【課題】
塗布法により容易に作製でき、大面積化が可能で光電変換効率の高い有機光電変換膜及びこれを含む電子素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
電子供与性の第１有機材料と電子受容性の第２有機材料とを有機溶媒に溶解させて塗布する塗布処理により形成される有機光電変換膜において、前記第１有機材料はポリフルオレン誘導体であり、前記第２有機材料はシロール誘導体であり、かつ、前記有機溶媒を膜内に含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】半導体基板２を絶縁層４が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板２を貫通して絶縁層４に至る孔Ｈ１を光感応領域Ｓ１に対応する位置に形成する。次に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７に、不規則な凹凸２２を形成する。絶縁層４のｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層４が除去されると共に、ｎ^＋型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸２２が面７の全面に形成される。次に、不規則な凹凸２２が形成された基板を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子のアニール処理を行なっても暗電流の増加を抑えることができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極間に設けられた光電変換層と、一対の電極と光電変換層との間の少なくとも一方に設けられた電荷ブロッキング層とを備えた光電変換素子の製造方法であって、電荷ブロッキング層を所定の膜厚で形成するステップと、光電変換素子をアニール処理するステップと、アニール処理を行なう際に、昇温速度を、暗電流が増加しない所定の速度以下とするステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】外部環境に対しより安定した光検出機能を有する半導体装置を得ることを課題と
する。
【解決手段】第１のフォトダイオードと、遮光された第２のフォトダイオードと、ボルテ
ージフォロワ回路を含む第１の回路群と、第２の回路群と、補正用回路とを有し、第１の
フォトダイオードの出力は第１の回路群のボルテージフォロワ回路に入力され、第１の回
路群の出力は補正用回路に入力され、第２のフォトダイオードの出力は第２の回路を介し
て補正用回路に入力される。これら入力を補正用回路にて加算及び減算、もしくはそのい
ずれか一方を行うことで、第１のフォトダイオードにおける温度に起因した出力変動を除
去する。なお、第１のフォトダイオードには開放電圧が出力されるよう基準電位が供給さ
れ、第２のフォトダイオードには順方向のバイアスが印加されるよう電位が供給されてい
る。 （もっと読む）

【課題】シリコン導波路を利用した赤外線検出器を実用的に用いることができるようにする。
【解決手段】単結晶シリコンからなる、リブ部１２１とリブ部１２１の両脇に形成されたスラブ部１２２およびスラブ部１２３とを有するリブ型のコア層１０２とを備え、加えて、リブ部１２１の断面方向の中央部に形成されたループ型結晶欠陥１２４を備える。リブ部１２１に備えるループ型結晶欠陥１２４において光を吸収してキャリアをし、生成したキャリアを、ｐ型不純物領域１０３およびｎ型不純物領域１０４に逆バイアスを印加することにより、外部回路に取り出す。 （もっと読む）

【解決手段】 感光性装置で発生する暗電流は、当該装置を製造する際の種の注入処理を改善することによって、低減される。暗電流は、アニーリング、注入、または、製造時に利用されるその他の処理工程によって発生する、フォトダイオード装置内の欠陥によって生じる可能性がある。処理対象物のフォトダイオード領域をアモルファス化することによって、欠陥の数を低減できるので、暗電流の発生要因が減る。暗電流はまた、隣接するＳＴＩに誘発される応力によっても発生する。裏打ち材料および充填材料に起因して生じる応力によって、処理対象物が含む欠陥はさらに深刻な問題となる。トレンチの側壁および底面をアモルファス化することによって、エッチング処理で形成される欠陥は低減され得る。このように欠陥が低減されることによってさらに、感光性装置での暗電流が低減される。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積を平面的に拡大したり不純物濃度を高めたりしなくても、飽和信号電荷量を増加させる。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、半導体基板２１と、半導体基板２１に二次元的に配列された複数の画素とを備え、画素の光電変換素子となるフォトダイオード２２は、Ｐ型不純物領域（２５，２６）と、Ｎ型不純物領域（２７，２８）とを有し、これらの高濃度不純物領域（２６，２８）同士が接するＰＮ接合部２９が、半導体基板２１の表面側に凸の形状で形成されている。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１は、光が入射する光入射面３０ｂとフォトダイオード部３０ａとを有する半導体薄膜と、光入射面３０ｂの反対側の半導体薄膜の表面の上方に設けられ、凸面６２ａを有する中間層６２と、凸面６２ａの表面に設けられ、光をフォトダイオード部３０ａの方向へ反射する凹面７０ａを有する凹面反射層７０とを備える半導体装置 （もっと読む）

【課題】光電変換部へ向けて入射した光の反射を低減するとともに、光電変換部の受光表面におけるダングリングボンドを減少させる。
【解決手段】光電変換装置は、受光表面を有する光電変換部と、前記光電変換部の上方における開口領域を規定する多層配線構造とを備え、前記多層配線構造は、前記開口領域における輪郭辺を規定する最上の配線層と、前記最上の配線層と同一のパターンを有し且つ前記受光表面に垂直な方向から見た場合に前記最上の配線層に完全に重なるように前記最上の配線層の上に配され、水素を含む水素含有層と、少なくとも前記開口領域を満たす層間絶縁膜と、前記最上の配線層、前記水素含有層、及び前記層間絶縁膜を覆うように延びており、前記水素含有層より水素の含有率が低い保護膜とを含む。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、太陽電池装置で使用されるシリコン半導体装置と伝導性厚膜組成物とに関する。
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【課題】解像度がリブ型導波路の幅以上の露光装置を使用しても格子欠陥が導波路のリブ型導波路の中央部にのみに集中する導波路型受光器の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る導波路型受光器の製造方法は、半導体のリブ型導波路１が中央部に格子欠陥７を有し、リブ型導波路１の両側にあるスラブ部２のそれぞれがｐ型半導体及びｎ型半導体である導波路型受光器の製造方法であって、リブ型導波路１の格子欠陥７を、リブ型導波路１及びスラブ部２を形成した後に、格子欠陥７を形成する部分を含む所定領域が単結晶から非晶質化して非晶質領域５となるまで所定領域にイオンを注入するイオン注入工程と、イオン注入工程の後に、非晶質領域５の両外側からリブ型導波路１の中央部に向かって非晶質領域５を再結晶化ＲＣさせ、非晶質領域５が所望の幅になるまで熱を加える熱処理工程と、で形成する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、太陽電池装置で使用されるシリコン半導体装置と伝導性厚膜組成物とに関する。
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【課題】半導体基板の光入射面側の所望の位置に改質領域を容易に形成することが可能な半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する表面３ａ及び裏面３ｂを有し、表面３ａ側に形成されたフォトダイオード１３を含む画素部７が複数配置されている半導体基板３を準備する。半導体基板３における隣接する画素部７間の所定位置に集光点Ｆを合わせて半導体基板３の裏面３ｂ側からレーザ光Ｌａを照射することによって改質領域２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性・耐久性に優れ、感度調整のための校正を行うことなく波長254nm付近の紫外線を連続的に監視することができる紫外線センサを提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板１０の表面上及び裏面上にそれぞれ第１の電極１１及び第２の電極１２が形成されたセンサチップ１がパッケージ２の内部に収容されて外部雰囲気から封止される。パッケージ２は検出対象の紫外線に対して透光性を有する窓部材２１を有し、センサチップ１の第１の電極１１及び第２の電極１２に電気的に接続されたリード３１及び３２がパッケージ１の外部に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】紫外線領域の光の強度を安定して検出する手段を提供する。
【解決手段】シリコン半導体層に形成された、Ｐ型の不純物を高濃度に拡散させたＰ型高濃度拡散層と、Ｎ型の不純物を高濃度に拡散させたＮ型高濃度拡散層とを、シリコン半導体層に、Ｐ型およびＮ型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した横型ＰＮ接合形式のフォトダイオードにおいて、シリコン半導体層上に層間絶縁膜を形成すると共に、低濃度拡散層の、層間絶縁膜との界面に隣接する原子列に、シリコンと水素の共有結合を形成する。 （もっと読む）

【課題】導波損失を抑え、光導波路からの光を効率的にトランジスタ部のチャネルボディに導くことができるようにする。
【解決手段】半導体基板１１上に絶縁膜１２を介して形成され、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分を有する半導体層と、リッジ構造部分の長手方向の一部の領域によって構成され、その長手方向が光の経路とされた光導波路と、光導波路の経路上においてリッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて構成されたトランジスタ部とを備える。トランジスタ部のチャネルボディ１６を、リッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて、光導波路に対して連続的に形成する。また、チャネルボディ１６の両側面に光導波路に対して連続的に形成された側壁部１５Ｃを形成する。半導体層におけるリッジ構造部分よりも薄い膜厚とされた領域であって、チャネルボディに隣接する領域にドレイン領域１５Ａとソース領域１５Ｂとを形成する。 （もっと読む）

【課題】受光素子の低い暗電流及びスイッチ素子の優れた特性の両方を高水準に達成可能なモノリシック型の光センサを提供すること。
【解決手段】本発明に係る光センサ１０は、フィールド酸化膜６ａによって区画された領域にそれぞれ形成される受光素子Ｄ１とスイッチ素子Ｑ１とが接続されたものであって、フィールド酸化膜６ａとともにシリコン基板２を覆うように設けられた酸化シリコン層６ｂ，６ｃと、受光素子Ｄ１が形成される領域の酸化シリコン層６ｂを覆うように設けられ、端部７ａがフィールド酸化膜６ａと離隔している窒化シリコン層７と、受光素子Ｄ１の受光部１２以外を覆うように設けられた層間絶縁層８と、この層間絶縁層８上に設けられたパッシベーション層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＮ膜およびプラズマＳｉＮ膜を残さず除去することにより、プラズマＳｉＮ膜に起因する入射光の外部への反射およびその透過量を減少させると共にマイクロレンズから基板表面間距離を更に縮小して、受光感度を向上でき、しかも、マイクロレンズから基板表面間での光の多重反射を更に低減して色むらや感度むらを抑制する。
【解決手段】各色のフィルタ２３の直下に第４絶縁膜２２が平坦化されて設けられており、フィルタ２３と第４絶縁膜２２との間に、従来のような反射防止用のＳｉＯＮ膜や、パッシベーションおよび水素シンター用のプラズマＳｉＮ膜２５を残さず設けていない。 （もっと読む）

【課題】水素濃度を減らしながら、半導体素子を容易に得ることができる、製造方法およびその方法で製造された半導体素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】損傷したエピタキシャル層の表面を除去して、漏洩電流の発生を防止できるイメージセンサー及びその製造方法を課題にする。
【解決手段】半導体基板上に順次に形成された第１、第２及び第３エピタキシャル層２０、３０、４０と、第１エピタキシャル層２０に形成された第１イオン注入層２５と、第２エピタキシャル層３０に形成された第２イオン注入層３５と、第３エピタキシャル層４０に形成された第３イオン注入層４５と、第３エピタキシャル層４０の第３イオン注入層４５の上部に形成されたトレンチ５０を含む。 （もっと読む）