【課題】 光半導体装置において、装置内で発生した光を外部に取り出す発光効率は、光素子の集積度が増すほど、電極配線等に遮られて低下する。
【解決手段】 基板１１上に半導体薄膜１２を設け、その上に設けた層間絶縁膜１４の開口部１４ａを介して、半導体薄膜１２の最上層のコンタクト層１２ｄと電気的にコンタクトする透明導電膜１５を層間絶縁膜１４上に設け、この透明導電膜１５とコンタクトする透明導電膜１５を半導体薄膜１２の形成領域外まで延在させ、この領域外で、透明導電膜１５と電気的に接続するメタル層の導通層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 色分離に優れ、感度の高い光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 共通電極膜１４と画素対応の画素電極膜１１とによって挟まれた光電変換膜１３が半導体基板１の上に積層され、画素電極膜１１と半導体基板１に形成された電荷蓄積部２とが柱状電極２５で接続される光電変換膜積層型固体撮像素子において、光電変換膜１３を多孔質シリコン層で構成する。多孔質シリコン層は、気相で形成したナノシリコン膜に比べてナノシリコン同士が比較的近接して並んでおり、キャリアの弾道現象とそれに伴うアバランシェ増幅が起き易く、量子効率の向上を図れる。このため、感度が高く高度の色分離が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 赤外線の吸収感度スペクトルの形状を整形する。
【解決手段】 量子ドット１６と量子ドット１６を載せる濡れ層１５とからなる複数の量子ドット層を設け、複数の量子ドット層と交互に積層されて各量子ドット層を埋め込む複数の中間層１７を設ける。そして、第１の光反射層１９を複数の中間層１７の内の最端の中間層１７の表面に設け、第２の光反射層１８ａを最端の中間層１７の内部に設ける。このようにすると、第１の光反射層１９によって定在波を生じる光、及び、第２の光反射層１８ａによって定在波を生じる光によって２つの定在波が生じる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲッタリング能力が向上したエピタキシャル半導体基板の製造方法を提供する。また、本発明は、動作特性が向上した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル半導体基板を製造する方法の一実施形態で、ゲッタリング層は半導体基板上に成長される。その後、エピタキシャル層が前記ゲッタリング層上に形成されることができて、半導体装置が前記エピタキシャル層上に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ研磨を行うことによって残留するスラリー中に含まれるカリウム元素のシリコン基板側への拡散を抑制し、感度や画質の劣化を抑制することができるＣＭＯＳ型固体撮像素子及びこうしたＣＭＯＳ型固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配列された受光部７と、受光部の垂直列毎に設けられた各受光部から電荷を転送する転送部とを有する撮像部が形成されたＮ型シリコン基板１と、Ｎ型シリコン基板上に形成されたＣＭＰ処理が施され、その表面にカリウム元素が残留する第１の配線間絶縁膜１１を備えるＣＭＯＳ型固体撮像素子１００において、Ｎ型シリコン基板１と第１の配線間絶縁膜１１の間に第１の拡散防止膜３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハにおいて燐を脱離させることなくかつその表面状態を劣化させることなく高い深さ精度で亜鉛を拡散させる。
【解決手段】 燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ（１１）に亜鉛を拡散させる方法において、そのウエハが収納された容器（１０）内に、燐化亜鉛（１２）とともに燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の細粒または粉末（１４）を装填し、容器を真空引きして封止し、その真空封止されたの容器を加熱して燐化亜鉛から熱分解した亜鉛をウエハの表面から所定深さまで拡散させ、その亜鉛拡散処理の間に燐化亜鉛および燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の細粒または粉末から気化した燐蒸気がウエハの表面から燐が脱離することを防止するように作用する。 （もっと読む）

【課題】シリコン光素子の製造方法及びそれにより製造されたシリコン光素子、並びにそれを適用した画像入出力装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を準備する工程と、基板一面の少なくとも一部位に、微小キャビティを持つ微小欠陥屈曲を形成するためのポリシリコンを形成する工程と、ポリシリコンが形成された基板の面を酸化させるシリコン酸化層の形成過程で、ポリシリコンと前記基板をなす物質との酸化率差に起因して、シリコン酸化層と基板との界面に微小キャビティを持つ微小欠陥屈曲を形成する工程と、シリコン酸化層のポリシリコンが形成されていた部位をエッチングして、シリコン酸化層の形成過程で、シリコン酸化層と基板との界面に形成された微小欠陥屈曲を露出させる工程と、露出された微小結合屈曲部分を基板と反対型にドーピングして、ドーピング領域を形成する工程と、を含むことを特徴とするシリコン光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レーザ光によって加工を行う際に、被加工部分以外の部分が悪影響を受けない配線装置を提供する。
【解決手段】基板３０１上に、シリコン酸化膜からなる下部絶縁層３０２と、Ａｌからなる下部配線層３０３と、ポリイミドからなる上部絶縁層３０４と、Ａｌからなる上部配線層３０６とを有する。上記下部配線層３０３と、上部配線層３０６とが、接続配線３０８によって電気的に接続されている。下部絶縁層３０２は基板３０１に比べ熱伝導率が高く上部絶縁層３０４の開口形成時にレーザによる下部配線層３０３に溜った熱を放熱し下部配線層３０３の溶解や剥がれを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型拡散領域の深さを高い精度で制御することができかつ半導体受光表面の荒れを生じることのないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体フォトダイオードの作製方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるフォトダイオードの作製方法において、ｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を堆積し、水素、不活性ガス、および真空のいずれかの雰囲気下においてｐ型不純物原料を脱水熱処理し、それらのｎ型ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と脱水熱処理されたｐ型不純物原料とを真空容器内に封止し、その封止された真空容器を加熱することによってｐ型不純物原料を気化させてｎ型ＩＩＩ−Ｖ族半導体層の表面から所定深さに至るｐ型の部分的拡散領域を形成する工程を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 光検出感度を従来に比して向上可能な光検出素子を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】 内部に光電変換部を有する半導体基板１と、半導体基板１の表面上に設けられた２０ｎｍ未満の厚みを有する第１絶縁体層２と、第１絶縁体層２上に設けられた第２絶縁体層３とを備えた光検出素子の製造方法において、第1及び第２絶縁体層を形成す光検出素子の製造時に紫外線を照射すると、照射後の感度が照射前の感度に対して増加する。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ系受光素子にｐ領域を形成するために亜鉛をドーピングしなければならない。小型のＩｎＰウエハの場合は閉管法による気相拡散によって亜鉛ドープされる。大型のＩｎＰウエハが実用化される趨勢にある。大型ウエハの場合は閉管法を実施するのが難しい。ＺｎＯ薄膜をエピウエハに付けて加熱しＺｎＯ薄膜から亜鉛をＩｎＰエピタキシャル層へ拡散する固相拡散法が望まれる。亜鉛の拡散後ＺｎＯ薄膜をフッ酸で除去する。するとマスクのＳｉＮも除去されｐｎ接合端部が露出しｐｎ接合が劣化し欠陥、転位が発生し、漏れ電流、暗電流が増える。
【解決手段】 拡散マスクとしてａ−Ｓｉを上層とするマスクを用いる。ａ−Ｓｉはフッ酸では溶けないから、ＺｎＯをフッ酸で除去するときａ−Ｓｉは溶けずにそのまま維持される。ａ−Ｓｉ膜が残留するからｐｎ接合端は露呈しない。常に拡散マスクが保護膜としてｐｎ接合端を覆うのでｐｎ接合が劣化しない。 （もっと読む）

本発明は、第１の基板上に金属膜、絶縁膜及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板を接着したのち、前記第１の粘着材を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成することを特徴とする。
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光検出器が、基板上面に形成された入口面と反射面とを備えた半導体基板を含む。反射面は基板表面と鋭角を成しており、そして入口面を通って基板内に透過される光ビームが、反射面から半導体上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。基板上面上には光検出器活性領域が形成され、そして光検出器活性領域は、反射された光ビームが活性領域上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第2基板上に載置することにより、第2基板上に形成されたプレーナー型導波路、又は第2基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを受容することができる。
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【課題】 各種の後続する工程によるフォトダイオードの表面のダメージを減らして、フォトダイオードの表面特性を向上させるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板にフォトダイオード領域を形成する段階と、格子構造を変化させるためのイオンを前記フォトダイオード領域に注入する段階と、前記イオン注入による格子構造の変化を復旧するのに十分な条件で、前記フォトダイオード領域に酸化膜を形成する段階とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 より高い感度を有するシリコンｐｎ接合ダイオード型の赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明の赤外線個体撮像装置は、ダイアフラム２２８を有するシリコン基板２０１上部に形成され、入射赤外線を吸収し熱に変換するための赤外線吸収部２３５、ダイアフラム２２８上部に形成され、赤外線吸収部２３５で発生した熱による温度変化を電気信号に変換するｐｎ接合ダイオードから構成される熱電変換部を有しており、赤外線吸収部２３５と熱電変換部の間に存在し、かつ前記熱電変換部への可視光の入射を遮断する、厚さが０．５〜０．６μｍである可視光遮断層２２５が形成されている。 （もっと読む）

第１導電型の半導体からなる半導体基板３を備え、当該半導体基板３における被検出光Ｌの入射面の反対面側に複数のホトダイオードが形成された裏面入射型ホトダイオードアレイ１であって、半導体基板３の反対面側には、複数の凹部４がアレイ状に配列して形成されており、複数の凹部４の底部４ａに第２導電型の半導体からなる第２導電型の半導体層５が形成されることにより、ホトダイオードがアレイ状に配列している。
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【課題】 各画素の微細化にも対応可能で、光検出感度の高い光検出装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板２０の一方の面２０ａ上に２次元アレイ状に配列されて形成された複数の凸部２に、入射光強度に応じた量の電荷を発生する光検出部４が形成される。また、２次元アレイの一方の配列方向に沿って、凸部２間に形成された凹状領域３ａに、読み出し部である配線６及びスイッチ７が形成される。配線６によって光検出部４から発生した電荷が読み出され、スイッチ７によって光検出部４と配線６とが電気的に接続される。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
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【課題】 所期の受光部の光電流の電流値を確実に測定可能な半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 半導体ウェハには、複数の受光部が含まれ、光電流阻止手段が備えられ、光電流阻止手段によって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する。 （もっと読む）

特に、埋め込まれた領域（２０）と、埋め込まれた領域（２０）に通じる端子領域（３２）とを含む集積されたピンフォトダイオードを製造する方法に関する説明が与えられる。本発明による製造方法は、１つの伝導型のドーピングされた領域（２０）を生成するステップと、基板から遠いドーピングされた領域（４２）を生成するステップと、中間領域（３０）を生成するステップと、少なくとも１つの導電性端子領域（３２）を生成するステップとを含む。本製造方法は、ピンフォトダイオード（１４）が単純な方法で集積されることを可能にする。さらに、ピンダイオードを製造するプロセスステップはまた、遮蔽ウェル（２２、５６）を製造するためにも利用され得る可能性がある。
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