【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性の劣化を回避する裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１１は、光電変換部２３が内部に形成された半導体基板の上方に層間絶縁膜２２を介して積層された光電変換層２３を備え、その光電変換層２３は、絶縁膜５１により側面が絶縁された下部電極５２ｂと、下部電極に積層された光電変換膜５３と、下部電極５２ｂとの間で光電変換膜５３を挟み込む上部電極５４とを有して構成される。そして、下部電極５２ｂの上面が絶縁膜５１の上面よりも低く形成された凹構造を有している。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】ノイズ光の影響を軽減することが可能な光電変換素子および光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードは、基板上に、第１導電型（例えばｐ型）半導体層、ｉ型半導体層および第２導電型（例えばｎ型）半導体層をこの順に備え、基板と第１導電型半導体層との間に遮光層を有している。第２導電型半導体層側から入射する光に基づいて信号電荷が取り出される（光電変換がなされる）。基板と第１導電型半導体層との間に遮光層が設けられていることにより、第２導電型半導体層側から入射した光のうち、吸収されずに第１導電型半導体層を透過して基板側へ出射した光が遮断されると共に、基板側から第１導電型半導体層へ向かう光が遮断される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示すと共に、高速で連続して製造した際にも製造ロッド間での応答速度のばらつきが小さい光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性膜、光電変換材料を含む光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、光電変換膜が固体からなる膜であり、該光電変換材料が、一般式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
（もっと読む）

【課題】十分な光電変換効率を達成するための手段を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の共役系高分子は、下記化学式１で表される部分構造を少なくとも１種含む。


式中、Ａｒは、置換されたもしくは非置換の、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、フラン、ピロール、セレノフェン、ピリジン、ピリダジン、キノキサリン、チエノピラジン、チエノベンゼン、チエノピリジン、ジベンゾチオフェン、チエノチオフェン、ベンゾチアジアゾール、ベンゾオシサジアゾール、またはベンゾトリアゾールを表し、
ｍは、１または２を表し、
Ｑは、３つのカルボニル基、または２つのカルボニル基および１つのスルホニル基が隣接した窒素原子を含む特定の構造である。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性に優れる有機光電変換素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に形成された、少なくとも一方が透明な一対の電極と、電子受容体６及び電子供与体５を含んで形成された活性層９と、一方の該電極と活性層９との間に、下記式（Ｉ）または（II）で表わされるベンゾポルフィリン化合物を含んで形成されたベンゾポルフィリン化合物層とを備える。
（もっと読む）

【課題】高昇華温度で、耐熱性が高い有機材料を高純度、高収率、短時間で昇華精製することができる、有機材料の精製方法を提供すること。
【解決手段】真空度１×１０^−２Ｐａ以下での熱重量測定における１０％重量減少温度が２５０℃以上の有機材料の精製方法であって、有機材料中の無機不純物の濃度を５０００ｐｐｍ以下とした後に、該有機材料を昇華精製する。 （もっと読む）

【課題】偏光に対する感応性が高い偏光有機光電変換素子およびその製造方法ならびに偏光に対する感応性が高く、しかも２軸方位の偏光を受光して光電変換することができる偏光光学素子を提供する。
【解決手段】偏光有機光電変換素子は、第１の電極１１と第２の電極１２との間に、その面内で少なくともその一部が予め所定の方向に一軸配向された有機光電変換層１３が挟まれた構造を有する。第１の電極１１と第２の電極１２との間に所定のバイアス電圧を印加した状態で偏光有機光電変換素子に光を入射させ、有機光電変換層１３の配向軸に平行な方向の偏光を光電変換する。二つの偏光有機光電変換素子を上下に配置して偏光光学素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】回路層に対するＩａ族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層２０は、基板１０の面上に形成されてトランジスター１２を含む。光電変換素子１４は、第１電極４１および第２電極４２との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層４３を含む。供給層３４は、回路層２０と光電変換層４３との間に形成されてＩａ族元素を含む。光電変換層４３に対するＩａ族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層３２は、供給層３４と回路層２０との間に形成されて回路層２０に対するＩａ族元素の拡散を防止する。 （もっと読む）

【課題】接点注入電流を減らすことによって垂直方向漏洩電流を減らす高フィルファクタ画像アレイを提供することである。
【解決手段】センサが、真性アモルファス・シリコン層と、この真性アモルファス・シリコン層の第１面に結合したｐドープ・シリコン層と、このｐドープ・シリコン層に結合した透明な第１電極と、真性アモルファス層の第２面に結合した少なくとも１つの非金属のバック接点とを包含し、このバック接点が、真性アモルファス・シリコン層の１つの領域から電荷を集め、集めた電荷を検出電子装置に与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】優れたホール輸送性を有する重合体を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される構造単位及び式（２）で表される構造単位を有する重合体。
（もっと読む）

【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａの光電変換層１２ａを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 （もっと読む）

【課題】ガードリングを比較的小さくする。
【解決手段】フォトダイオードは、アバランシェダイオードを構成する中央部１０と、該中央部を隣接する中央部から隔離するガードリング部１２と、を含む。そして、中央部１０または前記ガードリング部１２に外部から所定の元素を導入して拡散する。例えば、中央部１０に炭素を導入する。これによって、中央部１０とガードリング部１２とのイオン化率の差がより大きくなるようにイオン化率を変化させる。 （もっと読む）

【課題】赤外光カットフィルタを用いることなく、実用上問題ない色差を実現することが可能なカラー撮像用の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素電極３と、画素電極３に対向する対向電極５と、画素電極３と対向電極５との間に設けられる光電変換層を含む受光層４とを有する受光部Ｐが半導体基板１上方に複数配列された固体撮像素子１００であって、受光部Ｐの分光感度特性は、（１）波長６００ｎｍにおける分光感度が７０％以上、（２）波長６００ｎｍ以上の範囲で分光感度が単調減少、（３）波長７００ｎｍにおける分光感度が波長６００ｎｍにおける分光感度の３０％以下、（４）波長７５０ｎｍにおける分光感度が１０％以下の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】紫外光を可視光から分離して検出する紫外光センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極層と、第１の電極層上に形成され、ポリシランを含むＰ型半導体材料と、Ｎ型半導体材料とを含み、紫外光のみを吸収する光電変換層と、光電変換層上に形成された第２の電極層とを有する。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】特定の波長に対して感度を持たせた素子を材料の選定を行うことなく容易に作製可能な受光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】順方向バイアス電圧を印加することによりｐ層１４とｎ層１３の接合部３５に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより表面形状及び／又はドーパント分布を固定させる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流（暗電流）が低減された光電変換部を有する光電変換装置、これを適用した電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の光電変換装置は、基板上に形成された回路部と、回路部に電気的に接続された第１電極２１と、第１電極２１に対向配置された透光性を有する第２電極２２と、第１電極２１と第２電極２２との間に挟持された光電変換部２６とを備え、光電変換部２６は、カルコパイライト型のｐ型化合物半導体膜からなる光吸収層２３と、非晶質の酸化物半導体層２４と、ｎ型半導体膜からなる窓層２５とが順に積層されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）