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Fターム[5F051AA09]の内容

光起電力装置 (50,037) | 本体材料 (7,491) | 化合物半導体 (938) | 2−6族(例;CdS) (146)

Fターム[5F051AA09]に分類される特許

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カドミウムおよびテルル化物を含むCdTe層を含むテルル化カドミウム(CdTe)ベース光電池デバイス。このCdTeベース光電池デバイスは、シリコーン組成物から形成されたシリコーン層を含む基板をさらに含む。基板は、シリコーン組成物から形成されたシリコーン層を含むので、柔軟であり且つ350℃を超える、しばしば500℃を超えるアニーリング温度に十分に耐えることができ、デバイスの最大効率を得る。
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タンデム型光電池並びに関連する部品、システム、および方法が開示される。
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複数の量子ドットは第1の無機材料を有しており、各量子ドットは第2の無機材料で被覆されている。被覆されたドットは、第3の無機材料のマトリックスに埋め込まれている。少なくとも前記第1および前記第3の無機材料は光伝導性半導体である。第3の材料におけるトンネルバリアの基部におけるキャリア(電子または正孔)が各々の被覆された量子ドット内部の第1の材料に到達するためには量子力学的なトンネリングを必要とするように、前記第2の材料がトンネル障壁として配置されている。各量子ドットにおける第1量子状態は、被覆された量子ドットが埋め込まれている第3の材料での伝導帯端と価電子帯端との間に位置している。複数の量子ドットについての第1量子状態での複数の波動関数は中間バンドとして重なりあっている。
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【課題】薄膜光電池の効率を低下させる原因となる異常を低減させる。
【解決手段】ビーム12を電池10上に合焦させることにより生じる光電流を、電流計20で測定する。負荷抵抗21両端の電圧を調整することにより、負荷21に流れる光電流にかかわらず、電池10が一定電圧となるようにする。ビーム12が局在分路欠陥14から離れると、透明導電性酸化物22によるビーム12と局在分路欠陥14との間の抵抗が増加するので、局在分路欠陥14を飽和させるのに必要な光電流18が減少し、光電流18は増大する。これにより、局在分路欠陥14の位置が特定されので、レーザ切除によって電気的に除去する。 (もっと読む)


1つの態様において、本発明は、より良い環境安定性のための太陽電池または光起電力モジュールを製造する方法に関する。他の側面において、本発明は環境的に安定な太陽電池または光起電力モジュールに関する。これらの方法および装置は、回路上、好ましくは太陽電池の照光表面、または複数の太陽電池からなる回路の、太陽電池の照光表面を含む面全体の上に耐湿表面を形成するための水分バリアフィルムを用いる。或る態様においては、耐湿フィルムは相似的に適用され、他の態様においては、耐湿フィルムは実質的に透明である。
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本発明は、有利には、別々の態様において、その上に前駆体及びIBIIIAVIA化合物薄膜が良好に接着し、優れたマイクロスケールな組成の均一性を有した高品質な層を形成する、改善されたコンタクト層又は核形成層を提供する。それは、電気めっきなどのウェット堆積技術によって、スタックを形成した別々の層の堆積シークエンスに関して大きな自由度で、前駆体スタック層を形成する方法も提供する。 (もっと読む)


ソーラーセルを製造し且つ金属接触部を形成する方法及び装置が開示される。ソーラーセルの接触部及び配線は、第1金属材料及び第2金属材料の薄膜スタックを、付加的なシート処理、ホトリソグラフィー、エッチング、洗浄、及びアニーリングプロセスに関連してバルク金属層を堆積するための開始層又はシード層として堆積することにより、形成される。一実施形態では、シート上に低い接触抵抗で金属ケイ化物を形成するための薄膜スタックがスパッタリング又は物理的気相堆積により堆積される。別の実施形態では、金属線及び配線を形成するためのバルク金属層がスパッタリング又は物理的気相堆積によって堆積される。更に別の実施形態では、電気メッキ又は無電解堆積を使用して、バルク金属層が堆積される。 (もっと読む)


本発明は、概して光起電装置若しくは太陽電池の分野に関する。より詳細には、本発明は、異なるサイズ及び組成のナノ粒子を含む光活性ナノ粒子に接続された金属酸化物ナノ構造体を用いて作製された光起電装置に関する。
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光起電装置若しくは太陽電池を提供する。より詳細には、本発明は、太陽電池の効率を増加させるIR及び/又はUV吸収ナノ構造体層を備える光起電装置を提供する。ある実施の形態では、上記ナノ構造材料は、可視領域において主に吸収が起こる、結晶シリコン(単結晶若しくは多結晶)太陽電池、薄膜フィルム(アモルファスシリコン、マイクロ結晶シリコン、CdTe、CIGS及びIII−V族材料)太陽電池からなる群から選択される少なくとも1つを組み合わせても良い。ある形態では、上記ナノ粒子材料は、様々なサイズの量子ドット、ロッド及びマルチポッドを含む。
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本発明は、光起電活性半導体材料及び光起電活性半導体材料を含む光電池であって、光起電活性半導体材料がテルル化亜鉛からなる結晶格子を含み、そしてテルル化亜鉛結晶格子において、ZnTeを、0.01〜10モル%のCoTe、0〜10モル%のCu2Te、Cu3Te又はCuTe及び0〜30モル%の少なくも1種の、MgTe及びMnTeからなる群から選択される化合物で置換し、且つテルル化亜鉛結晶格子において、Teを0.1〜30モル%の酸素で置換する光起電活性半導体材料及び光起電活性半導体材料を含む光電池に関する。更に光電池は、テルルと共に金属テルル化物を形成するリアコンタクト材料からなるリアコンタクトを有する。 (もっと読む)


複数の量子ドットはそれぞれシェルを有している。その量子ドットは有機マトリックス内に埋め込まれる。少なくともその量子ドットとその有機マトリックスは光伝導性半導体である。各量子ドットのシェルは、前記有機マトリックスのトンネル障壁の基部に位置する荷電キャリア(電子や正孔)が各量子ドットに到達するため量子力学的なトンネリングを必要とするように、トンネル障壁として備えられており、各量子ドット内の第1量子状態は有機マトリックスの最低非占有分子軌道(LUMO)から最高占有分子軌道(HOMO)の間に位置する。複数の量子ドットの第1量子状態の複数の波動関数は中間バンドを形成するために重複することがある。
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【課題】 比較的耐熱性の低いガラス基板上やプラスチック基板上に、可視光に対する透過性が高いp型の透明酸化物を成膜した半導体接合を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板またはプラスチック基板上にp型の透明酸化物薄膜としてCuCrO2を400℃未満で成膜したことを特徴とする半導体接合であり、さらに、上記CuCrO2のCrの一部を二価の陽イオンであるM=Mg、Ca、Be、Sr、Ba、Zn、Cd、Fe、Niのいずれか一種類以上と元素置換したCu(Cr,M)O2を用いたことを特徴とする半導体接合である。 (もっと読む)


第1の電極層、第1の電極上に配置された高抵抗透明膜、第2の電極層、および第1と第2の電極層の間に配置された無機光活性層を有する光発電素子を開示する。無機光活性層は、高抵抗透明膜と少なくとも部分的な電気的接触をするように、かつ第2の電極と少なくとも部分的な電気的接触をするように、配置される。光活性層は、第1の無機材料と第1の無機材料とは異なる第2の無機材料とを有し、第1および第2の無機材料は、タイプIIのバンドオフセットエネルギープロフィールを示し、かつ光活性層は、第1の無機材料のナノ構造体の第1の集団、および第2の無機材料のナノ構造体の第2の集団を有する。

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【課題】より安価な光起電力構造体を提供する。
【解決手段】導電性ナノワイヤーアレイ電極を備えた光起電力(PV)構造体を提供する。底部電極102に導電性ナノワイヤー104を形成するステップと、ナノワイヤー104の上に載る第1ドーパントタイプの第1半導体層106を形成するステップと、第1半導体層106の上に載り、第1ドーパントタイプと反対の第2のドーパントタイプの第2半導体層108を形成するステップと、第2半導体層108に載る頂部電極110を形成するステップとから成る。第1および第2半導体層106,108は導電性ポリマー、フラーレン誘導体を有する共役ポリマーまたはCdSe、CdS、チタニアまたはZnOのような無機材料などの材料とすることができる。導電性ナノワイヤー104はIrO、In、SnOまたはインジウム錫酸化物(ITO)のような材料とすることができる。 (もっと読む)


【課題】フロート青板ガラス基板のSnを含まないエアー面を迅速且つ確実に識別し、前記エアー面を上面に揃え、エアー面上にCIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜して、変換効率及び歩留りを向上させ、製造コストを低減する。
【解決手段】ガラス基板表面に紫外線を照射し、発光した場合は、その面がSnを含むフロート面Bと識別(P1)し、Sn含有マークを付与(P2)する。Sn含有マークが付与されていないエアー面Aが上面の場合は、そのまま洗浄・乾燥工程を経て、エアー面AにCIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜する。フロート面Bが上面の場合は、上下反転(P3)させた後、洗浄・乾燥工程(P4)を経て、上面のエアー面AにCIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜(P5)する。 (もっと読む)


本発明は、以下の式(I)、式(II):
(I) (Zn1-xMgxTe)1-y(MnTemy、及び
(II) (ZnTe)1-y(Meaby
[但し、MnTem及びMeabが、それぞれドーパントであり、且つMが、Si、Ge、Sn、Pb、Sb及びBiからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、Meが、Mg及びZnからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、
x=0〜0.5、
y=0.0001〜0.05、
n=1〜2、
m=0.5〜4、
a=1〜5、及び
b=1〜3である。]
で表されるか、又は式(I)と(II)の組み合わせである光起電活性の半導体材料を含む光電池に関する。 (もっと読む)


光起電力装置が提供される。光起電力装置は、第1のエネルギ吸収面と、第1のエネルギ吸収面に対して実質的に平行な第2のエネルギ吸収面とを含む。光起電力装置は、第1のエネルギ吸収面および第2のエネルギ吸収面に対して実質的に垂直な第3のエネルギ吸収面を含む。第1のエネルギ吸収面、第2のエネルギ吸収面および第3のエネルギ吸収面は各々、光子からのエネルギを電気エネルギに変換するように構成される。光子は、第1のエネルギ吸収面、第2のエネルギ吸収面および第3のエネルギ吸収面のうち1つ以上に衝突する。第1、第2および第3のエネルギ吸収面は、光子が、第1のエネルギ吸収面、第2のエネルギ吸収面および第3のエネルギ吸収面のうち2つ以上の間で跳ね返るように配向される。
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特に太陽電池に適切であって電極が組み合わされた特にガラス製の透明基板であって、その電極が、ドーピングされていない無機酸化物で構成された第一の透明な導電性層を含み、その第一層が、同じ無機酸化物であるがドーピングされている無機酸化物で構成されている第二の透明な導電性層で被覆されていることを特徴とする透明基板。 (もっと読む)


太陽光パネル装置と製造方法。この装置は、所定厚みと開口表面領域とを含む光学的透明部材を有する。この装置は、光学的透明部材の一部に結合される太陽電池を有する。具体的な実施形態において、この太陽電池は、透明ポリマー部材と、この透明ポリマー部材の一部に備わる複数の光発電領域と、を含む。具体的な実施形態において、この複数の太陽電池は透明ポリマー部材の開口表面領域の少なくとも約10%から80%以下を占める。
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第一のスーパーストレートシートと、裏面シートと、1つ又は複数の光電セルとを含む光電モジュールであり、各光電モジュールは、前記スーパーストレートシートと前記裏面シートとの間に封入されており、前記裏面シートはポリエステル材料からなる。
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