【課題】少なくとも一つの活性有機層を備えた電子構成要素を製造する。
【解決手段】有機構成要素を巻回プロセスにて製造し得る方法を最初に開示する。連続的な製造方法は、活性半導体層の活性領域が、製造プロセスの任意の時点にて未保護の溶媒、及び／又は溶媒蒸気に露出されない利点を有している。それによって、高品質の有機構成要素を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、良好な時間的および空間的なコヒーレンスを有し、高い実装密度を有する、バイスペクトル検出器を提供する。
【解決手段】第1の導電型の上側半導体層１８および下側半導体層１４のスタックであって、上側層１８および下側層１４の間の電位バリアを形成する中間層１６によって分離される、スタックと、第2の導電型の上側半導体領域６８および下型半導体領域６６であって、半導体領域６６が、少なくとも部分的に、上側層および中間層を通過する開口２２の底部に位置する、半導体領域６６，６８とからなる。上側層と下側層の少なくとも1つの上面が、半導体層６６，６８で全体が覆われる。半導体層６６，６８を形成するために、スタックの上面から、かつ半導体層６６，６８の少なくとも厚みを通って、各単位検出要素の周囲で切り欠き６２が作られ、半導体層６６，６８が、半導体層１８，１４の一方またはもう一方の全体を覆う。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハとカバー部材を固定するための固定部材とカバー部材との間の気泡の発生を抑制し、信頼性の高い光センサを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光センサの製造方法は、複数の画素領域を備えた半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハ上に、固定部材によって前記複数の画素領域の各々を囲む格子状の凸部を形成する工程と、前記固定部材による前記格子状の凸部の線幅より狭い幅の格子状の溝及び格子状に配置された複数の貫通孔の少なくとも一方からなるギャップ部を表面に有する透光性基板を準備する工程と、前記固定部材上に通気口を構成するように、前記格子状の凸部と前記ギャップ部とを対向させて前記半導体ウエハと前記透光性基板を固定する工程と、固定された前記半導体ウエハと前記透光性基板を切断し、前記画素領域毎に個片化する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】短波長における光電変換効率を改善する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤは、受光領域１４に照射された光に応じた光電流を生成する。Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。Ｎ型の低濃度カソード領域１０は、低濃度アノード領域１２の上層に、受光領域１４をカバーするように形成される。Ｎ型の高濃度カソードコンタクト領域１６は、低濃度カソード領域１０の表層であって受光領域１４より外側の領域に形成される。アノードコンタクト領域２０は、高濃度カソードコンタクト領域１６よりも外側の領域に、フォトダイオードＰＤの表層から低濃度アノード領域１２に達する深さまで形成される。高濃度カソード領域２４は、低濃度カソード領域１０の表層に、高濃度カソードコンタクト領域１６から受光領域１４の中心に延びる方向に形成される。 （もっと読む）

【課題】光電流及び素子抵抗をともに大きくできるようにすること。
【解決手段】本発明の赤外線センサ１００は、第１の光吸収層１０３及び第２の光吸収層１０６によって吸収された赤外線を光電流に変換するＰＮダイオードをトンネル接合によって直列接合させた構造である。半導体基板１０１上に設けられた第１のｎ型化合物半導体層１０２と、その上に設けられた第１の光吸収層１０３と、その上に設けられた第１のｐ型ワイドバンドギャップ層１０４と、その上に設けられた第２のｎ型化合物半導体層１０５と、その上に設けられた第２の光吸収層１０６と、その上に設けられた第２のｐ型ワイドバンドギャップ層１０７と、その上に設けられたｐ型キャップ層１０８と、第１のｎ型化合物半導体層１０２上及びｐ型キャップ層１０８上に電極１１０，１０９を備えている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成によって、第１の光電変換部と第２の光電変換部との近接、及び第２の光半導体素子に対する気密封止を実現することができる光検出器を提供する。
【解決手段】 光検出器１では、低抵抗Ｓｉ基板３、絶縁層４、高抵抗Ｓｉ基板５及びＳｉフォトダイオード２０によって、凹部６内に配置されたＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する気密封止パッケージが構成されており、低抵抗Ｓｉ基板３の電気通路部８及び配線膜１５によって、Ｓｉフォトダイオード２０及びＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する電気的配線が達成されている。そして、Ｓｉフォトダイオード２０のｐ型領域２２がＳｉ基板２１の裏面２１ｂ側の部分に設けられているのに対し、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０のｐ型領域３２がＩｎＧａＡｓ基板３１の表面３１ａ側の部分に設けられている。 （もっと読む）

【課題】切断面に互いに異なる導電型の層が積層された界面が存在することによって生じる電気的なノイズを確実に除去ないしは低減することができるという効果を有する裏面照射型撮像素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】チップ１０１の裏面１０１ａ側にｐ⁻型の光電変換層１０２が設けられ、光電変換層１０２上にｎ⁻型の電荷収集層１０３が設けられ、チップ１０１の表面１０１ｂ側の外周縁付近にｐ型の周辺領域１０７が設けられ、チップ１０１の外周面には、ｐ⁻型の光電変換層１０２にｎ⁻型の電荷収集層１０３が積層された界面と、ｎ⁻型の電荷収集層１０３にｐ型の周辺領域１０７が積層された界面とが存在し、これらの界面はステルスダイシングによって破砕層が生じない切断面として形成されたものであって、これらの界面上にｐ^＋型の被覆層１１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】クロストークを抑制しつつ、改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制することが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１ａは、半導体基板３と、半導体基板３の裏面側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合によりフォトダイオードを構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、隣接するｐ型半導体領域５間の領域３７には、領域３７の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、隣接するｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びて改質領域５０が形成され、隣接する４つのｐ型半導体領域５に囲まれる領域３８には、改質領域５０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、接着用樹脂と絶縁層との界面が剥離し、その剥離に起因して接着用樹脂へクラックが発生するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、最も膜厚が厚くなる配線層２５Ａが、平坦化処理の施される第４の絶縁層２６の下層に配置されることで、第４の絶縁層２６表面には、配線層２５Ａによる段差が大幅に緩和される。そして、第４の絶縁層２６上面には膜厚の薄い配線層２７Ａが配置される。この構造により、パッシベーション膜２９表面の窪み領域の段差幅が緩和され、接着樹脂３が局所的に厚くなることを防止し、熱応力による接着樹脂の外観異常が防止される。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、その一方主面の一部を覆うように形成されるものであって、ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２およびＺｎＯ層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。積層体５には段差１１が形成され、上記接合部６は、段差１１を生じさせる立ち上がり面１２上に露出している。立ち上がり面１２は傾斜していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ナノ線に基づく光センサ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一様態による半導体ナノ線光センサは、少なくとも上部が絶縁体からなる基板と、上記基板上に所定間隔で分離され形成された２つの電極と、上記各電極上に形成された金属触媒層と、上記各電極上の金属触媒層から成長された可視光帯域の半導体ナノ線を含む。上記２つの電極の金属触媒層上に成長された両側の半導体ナノ線が上記２つの電極の間で上記基板と離隔され互いが空中で接触する構造で連結されている。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性半導体基板をドライエッチングで加工後、選択エピタキシャル技術を用いることにより、素子を形成すると共に、メサエッチングを行わずに素子分離を実現する。
【解決手段】 共通の基板上に複数の半導体素子を形成すると共に、所定の間隔で分割することにより、独立した複数の半導体素子を形成する半導体装置製造方法において、前記基板として絶縁基板を使用し、この基板表面に絶縁膜を形成し、前記複数の半導体素子を形成する領域に対応した前記絶縁膜を取り除くステップと、前記基板を異方性エッチングにより、任意の深さまで取り除き、素子部を成長させる基板部と複数の素子間に介在する境界部とを形成するステップと、前記基板を選択エピタキシャルにより、前記基板に素子部を成長させるステップと、前記境界部において、前記基板を切断するステップとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

放射の検出に使用される第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０を有する半導体ボディ２を備えている放射受光器１を開示する。第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０は、垂直方向に互いに隔置されている。第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間にはトンネル領域２４が配置されている。トンネル領域２４は接続面３１に導電接続されており、接続面３１は、第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間で半導体ボディ２に外部から電気的に接触する目的で使用される。さらに、放射受光器を製造する方法も開示する。
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【課題】 本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、隣接するフォトダイオード間でクロストークの低減可能なフォトダイオードアレイ製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明は、一方の面に複数のフォトダイオードが形成された半導体ウエハを、基材の表面に貼り付ける貼り付け工程と、前記複数のフォトダイオードのそれぞれの間を、前記半導体ウエハの側から前記半導体ウエハの深さまでダイシングするウエハダイシング工程と、前記複数のフォトダイオードをまとめて構成されたアレイ化フォトダイオードの間を、前記半導体ウエハの側から前記基材の深さまでダイシングする基材ダイシング工程と、を備えるフォトダイオードアレイ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】分割部の直下及び分割部直下周囲に空乏層を広げて分割フォトダイオードの応答速度を向上させる。
【解決手段】本実施の形態の分割フォトダイオードは、光を受光する受光領域が平面視において複数個に分割される分割フォトダイオードである。この分割フォトダイオードは、Ｐ型基板１０９と、Ｐ型基板１０９上に形成されたＰ型エピタキシャル層１０１と、Ｐ型エピタキシャル層１０１上に形成されたＮ型エピタキシャル層１０３と、Ｎ型エピタキシャル層１０３内にＰ型エピタキシャル層１０１と離隔して設けられ、受光領域を分割するＰ型分割領域１０７と、を備え、印加される逆バイアス電圧によってＰ型分割領域１０７とＰ型エピタキシャル層１０１との間に位置する分割部直下Ｎ型領域１０６に形成された空乏層（第１の空乏層）が、Ｎ型エピタキシャル層１０３とＰ型エピタキシャル層１０１との接合面に形成される空乏層（第２の空乏層）に達することによって受光領域が電気的に分離されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】耐光性の劣化がない構造の受光素子で、その受光素子の高さを抑制し、低背化、小型化を実現し、生産コストの低減を図り、またボイドの発生を抑制する。
【解決手段】複数の受光素子チップ１０に対応して複数の光入射孔１４が形成されかつ裏面側に電極１６が設けられた集合基板１２を用い、上記各光入射孔１４にチップ１０の受光面側を配置しながら、上記電極１６に受光素子側電極１８をバンプ接続し（チップ接続工程）、この集合基板１２の裏面側へ半硬化状態の樹脂シート２０を配置し、この樹脂シート２０の全体を、加熱した平面プレス板２２により減圧状態で加圧し、ボイドを発生させることなく、樹脂をチップ１０及び集合基板１２へ密着させ（加圧工程）、その後、樹脂を硬化させて集合基板１２の裏面樹脂全体をフラットに形成し（硬化工程）、この樹脂封止された集合基板１２を切断して受光素子を個片化する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上させることができる薄型光素子及びその製造方法、デバイス製造方法、並びに当該製造方法を用いて製造されたデバイスを備える電子機器を提供する。
【解決手段】薄型光素子１０は、半導体層１１と半導体層１１上に形成された一対の電極１２，１３とを備え、半導体層１１の電極１２，１３が形成された面とは反対側の面を受光面１１ａとしている。この薄型光素子１０は、半導体層１１及び電極１２，１３の上部を覆うよう形成された強度付与層１４と、強度付与層１４上に形成された一対の接続電極１５，１６とを備えており、これら一対の電極１２，１３と一対の接続電極１５，１６とは、強度付与層１４に形成されたスルーホール１７，１８を介してそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物電極と、高反射性金属であるが酸化物が絶縁性となる金属電極の積層。
【解決手段】サファイア基板１００に発光領域Ｌを有するｎ型層１１とｐ型層１２を形成する。ＩＴＯ電極１２１−ｔ、ＳｉＮ_x誘電体層１５０とその孔部のＮｉから成る接続部１２１−ｃ、Ａｌから成る高反射性金属層１２１−ｒを形成する。この上にＴｉ層１２２、Ｎｉ層１２３、Ａｕ層１２４を順に形成する。次にｎ型シリコン基板２００を用意し、両面に導電性多層膜を次の順に蒸着により形成する。ＴｉＮ層２２１及び２３１、Ｔｉ層２２２及び２３２、Ｎｉ層２２３及び２３３、Ａｕ層２２４及び２３４。これらにスズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１、５２を形成し、３００℃で熱プレスして、２つのウエハを合体させる。こののち、サファイア基板１００側からレーザ照射によりｎ型層１１の表面のＧａＮを分解して、サファイア基板１００をリフトオフにより除去する。 （もっと読む）