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Fターム[5F049SE04]の内容

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Fターム[5F049SE04]に分類される特許

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【課題】電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子を備える固体撮像素子において、中間準位からの電荷(電子,正孔)の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。
【解決手段】
電極204と光電変換層200との間に、複数層(202a,202b)からなる電荷ブロッキング層202が設けられる。各層202a,202bを有機材料とすることで、電荷ブロッキング層202の均質性を向上させることができ、ブロッキング性能を向上させることができる。また、各層202a,202bを異なる材料で構成することで、各層の中間準位を介した電荷の移動が起こりにくくなり、電荷ブロッキング性能が向上する。 (もっと読む)


【課題】短絡電流密度と曲線因子の両立が可能な、光電変換効率の高い有機光電変換素子、この有機光電変換素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供することにある。
【解決手段】透明電極、対電極、及びp型半導体材料とn型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のn型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、1:99〜99:1の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体を含有する有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】対極と透明電極の間に、少なくとも下記一般式(1)で表される化合物を含有する有機層を有することを特徴とする有機光電変換素子。(式中、FLNはフラーレンを表す。Aは芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Rは水素原子または置換基を表す。)
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【課題】電極成膜時における素子特性劣化の少ない光電変換素子を備える固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極11と、第一電極11に対向する第二電極13と、第一電極11と第二電極13との間に形成された光電変換層12とを含む光電変換部を有する光電変換素子100であって、第二電極13と光電変換層12との間に、光電変換層12の表面の凹凸を緩和する平滑層104を設けた。平滑層104は、有機のアモルファス材料からなる透明な層であり、かつ、その表面の平均面粗さRaが1nm以下であり、かつ、その厚みが30〜300nmである。また、第二電極が光入射側の電極であり、第一電極11が正孔取り出し用の電極であり、第二電極13が電子取り出し用の電極である。 (もっと読む)


【課題】暗電流の発生を抑制しつつ、光電変換効率を向上させることができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、光電変換層の少なくとも一部がp型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該p型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が2:1より小さい。 (もっと読む)


【課題】感度低下及び分光感度のブロード化を防ぐことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極膜11と、第一電極膜11に対向する第二電極膜13と、第一電極膜11と第二電極膜13の間に配置される光電変換膜を含む光電変換層12とからなる光電変換部を有する光電変換素子であって、第二電極膜13上方から該光電変換膜に光が入射されるものであり、該光電変換膜は、第二電極膜13上方からの入射光に応じて電子と正孔を発生し、且つ、正孔の移動度よりも電子の移動度が小さい特性を持ち、且つ、第一電極膜11近傍よりも第二電極膜13近傍の方が電子と正孔をより多く発生するものであり、第一電極膜11を正孔の取り出し用の電極とした。 (もっと読む)


【課題】暗電流の増大、歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善した光電変換素子を提供する。
【解決手段】
基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、光電変換膜の膜厚が150nm以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が5nm以上10nm以下とした。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子として機能し、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式(Y1)で表される化合物を含有する、光電変換素子。一般式(Y1)


(式中、R〜R、R’〜R’、及びR’’〜R’’は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。) (もっと読む)


【課題】波長600nm以上の赤色領域の吸光度を制御することができる光電変換素子、及び該光電変換素子を用いて色再現性が向上した撮像素子を提供すること。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に配置された光電変換層とを含む光電変換素子であって、前記光電変換層がp型半導体化合物と二種類以上の異なる無置換フラーレンを含む光電変換素子。該光電変換素子を含む撮像素子。 (もっと読む)


【課題】特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】透明導電性膜と導電性膜との間に挟持された、光電変換層及び電子ブロッキング層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記電子ブロッキング層が環構造を3つ以上含む置換アミノ基を置換基に有する化合物を含む事を特徴とする光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】暗電流の増加を低減し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子における電子ブロッキング層の形成に適した化合物の提供。
【解決手段】例えば下記化合物。
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【課題】白傷欠陥の発生を確実に抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方に二次元状に配列された複数の下部電極と、複数の下部電極の上方に、各下部電極と対向して配置された上部電極と、複数の下部電極と上部電極との間に配置された有機光電変換層と、上部電極の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜と、を備え、下部電極の端部側面と、該下部電極を支持する下方の層の表面とのなす角度が45度以上であり、且つ、封止膜が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力が−200MPa〜250MPaである。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜60℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とp型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが5.2eV以上5.6eV以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子で、光照射による感度劣化を抑制する。
【解決手段】基板101上に第1電極層104と有機材料を含む光電変換層15と第2電極層108とが積層されてなる光電変換素子100であって、光電変換層15がP型有機半導体とN型有機半導体のバルクへテロ構造体を備え、該P型有機半導体のイオン化ポテンシャルと前記バルクへテロ構造体の見かけのイオン化ポテンシャルとの差が0.50eV以下とする。これにより、光照射による感度劣化を抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子に適した光電変換素子材料として有用な新規化合物の中間体を提供する。
【解決手段】下記一般式(V)で表される化合物。


(式中、R、R、R、R、R、Rは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表す。RとR、RとR、RとR、RとRは、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
好ましくは、R21及びR22の少なくとも一方が、置換又は無置換のアリール基であって、単結合又は置換基を介してR又はRと連結して環を形成する基。R21及びR22の一方が前記環を形成する基の場合、他方は置換又は無置換のアリール基又はヘテロアリール基である。 (もっと読む)



【課題】高い吸収係数を有する有機材料を用いた光電変換素子を提供する。
【解決手段】離間して設けられた第1電極21及び第2電極22、及び、第1電極21と第2電極22との間に設けられた光電変換材料層30を備えた光電変換素子において、光電変換材料層は、以下の構造式(1)から成る。
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【課題】暗電流を低減することが可能な有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】画素電極6、画素電極6に対向する対向電極10、及び画素電極6と対向電極10の間に設けられた有機材料を含む光電変換層9を有する有機光電変換素子Pであって、光電変換層9の電子スピン数が1.0×1015/cm以下となっていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い感度を有し、撮像画像に滲みが発生するのを抑制することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子Pと、複数の光電変換素子Pの各々で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部3とを有する撮像素子であって、光電変換素子Pが、前記電荷を捕集する画素電極6と、画素電極6と対向する対向電極10と、画素電極6及び対向電極10の間に設けられ、入射光に応じて前記電荷を発生する光電変換層9と、画素電極6と光電変換層9との間に設けられた電子ブロッキング層7とを含み、画素電極6同士の間隔が250nm以下であり、電子ブロッキング層7の各々の画素電極6側の面から対向電極10側の面までの表面電位の変化量が−1eV以上、3eV以下となっている撮像素子。 (もっと読む)


【課題】SNを向上させることが可能な有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電極2と電極2上方に形成された電極5と、電極2及び電極5間に形成された有機材料を含む光電変換層4と、電極2、電極5、及び光電変換層4を封止する封止層6とを含む有機光電変換素子10の製造方法であって、光電変換層4は、フラーレン又はフラーレン誘導体とp型有機半導体との混合層で構成されており、基板1上方に電極2を形成する第一の工程と、電極2の上方に光電変換層4を形成する第二の工程と、光電変換層4の上方に電極5を形成する第三の工程と、電極5の上方に封止層6を形成する第四の工程とを備え、第二の工程と第四の工程との間の各工程間に、作成途中の有機光電変換素子の構造に何も追加しない期間を30分以上設ける第五の工程を備える。 (もっと読む)


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