【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑えることができるフォトダイオードを用いた光電変換装置を、マスクの枚数を増やすことなく作製できる方法の提供を、目的の一とする。
【解決手段】同一の形状を有するマスクを用いた露光を、一のフォトレジスト層に対して複数回行い、なおかつ、各露光により上記フォトレジスト層において形成される像を、部分的に重ね合わせる。そして、上記像が重ね合わされた領域に、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクを選択的に形成する。また、ｉ層の形状を加工するためのレジストマスクも、上記マスクと同一の形状を有するマスクを用いた露光により、形成する。上記構成により、同一の形状を有するマスクを用いながらも、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンを、ｉ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンよりも、１回り小さく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際、同時にアルミニウム（Ａｌ）をドープする。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶の面内方向の外側に漏れる光のロスと、発光に寄与せず吸収層として働いてしまうことによる活性層での吸収ロスとを抑制し、光の利用効率を向上させることが可能となる二次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、特定の光を吸収するシリコンを含む光吸収層によって形成された光電変換層が、前記基板面に対して垂直な方向に積層された積層構造による受光素子であって、
前記光電変換層が、前記特定の光の波長に対応した光共振器を形成する前記積層構造中に配された一対の多層膜反射鏡によって狭持された構造を備え、
前記一対の多層膜反射鏡による光共振を可能とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、保護絶縁膜の構造を変えることなく、入射光の波長に対しての出力の波（リップル）を低減する。
【解決手段】 本発明は上記課題に鑑み、複数の光電変換領域と、前記複数の光電変換領域上に配された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に接して配された、該層間絶縁膜とは異なる屈折率を有する保護絶縁膜と、を有する光電変換装置において、各光電変換領域の受光面に配された凹部と、該凹部を埋め込む埋込領域とを有し、前記凹部の深さｄは各第一半導体領域への入射光の波長をλとし、前記埋込領域の屈折率をｎとしたとき、ｄ≧λ／４ｎであることを特徴とする。 （もっと読む）

エピタキシャルリフトオフを用いる、フレキシブル光電（ＰＶ）デバイス等の感光性デバイスの製造方法が開示される。同様に、成長用基板を有する構造を含むフレキシブルＰＶデバイスを製造する方法が開示され、この方法では、保護層の選択的エッチングにより、再利用に好適な平滑な成長用基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板に光センサ、光電変換素子、太陽電池素子を有する半導体装置を作成する。
【解決手段】第１の基板上１０１に金属膜１０２、絶縁膜１０３及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜１００及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板１１５を接着したのち、前記第１の粘着材１１６を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高感度な半導体受光装置を構成可能な半導体受光素子、それを用いた半導体受光装置および半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子１０は、基板１１上に、光信号を電気信号に変換するフォトダイオード層１２と、半導体抵抗層１３とが、前記順序で積層され、前記フォトダイオード層１２と前記半導体抵抗層１３とが、電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として、非単結晶基板であるグラファイトを基板として使用するとＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、フォトダイオードに使用することが出来なかった。
【解決手段】グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させた後、ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層を形成し、低温成長バッファ層上にｎ型ＧａＮ層を形成し、ｎ型ＧａＮ層上にＩｎ_xＧａ_1-xＮあるいはＡｌ_yＧａ_1-yＮからなる光吸収層を形成し、光吸収層上にｐ型ＧａＮ層を形成し、ｐ型ＧａＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を形成することが可能となり、グラファイト基板上に直接フォトダイオードを作製することで低コストで優れた特性を有するフォトダイオードを実現できる。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧及び光電変換効率を有し、かつ耐久性に優れた有機光電変換素子と、それを構成要素として組み込んだ太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、該陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有することを特徴とする有機光電変換素子。
【化１】
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【課題】受光素子の光感度特性を高精度で、かつ、容易に測定できるようにする。
【解決手段】Ｚ軸ステージ１０４が、光軸方向（Ｚ軸方向）に光学制御部１０１を移動させながら、レーザ発生部１２１により発生されるレーザ光が受光するとき、受光出力測定部２８は、受光素子２０１が発生する出力電圧を測定する。光感度計算部３１は、出力電圧に基づいて光感度を計算する。プロット部２９は、Ｚ軸方向の移動位置と光感度をプロットする。Ｚ位置決定部３３は、光感度が最大で、かつ、平坦な状態の中央位置となるＺ位置を焦点位置として決定する。本発明は、受光素子の光感度測定装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】光電素子および、容易かつ低コストで製造可能な、多数の光電素子を有する装置並びに、光電素子に対する容易な製造方法を提供すること
【解決手段】アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでいる形式のものにおいて、当該半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部を有しており、当該孔部の領域内に接続導体材料が配置されており、当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁されている、ことを特徴とする光電素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換層のキャリア生成効率を上昇させることを目的とする。
【解決手段】光電変換層を複数種類の半導体を積層した構造とすることによって、広い波長範囲に渡って光を吸収することができるので、キャリア生成効率を上昇させることができる。さらに、複数種類の半導体を積層した光電変換層は膜厚比を最適化することによってキャリア生成効率を向上させることができる。具体的には、吸収係数を求め、透過光の強度式に代入し、透過光の積分強度が最小となる膜厚比を決定し、その膜厚比を膜厚となるように上記複数種類の半導体を成膜すればよい。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンフォトダイオードを用いた光センサー装置では、センサ
ー素子の電流能力が小さいため、増幅器ＩＣなどの回路を外部接続し、負荷の駆動能力を
高める必要があった。それによって、光センサー装置のコストおよび実装面積を増加させ
ていた。また、プリント基板上でフォトダイオードと増幅器ＩＣを接続するため、ノイズ
の重畳が問題となっていた。
【解決方法】 本発明は、基板上にアモルファスシリコンフォトダイオードと薄膜トラン
ジスタで構成した増幅器を一体形成し、負荷駆動能力を向上させ、且つ、コストおよび実
装面積を低減する。また、ノイズの重畳を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む狭い波長帯域のみに実用上十分な分光感度特性を有する半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、シリコン基板１を備えている。シリコン基板１は、第１主面１ａ側にｎ⁻型半導体領域３を有し、第２主面１ｂ側にｎ^＋型半導体領域５を有している。ｎ⁻型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ⁻型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面（シリコン基板１の第１主面１ａ）に不規則な凹凸１１が形成されている。ｐ^＋型半導体領域７の表面は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されたｎ⁻型半導体基板１を準備する。ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１０を形成する。不規則な凹凸１０を形成した後に、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ａ側に、ｎ⁻型半導体基板１よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層１１を形成する。アキュムレーション層１１を形成した後に、ｎ⁻型半導体基板１を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とで形成されたｐｎ接合を有するｎ⁻型半導体基板１を備えている。ｎ⁻型半導体基板１には、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。ｎ⁻型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子２００の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板２０１の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒１０４を有する多結晶ウルツ鉱型半導体１０３を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板（第1の基板）１０１の表面にバッファ層１０２と半導体単結晶層１０３とを順次形成する第1の工程と、半導体単結晶層１０１ａとバッファ層１０２ａとＳｉ（１１１）基板の所定の厚さ部分１０２ｂとを含む分離島１５０を形成する第２の工程と、分離島の表面を覆う被覆層２００を形成する第３の工程と、被覆層をマスクに前記Ｓｉ（１１１）基板をＳｉ（１１１）面に沿ってエッチングして剥離する第４の工程と、分離島の剥離面を別の基板（第２の基板）２０１の表面に接合する第５の工程とを備える。 （もっと読む）