【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子の光電変換効率を動作初期から長期間高く維持できるようにする。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間に、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とを混合して含む有機光電変換層１２を備える。好適には、有機光電変換層１２は、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とをバルクヘテロ構造で備える。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を示し、かつ、暗電流値が低く、素子を加熱処理した場合にも、外部量子効率の低下を抑え、暗電流の増加幅を小さくすることが可能な、耐熱性に優れた光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】導電性薄膜、有機光電変換膜、ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子。有機光電変換膜が、ガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以上のｐ型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するｐ型有機光電変換材料を含有し、ブロッキング層が、Ｔｇが１４０℃以上であるブロッキング材料を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラーレンを含む光電変換層を備える光電変換素子の耐光性向上を図る。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間にフラーレンを含む光電変換層１２を備え該光電変換層１２内に前記フラーレンの励起状態を失活させる消光剤を含有させる。励起状態となったフラーレンを消光剤が失活させることで、フラーレンの重合が過度に進むのを阻止し、耐光性を高める。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを含むナノワイヤフォトダイオードと少なくとも一つの垂直フォトゲートに動作可能に接続するナノワイヤフォトダイオードからなるデバイスに関する。

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【課題】光電変換効率及び高速応答性に優れた光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、光電変換膜が、フラーレン又はフラーレン誘導体と、吸収スペクトルが下記（Ａ）及び（Ｂ）の少なくともいずれかの条件を満たす光電変換材料とを含む。（Ａ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつλ_Ｍ２＜λ_Ｌ２（Ｂ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつΔ｜λ_Ｍ１−λ_Ｌ１｜＞Δ｜λ_Ｍ２−λ_Ｌ２｜（Ａ）及び（Ｂ）において、λ_Ｌ１、λ_Ｌ２、λ_Ｍ１、及びλ_Ｍ２は、波長４００〜８００ｎｍの範囲における最大吸収強度の１／２の吸収強度を示す波長であって、λ_Ｌ１及びλ_Ｌ２は、前記光電変換材料をクロロホルムに溶解させたときのクロロホルム溶液スペクトルにおける波長を表し、λ_Ｍ１及びλ_Ｍ２は、前記光電変換材料単独の薄膜吸収スペクトルにおける波長を表す。ただし、λ_Ｌ１＜λ_Ｌ２、λ_Ｍ１＜λ_Ｍ２。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】接地されているグラウンド電極２３０Ｇを、撮像面において、読出し回路２０（リセットトランジスタ２２など）と画素電極２１１Ｇとの間に介在させる。これにより、各読出し回路部２０２Ｒ，２０２Ｇ，２０２Ｂを構成するＴＦＴのチャネル形成領域に、ゲート電圧以外の不要な電圧が印加された状態になることを防止する。 （もっと読む）

【課題】低バンドギャップポリマーによる高い光電変換効率のため、高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体含有の有機光電変換素子等を提供する。
【解決手段】対極と透明電極間に、下記一般式（１）の化合物含有の有機層を設ける。
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【課題】本発明の目的は、高い光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを有する太陽電池及び光センサアレイを提供することにある。
【解決手段】陰極と陽極の間に、一般式（１）で表されるフラーレン誘導体とｐ型半導体材料とを含有する層を有することを特徴とする有機光電変換素子。
【化１】


（式中、点線部分は架橋構造を形成する原子団を表す。Ｒは置換基を表す） （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率及び耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。


（式中、Ａ_１及びＡ_２は各々独立して、置換又は無置換の５〜６員のアリール又はヘテロアリール基から選ばれる基を表す。） （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物及びフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｚ_１は５又は６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３はそれぞれ無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。Ｄ_１は特定の縮環構造を表す。ｎは０以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】特定の波長に対して感度を持たせた素子を材料の選定を行うことなく容易に作製可能な受光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】Ｐ型半導体１４、Ｎ型半導体１３、各電極１２、１５の何れかを構成する材料を、逆バイアス電圧を印加するとともに、堆積させる材料の吸収波長よりも長波長である希望波長の光を照射しつつ堆積させる堆積工程を有し、この堆積工程は、照射光により近接場光を発生可能な局所形状５４が堆積させている材料表面に形成されている箇所では、近接場光による非断熱過程を通じて希望波長の照射光を光吸収して電子を生成するとともに、その電子により当該局所形状５４に逆バイアス電圧に基づく局所電場を打ち消す非断熱フローと、局所形状５４が未形成の箇所では、逆バイアス電圧に基づく局所電場が生じた箇所に粒子５１を順次吸着させ、その結果、局所形状５４が形成された場合には非断熱フローへ移行する粒子吸着フローとを有する。 （もっと読む）

エピタキシャルリフトオフを用いる、フレキシブル光電（ＰＶ）デバイス等の感光性デバイスの製造方法が開示される。同様に、成長用基板を有する構造を含むフレキシブルＰＶデバイスを製造する方法が開示され、この方法では、保護層の選択的エッチングにより、再利用に好適な平滑な成長用基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板に光センサ、光電変換素子、太陽電池素子を有する半導体装置を作成する。
【解決手段】第１の基板上１０１に金属膜１０２、絶縁膜１０３及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜１００及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板１１５を接着したのち、前記第１の粘着材１１６を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として、非単結晶基板であるグラファイトを基板として使用するとＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、フォトダイオードに使用することが出来なかった。
【解決手段】グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させた後、ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層を形成し、低温成長バッファ層上にｎ型ＧａＮ層を形成し、ｎ型ＧａＮ層上にＩｎ_xＧａ_1-xＮあるいはＡｌ_yＧａ_1-yＮからなる光吸収層を形成し、光吸収層上にｐ型ＧａＮ層を形成し、ｐ型ＧａＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を形成することが可能となり、グラファイト基板上に直接フォトダイオードを作製することで低コストで優れた特性を有するフォトダイオードを実現できる。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比を向上させることができる固体撮像装置内視鏡を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、複数の画素部を有し、画素部が、画素電極１０４と、画素電極の上方に設けられ、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を含む有機層１０７と、有機層の上方に複数の画素部で共有に設けられた対向電極１０８と、対向電極を覆う封止層１１０と、封止層の上方に設けられたカラーフィルタＣＦと、画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路１１６と、カラーフィルタを透過する光を、該カラーフィルタが配置された画素部に対応する光電変換層へ導く集光手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧及び光電変換効率を有し、かつ耐久性に優れた有機光電変換素子と、それを構成要素として組み込んだ太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、該陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有することを特徴とする有機光電変換素子。
【化１】
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【課題】画素電極と有機層との密着性を向上させ、暗電流の増加を抑えることができる光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、基板上に、下部電極と、光電変換層を含む有機層と、透明電極材料を含む上部電極とをこの順に積層させ、下部電極が窒化チタンを含有する。 （もっと読む）

本発明は、有機フォトダイオード中の光活性層のための新規な材料、当該材料の使用及び有機フォトダイオードに関する。本発明は、有機光活性色素、即ち、電子供与体成分としての、そして従って、“バルクへテロ接合”のための高分子正孔伝導体に対する代替物としての、供与体置換された芳香族置換基を有するスクアライン、当該有機フォトダイオード中の有機活性層（４）のための材料、を開示している。 （もっと読む）

【課題】
簡易な設備で作製可能で、高効率な有機光電変換素子、及び、これを含むイメージセンサを提供することを課題とする。
【解決手段】
陰極、陽極、及び前記陰極及び前記陽極の間に形成される有機半導体層を含む有機光電変換素子であって、前記有機半導体層は、電子供与性の有機材料と電子受容性の有機材料との混合比が段階的に設定される４層以上の混合層を有する。 （もっと読む）

所望の結晶秩序を有する有機膜を有した有機電子デバイス及びそのようなデバイスを作製する方法を示す。そのような有機膜を組み込んだ有機感光デバイスは、第１の電極層及び第１の電極層上に配置された少なくとも１つの構造テンプレーティング層を含む。光活性領域は、少なくとも１つの構造テンプレーティング層の上に配置されており、ドナー材料及びアクセプタ材料を含み、ドナー材料又はアクセプタ材料は、少なくとも１つの構造テンプレーティング層によりテンプレートされ、それにより、秩序分子配置を有しており、さらに、テンプレートされた材料の分子の少なくとも大多数は、第１の電極層に対して非優先配向状態にある。
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