【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなる非多孔質の酸化物層、前記非多孔質の酸化物層と同じ材料からなる多孔質酸化物層、金属層を積層してなり、前記金属層が前記多孔質酸化物層に対してショットキー接合を形成している紫外線センサーであって、前記非多孔質の酸化物層の膜厚が２０〜７００ｎｍ、前記多孔質酸化物層の膜厚が２〜２０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなるｎ型半導体層と、酸化ニッケルからなるｐ型半導体層を積層してなり、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層がｐｎ接合を形成している紫外線センサー素子であって、前記ｎ型半導体層の膜厚が０．５〜１５μｍ、前記ｐ型半導体層の膜厚が１〜３０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】優れた耐久性を有する有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換層に下記一般式（１）で表される化合物を含有する。


（式中、Ｑは活性メチレン基残基を表し、Ｚは炭素原子と共に５員環、又は６員環を形成するために必要な非金属原子団を表す。） （もっと読む）

【課題】窒化物膜の酸化の進行を抑制し信頼性が高く、優れた光学特性を有する誘電体多層膜を備える半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子(100)は、発光又は受光素子構造を含む半導体の積層体(20)と、該積層体(20)の外面を被覆する誘電体多層膜(40)と、を備え、前記誘電体多層膜(40)は、窒化物の第１膜(41)と、該第１膜(41)に接して設けられた酸化ホウ素の第２膜(42)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、色分解特性を向上させることができる光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】入射光を複数の波長範囲に分けて光電変換する光電変換素子であって、
前記入射光が入射され、第１の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ１を有する第１の光電変換層１０と、
該第１の光電変換層の背面側に設けられ、前記第１の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ１ｃを有する第１のカラーフィルタ１５と、
該第１のカラーフィルタの背面側に設けられ、第２の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ２を有する第２の光電変換層２０と、
該第２の光電変換層の背面側に設けられ、前記第２の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ２ｃを有する第２のカラーフィルタ２５と、
該第２のカラーフィルタの背面側に設けられ、第３の波長範囲に光吸収の最大値を有する第３の光電変換層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１ａは、柔軟性を有し、可視光に対して透明な透明基板１２と、透明基板上に設けられる透明電極１４と、透明電極の透明基板と接している面の反対側の一部に設けられる有機半導体層１６と、有機半導体層の透明電極と接している面の反対側の表面の上方に設けられる反射層７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧、および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有する。


（式中、Ｘは酸素原子もしくは硫黄原子もしくはセレン原子を表し、ＹはＣ−Ｒ_２または窒素原子を表す。Ｒ_１、Ｒ_２は水素原子もしくは置換基を表す。Ｚ_１、Ｚ_２は炭素原子もしくは窒素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】素子性能の劣化とコストの増大を防ぐことが可能な有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電極２と電極２上方に形成された電極５と、電極２及び電極５間に形成された有機材料を含む光電変換層４と、電極２、電極５、及び光電変換層４を封止する封止層６とを含む有機光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換層４は、フラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体との混合層で構成されており、基板１上方に電極２を形成する第一の工程と、電極２の上方に光電変換層４を形成する第二の工程と、光電変換層４の上方に電極５を形成する第三の工程と、電極５の上方に封止層６を形成する第四の工程とを備え、第二の工程〜第四の工程の各工程を真空下で行い、第二の工程と第四の工程との間の各工程間に、作製途中の有機光電変換素子を非真空下に置く第五の工程を備える。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサにおけるノイズの発生を抑える。
【解決手段】裏面照射型イメージセンサは、基板と、上記基板の裏面上に配置された裏面保護層と、上記裏面保護層上に配置された透明導電層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード、その製造方法及びそれを含むフォトセンサを提供する。
【解決手段】基板上に形成された真性領域と、真性領域の一部に形成されたＰ^＋ドーピング領域と、真性領域の他の一部上に、Ｐ^＋ドーピング領域と離隔するように形成された酸化物半導体領域と、を含むフォトダイオード、その製造方法及びそれを含むフォトセンサである。前記フォトダイオードは、前記真性領域及び前記Ｐ^＋ドーピング領域が同一平面上に位置し、前記酸化物半導体領域が前記真性領域の平面上に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素電極の段差に起因するクラックが抑えられ、ノイズが少ない光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】基板の上方に設けられた一対の電極と、一対の電極間に配された複数の有機層と、を備え、複数の有機層が光電変換層を含み、一対の電極のうち一方の電極の上に有機層が形成され、一方の電極が、２次元に複数配列された画素電極の一つである光電変換素子の製造方法であって、基板の上に絶縁層を形成し、絶縁層上に複数の画素電極をパターン形成し、複数の画素電極を覆うように有機層を蒸着し、有機層上に他の層を形成する前に、加熱することによって該有機層における画素電極間の段差の上方に対応する位置に形成された凹部の形状がなだらかになるようにアニールする。 （もっと読む）

【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極に挟持された光電変換層を有する光電変換素子であって、該光電変換層が少なくとも１つの有機材料を含み、
該一対の電極の一方の電極と、該光電変換層との間に少なくとも１層の電子ブロッキング層を備え、該電子ブロッキング層の少なくとも１層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を含む混合層である光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示し、かつ蒸着時に分解が起こらない化合物を提供すること。
【解決手段】紫外可視吸収スペクトルにおいて４００ｎｍ以上７２０ｎｍ未満に吸収極大を有し、その吸収極大波長のモル吸光係数が１００００ｍｏｌ^-1・ｌ・ｃｍ^-1以上で、融点と蒸着温度の差（融点−蒸着温度）の差が３１℃以上である特定構造の化合物。 （もっと読む）

【課題】撮像画像品質を向上させることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板６上方に二次元状に配列された複数の画素電極２１と、画素電極２１の上層に形成された抵抗が１００ｋΩ／□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極２３と、画素電極２１と対向電極２３との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層２２と、対向電極２３に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線４と対向電極２３との電気的接続を行う接続部３とを備え、平面視において画素電極２１が配列された略矩形の領域を画素領域２とし、画素領域２のサイズは５インチ以下であり、接続部３は、画素領域２より外側の周辺領域のうち、画素領域２の４辺のうちの少なくとも１辺の近傍で当該１辺に沿った領域、又は、画素領域２の４つの角のうちの少なくとも２つの角の近傍領域に形成され、対向電極２３は接続部３上にまで伸びて形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】センサアレイ基板、これを含む表示装置およびこれの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるセンサアレイ基板は、基板と、前記基板上のゲート配線およびデータ配線が交差して定義される複数の画素領域および前記複数の画素領域上に形成される複数の第１センサ部および複数の第２センサ部を含み、前記複数の第１センサ部は赤外線波長帯の光を感知し、前記複数の第２センサ部は可視光線波長帯の光を感知し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第１センサ部は第１ユニットを形成し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第２センサ部は第２ユニットを形成し、前記第１ユニットと前記第２ユニットが前記データ配線方向およびゲート配線方向に交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０１と、その表面に埋設された多孔質シリコン層１０２と、多孔質シリコン層に接続するように設けられた透明電極１０３と、単結晶シリコン基板の裏面に設けられたオーミック性電極１０４とを有し、多孔質シリコン層を発光層あるいは受光層とする半導体光素子の製造方法であって、超音波振動を印加しながら、単結晶シリコン基板表面を陽極酸化し、発光層あるいは受光層となる前記多孔質シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】情報保持期間が長く、任意の基板上に容易に作製できるＴＦＴを、光メモリ素子として動作させるための駆動方法と、該駆動方法で駆動される光電子装置を提供する。
【解決手段】チャネル層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極・ドレイン電極と、を有する光電子素子の駆動方法であって、チャネル層に外部から所定の波長を有する光を照射する第１の工程と、ゲート電極とソース電極との間に所定の符号の電圧を印加する第２の工程と、を含み、第１の工程と、第２の工程とにより光電子素子の電流−電圧特性が変化し、その変化の符号が互いに逆になるように駆動することを特徴とする光電子素子の駆動方法。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２と対向する上部電極４と、下部電極２と上部電極４との間に形成された光電変換層３とを有し、下部電極２と上部電極４との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子１００であって、上部電極４を光入射側の電極とし、上部電極４が透明電極であり、下部電極２が光の反射機能を有する金属電極である。 （もっと読む）