【課題】大面積化を図りつつ、時間分解能をより一層向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１０は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、各アバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して直列に接続されるクエンチング抵抗Ｒ１と、クエンチング抵抗Ｒ１が並列に接続される信号線ＴＬと、を含むフォトダイオードアレイＰＤＡを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。搭載基板２０は、チャンネル毎に対応した複数の電極Ｅ９が主面２０ａ側に配置されると共に、各チャンネルからの出力信号を処理する信号処理部ＳＰが主面２０ｂ側に配置されている。半導体基板１Ｎには、チャンネル毎に、信号線ＴＬと電気的に接続された貫通電極ＴＥが形成されている。貫通電極ＴＥと電極Ｅ９とがバンプ電極ＢＥを介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】紫外線受光素子は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層と、前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上に形成され、前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層のＭｇ組成ｘよりも低いＭｇ組成ｙを有し、一部が前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上から除去されている第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層と、前記第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層の一部が除去された部分から露出している前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上に形成されたオーミック電極と、前記第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層上に形成されたショットキー電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａの光電変換層１２ａを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積センサアレイを集積回路に接続しセンサ積層体を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１の面１６と第２の面１８とを有しセンサアレイ１４の第２の面上に配置された第１の複数の接触パッド２０を含むセンサアレイを設け、第１の面と第２の面とを有し再配線層２４の第１の面上に配置された第２の複数の接触パッド３２を含む再配線層２４と集積回路２６の第１の面が再配線層の第２の面に作用的に結合されていて複数の貫通ビア３０が貫設されている集積回路２６とを含む相互接続層上にセンサアレイ１４を配置し、センサアレイ１４の第２の面上の第１の複数の接触パッドが再配線層の第１の面上の第２の複数の接触パッドと位置合わせされるようにセンサアレイ１４を相互接続層上に配置し、センサアレイ１４の第２の面上の第１の複数の接触パッドを再配線層２４の第１の面上の第２の複数の接触パッドに作用的に結合してセンサ積層体を形成する。 （もっと読む）

【課題】特定の吸収波長に強く応答することができる紫外線センサを実現する。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏを主成分とするｐ型半導体層１とＺｎＯを主成分としたｎ型半導体層２とを接合させる前に、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を酸性及びアルカリ性のいずれかに調整した表面処理溶液に接触させ、前記焼結体の表層面のＺｎを溶出させてｐ型半導体層１を作製する。表面処理は外部電極５ａ、５ｂ形成後のめっき処理と同時に行うのが好ましく、表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるようなｐＨに調整された表面処理溶液を選択し、表面処理を行うか、又は表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるような所定時間、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を表面処理溶液に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】小型化することのできる２波長対応の光検出素子を提供する。
【解決手段】基板上に積層形成された第１の電極層、第１の光吸収層、第２の電極層、第２の光吸収層、第３の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層とを接続する第１の電極配線と、前記第２の電極層と前記第３の電極層とを接続する第２の電極配線と、前記第２の電極と前記第１の電極配線との接触部分に形成される第１のダイオードと、前記第２の電極と前記第２の電極配線との接触部分に形成される第２のダイオードと、を有することを特徴とする光検出素子により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの表面に接着層を介してガラス基板を貼り合わせる半導体装置において、フォトダイオード上に形成された絶縁膜の窪み部に気泡を内包しないように接着層を充填する事が課題となる。
【解決手段】その上部に層間絶縁膜からなる窪み部１９を有するフォトダイオード４０とＮＰＮバイポーラトランジスタ３０等からなる光電子集積回路が形成された半導体チップ５０において、一般的にはフォトダイオード４０上の窪み部１９領域及びダイシング領域２１以外を遮光膜１７で被覆する。本発明では、更に窪み部１９から該窪み部１９の外側に向かって延在する遮光膜１７の開口路２０を形成することにより課題の解決を図った。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができる光半導体装置を得る。
【解決手段】絶縁性の台座の上面にチップが配置されている。絶縁性の台座の上面にチップを囲むように低電圧電極１９が配置されている。チップは、第１導電型半導体層１３と、第１導電型半導体層の上面の一部に形成された第２導電型半導体領域１４と、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体領域の上面を覆う表面保護膜１５と、第１導電型半導体層に接続された第１電極１６と、表面保護膜に設けられた開口を介して第２導電型半導体領域に接続され、第１電極よりも低い電圧が印加される第２電極１７と、を有する。低電圧電極は、第１電極よりも低い電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高いＳＮ比を得ることを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素２０１であって、それぞれが半導体基板の第１面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第２導電型の半導体領域２０１ａを有する複数の画素２０１と、半導体基板の第１面と反対の第２面側に設けられ、画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体領域の光が入射する側の面上に周期的に設けられた微細金属構造２５０と、微細金属構造と半導体領域との間に設けられた絶縁膜２３６ａと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
半導体を用いた光検出器においては、光信号を半導体の吸収によって電子と正孔を発生させ、光電流に変換していたが、これらの光検出器に使用される半導体は、すべての光を吸収することはできず、半導体が十分に吸収できないエネルギーの小さい（波長の長い）光信号について検出することは困難であった。
【解決手段】
半導体と金属からなるショットキー型光検出器において、光検出部の金属を薄膜で構成し、該金属薄膜の表面に複数の金属ナノロッドを付着してなることを特徴とするショットキー型光検出器を要旨とし、光検出部の金属を薄膜化することにより、金属ナノロッドで誘起された表面プラズモン共鳴の振動が金属と半導体の界面まで届き、ショットキー障壁を越えて半導体側へ流れ込む電子数が増加することとなる。
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【課題】本発明は、半導体基板と透光板との接合強度を維持し、反りの発生を抑制し、かつ、歩留まりおよび設計の自由度を維持した状態で小型化が可能な光学デバイスおよびその製造方法ならびに電子機器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の光学デバイスは、受光素子２１ａが一表面に形成された半導体基板１と、受光素子２１ａを覆うように半導体基板１上に設けられた透光板４とを備え、半導体基板１と透光板４とは、半導体基板１の受光素子２１ａが形成された受光部２ａ上において、部分的に接合される。 （もっと読む）

【課題】光電素子および、容易かつ低コストで製造可能な、多数の光電素子を有する装置並びに、光電素子に対する容易な製造方法を提供すること
【解決手段】アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでいる形式のものにおいて、当該半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部を有しており、当該孔部の領域内に接続導体材料が配置されており、当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁されている、ことを特徴とする光電素子。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置のコンタクトホール形成時に光電変換部が金属あるいは高融点金属で汚染されないようにすること。
【解決手段】 画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記周辺回路領域のＭＯＳトランジスタの拡散層あるいはゲート電極の表面と高融点金属とを反応させて、半導体化合物層を形成し（図２（Ｃ））、前記画素領域と前記周辺回路領域に絶縁層を形成する（図２（Ｄ））。前記画素領域の拡散層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成し（図２（Ｄ））、異なるタイミングで、前記周辺回路領域に形成された前記半導体化合物層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する（図３（Ａ））。後で形成されるコンタクトホールに先立って、先に形成されるコンタクトホールにコンタクトプラグを形成する（図３（Ａ））。 （もっと読む）

【課題】高い励起効率と光子取り出し効率の両方を兼ね備え、バックグラウンド雑音が少ない単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】量子ドット４が上部半導体層２と下部半導体層３の間に埋め込まれ、その上部の金属遮光膜５に、開口から金属突起１１〜１４が張り出した構造を持つ突起付開口６が形成されている。励起光源２１から発せられたＹ方向の偏光を有する励起光は、金属突起１３、１４からなるアンテナＹに共鳴して、量子ドット４を励起する。その後の量子ドットからの発光は、金属突起１１、１２からなるアンテナＸに結合し、Ｘ偏光の光子として外部に取り出される。 （もっと読む）

【課題】 バイアスＴを用いなくても、受光素子に印加するバイアスに変調信号を付加でき、小型かつ低コストの、変調バイアス動作可能な受光装置等を実現できる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子は、導電性半導体基板６、光信号を電気信号に変換する半導体層から形成された受光部、前記受光部で変換した電気信号を外部に取り出す電気信号取出用電極（２、３）および変調信号入力用電極５を有し、
前記受光部および電気信号取出用電極（２、３）が、基板６の上に形成され、
変調信号入力用電極５が、基板６の上の前記受光部および電気信号取出用電極（２、３）とは別の場所に、電気信号取出用電極（２、３）と絶縁状態で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換材料で構成される光電変換層に形成した複数の光電変換素子の直列接続構造を製造容易な形で実現できる光電変換デバイス及び光電変換デバイスの製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】光過性基板上に、光透過性のｎ個（但しｎは２以上の整数）の第１電極と、空隙を有せずに一括形成された有機光電変換材料からなる１つの光電変換層と、前記第１電極とは異なる材料を用いたｎ個の第２電極とがこの順に積層され、ｋ番目（但し１≦ｋ≦ｎ−１）の前記第１電極及び前記第２電極に挟まれた前記光電変換層にｋ個目の光電変換素子が形成される場合に、ｋ番目の前記第２電極と（ｋ＋１）番目の前記第１電極は、前記光電変換層が存在しない領域にて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

一実施形態において、読み出し集積チップ等の集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作製方法は、バンプを有する複数の検出素子を備える基板を準備する。前記バンプの上部を取り囲むフローティング酸化物層が形成される。前記フローティング酸化物層と前記集積チップの酸化物層との間に酸化物−酸化物結合が形成される。前記集積チップの酸化物層は、前記集積チップの対応バンプに備えられる。前記酸化物−酸化物結合によって、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとが互いに密接に接触でき、前記バンプへの機械的応力及び前記バンプ間の機械的応力を本質的に全て除去できる。他の実施形態においては、装置が相互接続インタフェースを有し、この相互接続インタフェースが、前記酸化物−酸化物結合、及び、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間の電気的接触を含む。
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【課題】本発明は、上部のイメージ感知部とリードアウト回路の接続のためにウェハアラインメントを必要とせず、リードアウト回路の配線とイメージ感知部のオーミックコンタクトを得ることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記リードアウト回路１２０と電気的に接続されて前記第１基板１００上に形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０と、前記イメージ感知部２１０と前記配線１５０が電気的に接続されるようにピクセル境界に形成されたビアプラグ２５０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共振による電界結合の乱れを低減することができる受光素子を得る。
【解決手段】フォトダイオード１０は、光導波路１２の端面が受光面１４となっている端面受光型のフォトダイオードである。信号電極１６及びバイアス電極１８は、フォトダイオード１０の同一面上に形成され、フォトダイオード１０のアノード及びカソードにそれぞれ接続されている。絶縁膜２０がバイアス電極１８上に形成されている。絶縁膜２０上に金属電極２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層が劣化することを防止して、素子性能の低下を防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと、光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方に形成された上部電１４極とを含む光電変換素子１を有する画素が複数配列され、各画素の光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが上部電極１４で封止され、隣り合う画素の上部電極１４が電気的に接続されている。 （もっと読む）