第一のスーパーストレートシートと、裏面シートと、１つ又は複数の光電セルとを含む光電モジュールであり、各光電モジュールは、前記スーパーストレートシートと前記裏面シートとの間に封入されており、前記裏面シートはポリエステル材料からなる。
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【課題】色素増感型光電変換セルにおいて、色素を増感部として結合する酸化チタン多孔質層が表面積の大きさを利用して効率的に光電変換できる特徴を活かし、増感部の耐久性が強く太陽光に対し幅広い波長域で吸収能をもつ化合物半導体系材料として好適な処理金属酸化物半導体粒子の製造方法の提供。
【解決手段】平均一次粒子径1ｎｍ以上200ｎｍ以下の金属酸化物半導体粒子と、銅の塩またはキレート化合物と、イオウ源化合物と、必要に応じて銅以外の金属の塩またはキレート化合物とを接触させ、金属酸化物半導体粒子の表面に銅含有金属硫化物を結着させる処理金属酸化物半導体粒子の製造方法。 （もっと読む）

電極の調製方法と、関連したデバイス、部品、システムおよび方法とを開示する。
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【課題】 一次元のナノ構造物は、色々なナノデバイスを作製するのに有用であるため、その研究は年々、活発になってきている。しかし、一次元の硫化亜鉛カドミウムナノ構造物に関しては、まだ知られていない。本発明は、一次元のカドミウム内含硫化亜鉛カドミウムナノケーブルおよび硫化亜鉛カドミウムナノチューブの製造方法を提供することを解決すべき課題としている。
【解決手段】 発明１の硫化亜鉛カドミウムナノチューブは、チューブ状に形成された六方晶構造の、化学組成が亜鉛、カドミウム、硫黄からなる単結晶硫化亜鉛カドミウムからなることを特徴とする構成を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法により高抵抗バッファ層及び窓層（透明導電膜）を連続して製膜して、従来の溶液成長法による製膜方法と同等の出力特性を得ると共に、製膜方法及び装置を簡素化し、原材料費及び廃棄物処理費を削減して、製造コストを大幅に削減する。
【解決手段】 ガラス基板１Ａ上に金属裏面電極層１Ｂ、光吸収層１Ｃの順に製膜した太陽電池半製品基板の光吸収層１Ｃ上に、高抵抗バッファ層１Ｄ、窓層１Ｅの順序でＭＯＣＶＤ法により連続的に積層構造で製膜するので、製膜方法及び装置が簡素化され、原材料費及び廃棄物処理費を削減することができる。 （もっと読む）

本発明は、化学式（Ｉ）又は（ＩＩ）の光電活性半導体材料を含む光電池及びその光電池を製造する方法に関し、
ＺｎＴｅ （Ｉ）
Ｚｎ_1-xＭｎ_xＴｅ （ＩＩ）
（但し、ｘは、０．０１から０．７である）
光電活性半導体材料が、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、ビスマス及び銅から成る群から選択される金属、及び、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素から成る群から選択されるハロゲン元素を含む金属を含有する金属ハロゲン化物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直列接続構造でモジュールを作製する際に、半導体膜が積層する部分の洩れ電流を低減した集積型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板(10)上に順次積層された第１の電極膜(11)、半導体膜(12)及び第２の電極膜(13)を含み、第１の電極膜(11)に基板を露出するようにストライプ状に分割し(13p)、半導体膜を積層して第１の電極膜の分割溝と隣接・平行に第１の電極膜表面を露出するようにストライプ状に分割し(12p)、第２の電極膜を積層した上に半導体膜の分割溝に隣接・平行に分割して第１の電極膜(11)と第２の電極膜(13)とを電気的に直列接続させ、少なくとも第１の電極膜の分割溝(13p)上に積層された半導体膜の抵抗率ρ１をユニットセル(14)上の第１の電極膜に接して積層された半導体膜の抵抗率ρ２よりも大きくする。 （もっと読む）

ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池であって、前記膜が透明基体の上に順次堆積されているものの大量生産のための方法であって、前記基体上に透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）の膜を堆積させる工程；前記ＴＣＯ膜上にＣｄＳの膜を堆積させる工程；前記ＣｄＳ膜上にＣｄＴｅの膜を堆積させる工程；前記ＣｄＴｅ膜を塩素含有不活性ガスで処理する工程；前記処理したＣｄＴｅ膜の上に裏面接触膜を堆積させる工程を含む方法である。塩素含有不活性ガスは、クロロフルオロカーボン又はヒドロクロロフルオロカーボン製品であり、前記処理は真空室中で３８０〜４２０℃の操作温度で行う。前記製品の熱解離の結果として放出された塩素は、電池表面上に存在する固体ＣｄＴｅと反応してＴｅＣｌ_２及びＣｄＣｌ_２蒸気を生成する。温度を操作値に維持しながら、真空室へ真空を適用することにより、電池表面から残留ＣｄＣｌ_２を全て除去する。
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【課題】改善された特性及び性能、特に、より良好な光電池効率を有する光電池デバイスを提供する。
【解決手段】透明なｎ型半導体の構成要素と、吸収体の構成要素と、透明なｐ型半導体の構成要素とを含む固体の光電池デバイスに関し、この光電池デバイスが、それぞれｎ型またはｐ型の前記２つの半導体構成要素のいずれかのモノリシックな膜（１）を含み、前記モノリシックな膜（１）は、この膜の全厚さを貫通しこのモノリシック膜の両面間を横断して延びるチャネル形状を備えた細孔を有しており、この細孔の内部の表面は前記吸収体材料の薄い層（２）によって被覆されており、この細孔はもう１つの前記半導体構成要素（３）によって容積比率において少なくとも２０％、好ましくは５０％を超えて充填されており、このモノリシック膜は好ましくは２つの導電基板層（４、６）の間に挿入されており、その導電基板層の中の少なくとも１つは透明である。 （もっと読む）

【課題】蒸着法やスパッタリング法に比較して、大型化が容易な電解めっきを利用して安価にｐ型半導体層を形成できる太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の一面側に形成した電極膜１２を給電層とする電解めっきを利用して、基板面が底面に露出する所定幅の第1溝１４によって分割された複数個のｐ型半導体層１６を形成した後、ｐ型半導体層１６の各表面及び第1溝１４の底面に露出する基板１０の露出面を覆う全面ｎ型半導体層１８ａを形成し、次いで、第1溝１４を介して互いに隣接するｐ型半導体層１６，１６の一方の第1溝１４近傍に形成された電極膜１２が底面に露出する第２溝２０を形成して、全面ｎ型半導体層１８ａを所定形状のｎ型半導体層１８にパターンニングした後、第２溝２０を充填すると共に、ｎ型半導体層１８の全表面を覆う全面透明電極２２ａを形成し、その後、第２溝２０が上面側に形成された電極膜１２であって、第２溝２０よりも内方に位置する電極層１２の表面が底面に露出する第３溝２４を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電極間の短絡を防止した上で、非発電領域を低減させることができる集積型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板(10)と、基板(10)上に順次積層された第１電極膜(11)、半導体膜(12)及び第２電極膜(13)とを含み、複数のユニットセル(20)のそれぞれは、第１分割溝(11a)により分割された第１電極膜(11)と、第２分割溝(12a)により分割された半導体膜(12)と、第３分割溝(13a)により分割された第２電極膜(13)とを含む積層体から構成されており、第１分割溝(11a)内において、少なくとも第２分割溝(12a)側に位置する側端部(111a)は、基板(10)の一部が除去されている集積型薄膜太陽電池(1)とする。 （もっと読む）

本発明は、光起電力素子を製造するための新規の方法及びこのような方法を実施するための装置に関する。本発明は、各製造プロセスを制御する複数の処理チャンバーを有する一体化された装置を通してワークピース基材を進行させるための移動システムを使用する。
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本発明は、一般的には光起電力技術の分野に関し、より具体的には熱プロセスを用いた薄膜太陽電池の作製に関する。具体的には、現場接合形成プロセスによってＣＩＧＳ太陽電池を製造するための方法が開示される。
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【課題】基板の一面側の全面に亘って形成した全面電極膜等にスクライブを含むパターンニングを施すことなく太陽電池モジュールを形成できる太陽電池セルを用いた太陽電気モジュールを提供する。
【解決手段】 基板１２の一面側に電極膜１４、ｐ型半導体層１６、ｎ型半導体層１８及び透明電極２０が、この順序で積層されて形成された複数枚の太陽電池セル１０が、電気的に直列的に接続された太陽電池モジュールにおいて、該太陽電池セル１０，１０・・の各々が直列に配設されており、太陽電池セル１０の両隣に位置する他の太陽電池セル１０，１０の側面と対応する基板１２の両側面の一方には、電極膜１４から延出されて露出状態の延出電極膜１４ａが形成されていると共に、前記両側面の他方側の側面には、電極面１４ａと接触することなく透明電極２０から延出された延出透明電極２０ａが形成され、太陽電池セル１０の延出電極膜１４ａと、隣接する太陽電池セル１０の延出透明電極２０ａとが電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

コポリマーおよび混和物を含む位置規則性ポリチオフェンポリマーを、光起電力装置において用いることができる。ポリマーは側鎖中にヘテロ原子を含むことができる。よりよい効率を達成することができる。

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【課題】カルコパイライト型半導体を用いた太陽電池用の基板の絶縁耐圧を高め、低コストで提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池(10)は、カルコパイライト構造を有する化合物半導体を光吸収層として用い、基板(11)上にＳｉＯ₂：４０〜６０ｗｔ％、Ｂ₂Ｏ₃：１５〜３０ｗｔ％、Ｎａ₂Ｏ：２〜１０ｗｔ％、ＴｉＯ₂：８〜２０％を含有するガラス絶縁層(12)を設ける。これにより、短絡電流、開放端電圧、曲線因子、変換効率等の基本的特性を高い維持しつつ、絶縁耐圧を高くできる。 （もっと読む）

本発明は、支持物及び透明被覆層を備える車両のボディ部品に関する。薄膜太陽電池は、前記支持物に搭載される。この支持物は、薄膜太陽電池と共に、透明被覆層によって覆われる。この透明被覆層は、塗料層、特にクリアワニス層からなる。薄膜太陽電池は、ＣＩＳ−、ＣＩＧＳ−、ＣＩＧＳＳ−、ＣｄＴｅ−、又はＳｉ−基（特にＳｉ／ＳｉＧｅ）薄膜太陽電池である。
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大気圧で基板を被覆する方法が、加熱された不活性ガス流の中で、ほぼ大気圧で、制御された半導体材料の質量を気化させ、半導体材料の凝縮温度より高い温度を有する流体混合物を生成するステップと、ほぼ大気圧で、半導体材料の凝縮温度より低い温度を有する基板の上に流体混合物を向けるステップと、半導体材料の層を基板の表面の上に堆積させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池における導電層（裏面電極）と光吸収層との密着性を向上させる。また、導電層と光吸収層との間にＧａ含有層を含む太陽電池よりも低コストの太陽電池を提供する。
【解決手段】 太陽電池の構成を、基体１１と、基体１１上に形成された導電層１２と、導電層１２上に形成されたＩｂ族元素、IIIｂ族元素及びVIｂ族元素を含有する化合物半導体を含む光吸収層１４と、光吸収層１４上に形成された透明導電層１７とを含み、導電層１２と光吸収層１４との間に、導電層１２と光吸収層１４との双方に接触したＡｌを含有する接合強化層１３を更に含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】 分子光起電技術、製造方法及びこれに派生する物品に関する。
【解決手段】 本明細書で開示するのは、電磁放射を吸収することができる吸収材と、第１の導電性表面を含む第１の基材と、概第１の基材の第１の導電性表面に対向し且つ第１の導電性表面に面する第２の導電性表面を含む第２の基材と、第２の基材の第２の導電性表面に電気的に導通するが、第１の基材から電気的に絶縁されている電子トランスポータと、第１の基材の第１の導電性表面に電気的に導通するが、第２の基材に電気的に絶縁されている正孔トランスポータとを備え、正孔トランスポータ及び／又は電子トランスポータが電気絶縁シースに化学結合され、正孔トランスポータ及び／又は電子トランスポータが吸収材に化学結合された光起電電池である。 （もっと読む）