防止することにより正確に色分析を行い、従来技術と比較して製造プロセスを簡素化および製造コストを抑制し、また、機械的応力および熱的応力に対して強いカラーセンサー、カラーセンサーの製造方法、および電子機器を提供する。
【解決手段】カラーセンサーは、入射される光をそれぞれ通過させるための並設された複数の色フィルター１９，２０，２１と、これら色フィルター１９，２０，２１を透過した光をそれぞれ受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３とを備えるカラーセンサーであって、Ｎ基板１３を備え、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３は、Ｎ基板１３上に形成されたＰ型アノード層１６を有し、Ｎ基板１３は、欠陥層１２、および、色フィルター１９，２０，２１と欠陥層１２との間に配置された無欠陥層１１を有している。 （もっと読む）

【課題】暗電流のばらつきを低減可能なｐｉｎ型フォトダイオードを作製する方法を提供する。
【解決手段】パッシベーションのためのＩｎＰ半導体２９を成長した後に、燐雰囲気中で熱処理３１を行うので、半導体メサ上に成長されたＩｎＰ半導体がマイグレートする。熱処理の結果、マイグレートによりＩｎＰ半導体２９ａの厚みの均一性が良好になる。 （もっと読む）

【課題】一つの半導体受光素子で光ディスクからの情報の読み取りと光ディスクと半導体受光素子との距離を一定に保つためのフォーカス制御が可能になる青色光、赤色光、赤外光の３波長の光に対応した高感度、且つ、高速な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】動作時に空乏層が形成される受光層の受光面内に、互いに向かい合う少なくとも１組のＮ型半導体層と、互いに向かい合う少なくとも１組のＰ型半導体層が互いに交差して配置・形成されて、動作時に少なくとも一つの鞍点を有する鞍形電位分布が形成される受光層における電界が受光面に平行に形成され、光キャリアが受光面に平行な方向に移動する横型の半導体受光素子。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を増加させることなく、ホットキャリア特性が向上した光電変換装置を提供する。
【解決手段】 複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第１のＭＯＳトランジスタとが配された光電変換領域と、前記第１のＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の増幅の少なくとも一方を行なう第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 熱処理が短時間化かつ低温化したとしてもゲッタリング効果の低減を抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に配された、シリコン基板の厚みよりも薄いエピタキシャル層１０３とを備え、シリコン基板１０１におけるエピタキシャル層１０３に隣接する隣接部位１０２は、機械的損傷が与えられることにより生じた積層欠陥を有する。この積層欠陥はゲッタリングサイトとして機能する。したがって、エピタキシャル層１０３の表面に素子活性領域を形成することとすれば、素子活性領域とゲッタリングサイトとの距離を短縮することができ、熱処理が短時間化かつ低温化したとしてもゲッタリング効果の低減を抑制することができる。 （もっと読む）