【課題】アノード電極及びカソード電極の両電極が同一面に設けられた光検出素子に対し応答速度の向上を図ること。
【解決手段】半導体基板２上に設けられた絶縁層４と、絶縁層４上に設けられた半導体メサ部５と、半導体メサ部５の主面上に設けられたアノード及びカソード電極とを備え、半導体メサ部５は、絶縁層４との接合面に設けられたｎ^＋型埋込み層６と、ｎ^＋型埋込み層６上に設けられたｎ⁻型層８と、ｎ⁻型層８内に設けられておりｐ^＋型領域１６を含む光検出領域Ｓ１と、ｎ⁻型層８内において光検出領域Ｓ１を囲むように主面に設けられたｎ^＋型領域１４と、ｎ⁻型層８内において光検出領域Ｓ１を囲むように半導体メサ部５の側面に設けられたｎ^＋型接続領域１０とを有し、半導体基板２は、半導体基板２を貫通し絶縁層４に至る光入射孔Ｈ１が光検出領域Ｓ１に対応する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】導電型制御を正確に行うことができて、実用に足る、ｎ型半導体、半導体接合素子および光電変換装置を提供すること。
【解決手段】硫化鉄にIIIｂ族元素を混ぜることにより、ｎ型半導体を作製する。また、このｎ型半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作成する。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２半導体を、今後様々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の
制御が必要となる。特に、キャリア濃度の低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制
御などは必要不可欠である。
【解決手段】β−ＦｅＳｉ_２の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板
温度を４００℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を
混入することによりβ−ＦｅＳｉ_２を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャ
ップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−Ｆ
ｅＳｉ_２半導体薄膜の製造方法 （もっと読む）

【課題】酸化物電極と、高反射性金属であるが酸化物が絶縁性となる金属電極の積層。
【解決手段】サファイア基板１００に発光領域Ｌを有するｎ型層１１とｐ型層１２を形成する。ＩＴＯ電極１２１−ｔ、ＳｉＮ_x誘電体層１５０とその孔部のＮｉから成る接続部１２１−ｃ、Ａｌから成る高反射性金属層１２１−ｒを形成する。この上にＴｉ層１２２、Ｎｉ層１２３、Ａｕ層１２４を順に形成する。次にｎ型シリコン基板２００を用意し、両面に導電性多層膜を次の順に蒸着により形成する。ＴｉＮ層２２１及び２３１、Ｔｉ層２２２及び２３２、Ｎｉ層２２３及び２３３、Ａｕ層２２４及び２３４。これらにスズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１、５２を形成し、３００℃で熱プレスして、２つのウエハを合体させる。こののち、サファイア基板１００側からレーザ照射によりｎ型層１１の表面のＧａＮを分解して、サファイア基板１００をリフトオフにより除去する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でガードリング構造を作り込むことのできるアバランシェフォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】拡散によりpn接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。拡散マスクを経てZnを窓層２０に拡散し、受光部とガードリングとを同時に形成する。拡散制御層と窓層とで拡散係数がほぼ等しい場合、単純に拡散制御層の厚さに相当する厚みが拡散フロントでの深さの差となる。 （もっと読む）

【課題】
欠陥のないゲルマニウムＥＬＯ層を形成すること。
【解決手段】
ゲルマニウム光検出装置の製造方法は、シリコン基板を準備する工程と、シリコン酸化膜を形成し平坦化する工程と、前記シリコン酸化膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記シリコン酸化膜の上および前記コンタクトホール内に、第１エピタキシャルゲルマニウム層を形成する工程と、前記第１エピタキシャルゲルマニウム層と露出している前記シリコン酸化膜との上に真性ゲルマニウム層を形成する工程と、前記真性ゲルマニウム層および露出している前記シリコン酸化膜の上に第２エピタキシャルゲルマニウム層を形成する工程と、ポリシリコン、ポリシリコン−ゲルマニウムおよびＩｎ_２Ｏ_３‐ＳｎＯ_２の群から選択される少なくとも１種からなる保護層を形成する工程と、個々の検出部を画定するために前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い接合強度を有する光学部品を備える光半導体素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体素子１０は、半導体基板２０上に形成されたフォトダイオード１１を備える。このフォトダイオード１１上には接合部１３が設けられており、その上部にマイクロレンズ１２が形成されている。接合部１３は、フォトダイオード１１上を開口する開口２４ａが形成されたコンタクト層２４と、開口２４ａの上方に開口２４ａの開口面積よりも小さな開口面積の開口２５ａが形成された電極２５とからなり、これら開口２４ａ，２５ａの内部にマイクロレンズ１２の一部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 本発明は、一部、製造工程中の異なる時点で３つのハンドルウェハがウェハに接着されるシリコンＰＩＮ検出器部品を製造するための方法に関する。製造中に３つのハンドルウェハを用いることによって、用いない場合には、比較的薄く且つもろいウェハに関する取り扱いに係る問題を大幅に緩和され、ＰＩＮ検出器部品を構成するウェハの一部を補強するための安定的で且つ強固な基板が提供される。発明の変形例においては、第３ハンドルウェハは、関連する波長において透明な光学素子を備えている。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構造で安定に動作し、製造コストも低いプラズモン共鳴型光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズモン共鳴型光電変換素子は、支持基板１０の上に正極集電体１２が形成され、その上には、光を照射されてプラズモン共鳴を起こす金、銀、白金、銅またはパラジウム等の金属で構成された電荷発生層１４が形成されている。この電荷発生層１４は、プラズモン共鳴を起こしやすくするために、突起部を有する。また、電荷発生層１４の上には、電荷発生層１４で発生した電荷を取り出す半導体層１６が形成されている。半導体層１６には、例えば酸化チタン等のｎ型半導体を使用することができる。半導体層１６の上には、ＩＴＯ等の透明電極１８が形成され、透明電極１８の上には、ガラス、プラスチック等の支持基板２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ローコストで、安定かつ安全に受光デバイスを検査する。
【解決手段】受光デバイス６Ａの端子に電気的接続をとる接続部（プローブ４等）と、受光デバイス６Ａに光を照射する光源部９と、振動を検出する加速度センサ２２と、加速度センサ２２の出力から所定周波数の振動成分を抽出する重み付けフィルタ２３Ａ,２３Ｂと、光を照射し、受光デバイス６Ａの端子にバイアスを印加したときに受光デバイス６Ａの端子から出力された受光信号レベル値の有効性を、所定周波数の振動成分のレベル値から判断可能な検査部（ＬＳＩテスタ１）とを有する。
（もっと読む）

【課題】 透明保護板を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、透明保護板表面への汚れの付着を防止するとともに、入射光の反射を抑制し、入射光の損失を防止することのできる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 透明保護板１００を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記透明保護板１００の少なくとも受光面側に機能性膜２０２，２０１を設けたことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】 画素が微細化され、かつ、画像感度、色シェーディング、感度シェーディングが良好な、画像特性の良い固体撮像装置を実現するための固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜１０の表面のうち、ゲート電極６と、光電変換部３を保護する保護膜７とが重畳形成され、さらに、遮光膜９が形成されている部分には、面積が広く高さが高い凸部が現れる。層間絶縁膜１０の表面を平坦化するために、まず、この凸部上に開口２２を有するレジストパターン２１を形成する。そして、レジストパターン２１から露出した部分をドライエッチングして凸部の大きさを予め小さくしておいた後に、ＣＭＰ法で層間絶縁膜１０の表面を平坦化する。そして、平坦化後の層間絶縁膜１０上に光路変更レンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】素子容量が小さく、従来に比べてより一層の高速化が可能な半導体受光素子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】上面が（１００）面のＩｎＰ基板５１を用意し、このＩｎＰ基板５１の上にクラッド層５２、光導波路層５３及びクラッド層５４からなる光導波路を形成する。その後、クラッド層５２、光導波路層５３及びクラッド層５４を異方性エッチングして傾斜面を形成する。次に、有機金属気相成長法により、傾斜面上にｎ−ＩｎＰ層５６及び光吸収層５７を順次形成した後、同時ドーピング法により、傾斜面上のみにＺｎが優先的に導入されたｐ−ＩｎＰ層５８ａを形成し、同時に平坦面上にＳｉが優先的に導入されたｎ−ＩｎＰ層５８ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】応答速度の高速化を図れ且つ製造が容易な近赤外光検出素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一表面側に形成されｐ形領域６１とｎ形領域６３との間にドリフト領域であるｉ層６２が介在するｐｉｎフォトダイオードのフォトダイオード構造を有し近赤外光を吸収して電子・正孔対が発生する光電変換部６と、光電変換部６の受光面に積層され当該受光面に平行な２次元面内に屈折率周期構造を有するスラブ型フォトニック結晶であって上記受光面に交差する方向から入射される検出対象の近赤外光の波長帯に対して共振ピークを有するように屈折率周期構造が設計されたスラブ型フォトニック結晶７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知する光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、薄膜トランジスタを含む増幅回路と、バイアス切り替え手段とを有し、前記バイアス切り替え手段は、入射する光の強度が所定の強度において前記フォトダイオード及び増幅回路に接続されているバイアスを切り替えることにより、前記所定の強度以下の光は前記フォトダイオードで検知し、前記所定の強度以上の光は前記増幅回路の薄膜トランジスタで検知する光電変換装置に関する。微弱光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型およびｎ型の有機半導体物質が均一に混合された、エネルギー変換効率の高い半導体ヘテロ接合膜を提供する。
【解決手段】 ｐ型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記ｐ型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜とする。 （もっと読む）

【課題】
従来、フォトダイオード又はフォトダイオードの樹脂封止体には空乏層に集光する為に反射面やレンズが備えられたが、反射面で反射した光の全てが空乏層に入射するわけでない。また、光を反射する性質を持たないフィラーをフォトダイオードの樹脂封止体に混合しており、フォトダイオードに入射する光が空乏層に到達できるとは限らない。
本願発明は上記課題を解決する為になされたもので、フォトダイオードに入射する光の一部をフォトダイオードの空乏層へ集光又は到達させることを目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成する為に、本発明は、フォトダイオードの基板又は半導体層に反射面を備えた。また、フォトダイオードを収容する筐体に拡散体を充填した。 （もっと読む）

【課題】 受光素子の光感度を検査するに際し、その検査の信頼性の向上を図ることができる受光素子検査方法及び受光素子検査装置を提供する。
【解決手段】 複数のフォトダイオードを備えたチップの光感度を測定するに際し、ウェハテスタ１にチップをセットし、レーザヘッド５からのレーザ光を単一のフォトダイオードに対して照射する。このときの出力電圧に基づき光感度値を算出する。この動作を全てのフォトダイオードに対して順に行っていく。 （もっと読む）

【課題】 光検知器に関し、例えば赤外線吸収に量子ドット構造を用いた場合、量子ドット素子温度が高い場合などに起こる暗電流が光電流に対して非常に大きい条件下に於いても、信号雑音比を高くすることできるようにする。
【解決手段】 同じ素子構造をもつ２つの光検知素子である第１の量子ドット素子２１及び第２の量子ドット素子２２が空洞２３を介して光の入射方向に対して垂直に対向して重ねられ、且つ、空洞２３の一部を占有する固化物質である半導体部２３Ａで結合された構造を備える。 （もっと読む）

【課題】開口部を形成してもリークの原因となるダメージを与えることなく、短絡せずにフォトダイオードを構成することができる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層（１０，１１）の主面に第２導電型の第２半導体層（１２，１６）が形成され、少なくとも上記第２半導体層において形成された素子分離領域（１３，１４，１５，１７）が形成されて複数のフォトダイオードの領域（ＰＤ１〜ＰＤ４）に分離されており、複数のフォトダイオード全体に対する外周部において第２半導体層（１６）に接続し、個々のフォトダイオード毎に分割されたパターンで、第２半導体層（１６）の上層に導電層１８が形成されており、導電層１８を被覆して全面に絶縁層（１９，２１）が形成されており、導電層１８のパターンより内側の領域において絶縁層（１９，２１）に第２半導体層（１６）に達する開口部が形成されている構成とする。 （もっと読む）