【課題】所望の形状を有するモノリシック半導体レンズを簡易に形成できる半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体光デバイスの製造方法では、ナノスタンパ４３によってインプリント樹脂層４２に形成したマスクパターン４６を半導体基板２１の他面側に転写してモノリシック半導体レンズ２３を形成する。この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。また、モノリシック半導体レンズ２３の形状の再現性も良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】受光感度の低下を防止することができるＵＶセンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩ基板の半導体層内に形成された低濃度Ｎ型領域と、前記低濃度Ｎ型領域と接してこれとＰＮ接合を形成する低濃度Ｐ型領域と、を前記低濃度Ｎ型領域及び前記低濃度Ｐ型領域の各々よりも高濃度の高濃度Ｎ型領域及び高濃度Ｐ型領域によって挟んでいる。 （もっと読む）

【課題】受光領域に到達するまでに光の減衰をなるべく防止するとともに、界面でのメジャーキャリアを電子とし、受光領域の検出感度や応答速度が低下しないようなフォトダイオードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１に、ｎ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｎ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないシリコン基板１上に積層されたＧａＮ層２との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。ＧａＮは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。したがって、高感度、高安定性を実現できる。また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。これにより、高速応答性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】複数のフォトダイオードにおける入射光の特定波長成分の分光感度特性のみを選択的に異ならせることが可能な半導体光検出装置を提供する。
【解決手段】半導体光検出装置１は、半導体基板３の表面３ａ側において並んで配置されていると共に、半導体基板３との第１及び第２のｐｎ接合１３ａ，１３ｂにより第１及び第２のフォトダイオード１５ａ，１５ｂを構成する第１及び第２のｐ型半導体領域５ａ，５ｂと、第１及び第２のフォトダイオード１５ａ，１５ｂからの入力信号の差分を出力する信号処理回路２１と、を備えている。半導体基板３には、裏面３ｂと第１のｐ型半導体領域５ａとの間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって、改質領域２０が形成されており、裏面３ｂと第２のｐ型半導体領域５ｂとの間には改質領域２０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】任意の２つの光送受信部が相互に通信可能な光集積回路装置を提供する。
【解決手段】光導波路１〜ｉおよび光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊは、半導体基板２０の一主面に配置される。光源３０は、半導体基板２０の端面に配置され、発生した光を光導波路１〜ｉへ導く。各光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊにおいて、光共振部材４０は、電圧が印加されると、光導波路１〜ｉ中を伝搬する光の１つの一部の光と光共振し、その一部の光を光伝送部材１０中へ出射する。また、各光送受信部１１〜１ｊ，２１〜２ｊ，・・・，ｉ１〜ｉｊにおいて、光共振部材５０，６０は、電圧が印加されると、光伝送部材１０中を伝搬する光と光共振し、その共振した光を光検出部７０，８０へ出射する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性・耐久性に優れ、感度調整のための校正を行うことなく波長254nm付近の紫外線を連続的に監視することができる紫外線センサを提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板１０の表面上及び裏面上にそれぞれ第１の電極１１及び第２の電極１２が形成されたセンサチップ１がパッケージ２の内部に収容されて外部雰囲気から封止される。パッケージ２は検出対象の紫外線に対して透光性を有する窓部材２１を有し、センサチップ１の第１の電極１１及び第２の電極１２に電気的に接続されたリード３１及び３２がパッケージ１の外部に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】紫外線領域の光の強度を安定して検出する手段を提供する。
【解決手段】シリコン半導体層に形成された、Ｐ型の不純物を高濃度に拡散させたＰ型高濃度拡散層と、Ｎ型の不純物を高濃度に拡散させたＮ型高濃度拡散層とを、シリコン半導体層に、Ｐ型およびＮ型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した横型ＰＮ接合形式のフォトダイオードにおいて、シリコン半導体層上に層間絶縁膜を形成すると共に、低濃度拡散層の、層間絶縁膜との界面に隣接する原子列に、シリコンと水素の共有結合を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い解像度を得ることができる機構を備えた受光素子アレイ、撮像装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光層３を含む受光素子１０が、複数個、共通の読出し制御回路の基板３０上に配置され、各受光素子は、隣接する受光素子から隔離され、各受光素子に設けられた対の電極のうち、第１導電側電極１２は、すべての受光素子にわたって電気的に共通に接続されており、他方の第２導電型領域６に設けられる第２導電側電極１１は、それぞれ読出し制御回路の読出し部３１に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線感光素子と可視光感光素子とを同じ半導体基板に形成して、１チップ化された小型の光センサを提供する。
【解決手段】光センサが、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成され、第１導電型を有する第１拡散層と、第１拡散層と離間して設けられ第１導電型とは逆型の第２導電型を有する第２拡散層と、第１拡散層と第２拡散層とにそれぞれ接し第１導電型を有する第３拡散層と、を有する紫外線感光素子と、絶縁層上に、紫外線感光素子と離間して形成され、第３導電型を有する第４拡散層と、第４拡散層と離間して設けられ第３導電型とは逆型の第４導電型を有する第５拡散層と、第４拡散層と第５拡散層とにそれぞれ接し第３導電型を有する第６拡散層と、を有する可視光感光素子と、を備え、紫外線感光素子の第３拡散層の膜厚は、可視光感光素子の第６拡散層の膜厚よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、隣接するフォトダイオード間でクロストークの低減可能なフォトダイオードアレイ製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明は、一方の面に複数のフォトダイオードが形成された半導体ウエハを、基材の表面に貼り付ける貼り付け工程と、前記複数のフォトダイオードのそれぞれの間を、前記半導体ウエハの側から前記半導体ウエハの深さまでダイシングするウエハダイシング工程と、前記複数のフォトダイオードをまとめて構成されたアレイ化フォトダイオードの間を、前記半導体ウエハの側から前記基材の深さまでダイシングする基材ダイシング工程と、を備えるフォトダイオードアレイ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 従来に比して、より高い導電性を有し、もってデバイス化に貢献し得る酸化ガリウム基板用電極を得る。
【解決手段】 酸化ガリウム単結晶にオーミック電極を形成する際、表面にプラズマ照射してからTiを蒸着後、Au蒸着したAu/Ti構造の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によるイメージセンサは、下部配線と回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）が形成された第１基板と、前記下部配線と接触するとともに前記第１基板とボンディングされた結晶半導体層（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｙｅｒ）と、前記結晶半導体層内に前記下部配線と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオード内に形成された光遮断層と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐光性の劣化がない構造の受光素子で、その受光素子の高さを抑制し、低背化、小型化を実現し、生産コストの低減を図り、またボイドの発生を抑制する。
【解決手段】複数の受光素子チップ１０に対応して複数の光入射孔１４が形成されかつ裏面側に電極１６が設けられた集合基板１２を用い、上記各光入射孔１４にチップ１０の受光面側を配置しながら、上記電極１６に受光素子側電極１８をバンプ接続し（チップ接続工程）、この集合基板１２の裏面側へ半硬化状態の樹脂シート２０を配置し、この樹脂シート２０の全体を、加熱した平面プレス板２２により減圧状態で加圧し、ボイドを発生させることなく、樹脂をチップ１０及び集合基板１２へ密着させ（加圧工程）、その後、樹脂を硬化させて集合基板１２の裏面樹脂全体をフラットに形成し（硬化工程）、この樹脂封止された集合基板１２を切断して受光素子を個片化する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された複数の半導体素子を備えた半導体装置において、半導体素子の基板側に配置された遮光層の電位を安定化させて半導体素子の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、光透過性を有する基板１０１と、基板１０１に支持された複数の半導体素子１２５と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された導電性を有する複数の島状の遮光層１０３と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された透光性を有する導電膜１０２とを備え、複数の島状の遮光層１０３は、複数の半導体素子１２５の少なくとも２つの半導体素子と関連付けられており、かつ、導電膜１０２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイおよびその製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】ｎ型シリコン基板３の被検出光の入射面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成され、かつ入射面側とその裏面側とを貫通する貫通配線８がホトダイオード４について形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側に、ホトダイオード４の形成領域を被覆し、被検出光を透過する透明樹脂膜６を設けてホトダイオードアレイ１とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ回路とフォトダイオードの新たな集積を提供できるイメージセンサ及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に係るイメージセンサは、基板上に形成された回路（circuitry）と、上記基板上に形成された下部配線と、上記下部配線上に形成されたカーボンナノチューブと、上記カーボンナノチューブに形成された導電性高分子と、上記カーボンナノチューブ上に形成された透明電極とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１の基板上に剥離膜を挟んで光電変換素子及び増幅回路を作製し、その後、第１の基板と光電変換素子及び増幅回路の剥離を含む工程によって作製される半導体装置において、増幅回路の出力特性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上に開口部を有する金属層を形成し、記金属層及び該開口部を含む前記基板上の一面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上層であって、前記金属層と重なる領域に光電変換層を形成し、前記金属層の開口部に薄膜トランジスタにより前記光電変換素子の出力電流を増幅する増幅回路を形成し、前記光電変換素子及び前記増幅回路上に保護膜を形成し、前記金属層にレーザビームを照射して、前記光電変換素子及び前記増幅回路を、前記絶縁層を含んで前記基板から剥離する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】より安価なシリコン微粒子を原料として低コストで製造可能な光センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】光センサー１は、第１の官能基を有する被膜で被覆された透明電極１４の表面のパターン部分にのみ選択的に、第２の官能基を有する被膜で被覆されたｎ型シリコン微粒子２４が１層結合固定され、その上には第３の官能基を有する被膜で被覆されたｐ型シリコン微粒子２５が１層結合固定されており、第１と第２の官能基、および第２と第３の官能基とは、カップリング剤のカップリング反応基との間で生成された結合を介してそれぞれ固定されている。 （もっと読む）

絶縁された電極を作成し、それらの電極間にナノワイヤを組み込む(600)方法(100)はそれぞれ、半導体層(210)上の半導体材料の横方向エピタキシャル過成長を使用して、同一結晶方位を有する絶縁電極(260、270)を形成する。この方法(100、600)は、半導体層上の絶縁膜(240)内の窓(242)を介した半導体機構要素(250)の選択的エピタキシャル成長(140)を含む。垂直ステム(252)は、窓を介して半導体層と接触し、レッジ(254)は、絶縁膜上の垂直ステムの横方向エピタキシャル過成長である。この方法は更に、半導体機構要素と半導体層から１対の絶縁電極(260、270)を作成(160)することを含む。ナノワイヤベースのデバイス(800)は、１対の絶縁電極と、１対の絶縁電極のそれぞれの表面間を架橋するナノワイヤ(280)とを含む。 （もっと読む）