【課題】酸化亜鉛デバイス用基板材料として適した高純度で高品質な酸化亜鉛結晶を得る成長方法を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向け温度勾配を有する成長容器11内において酸化亜鉛結晶15の成長を行う酸化亜鉛結晶の成長方法であって、溶媒としての亜鉛インゴット13と原料としての酸化亜鉛多結晶12が充填された成長容器11を、亜鉛の融点以上酸化亜鉛の融点以下の温度に加熱し、かつ成長容器11の高温側に配置された酸化亜鉛原料を、溶融した亜鉛を溶媒として成長容器11の低温側成長部において再析出、成長させて酸化亜鉛結晶15を得る。 （もっと読む）

【課題】長時間安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５並びに単結晶ＳｉＣ製造用原料であるＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、及び、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性キャリアガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料のＳｉＯ₂とＣの供給モル比が、ＳｉＯ₂：Ｃ＝１．０５：３．０〜２．０：３．０である単結晶ＳｉＣの製造方法、及びこの製造方法により製造された単結晶ＳｉＣ。 （もっと読む）

【課題】治具からのオートドープによる固定されたカーボンの濃度プロファイルではなく、調整された任意のカーボン濃度プロファイルを有するエピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルが、溶媒の保持のためのカーボン製治具から供給され得るカーボンの濃度から±５０％の濃度プロファイルと交差しているものであるエピタキシャル基板。 （もっと読む）

【課題】輝度低下要因の一つである不要な不純物の混入を低減させ、高輝度な発光素子が得られるエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、半導体層を液相エピタキシャル法により順次形成するエピタキシャルウエハの製造方法において、基板２を収納するための成長治具３と原料溶液Ｌを収納するための溶液フォルダ５との互いに接触する面３ｕ，５ｄを、予め鏡面研磨加工しておく方法である。 （もっと読む）

安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
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【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi₂単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩２３をSi基体２２と接触させることによってβ-FeSi₂をSi 基体２２上に形成するβ-FeSi₂形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si＋2 FeCl₂＝2β-FeSi₂＋SiCl₄ (1) （もっと読む）

【課題】１回の成長操作で複数枚のエピタキシャルウェハを作製して、成長効率を向上できること。
【解決手段】溶液ホルダ１２と２段の基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂとを備えた成長治具１１の上記溶液ホルダ１２には、基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに対応して原料溶液を収容する溶液溜１５Ａ及び１６Ａと、１５Ｂ及び１６Ｂとがそれぞれ設けられ、各基板ホルダには、溶液溜内の原料溶液に接触可能に基板１７を載置する基板載置部１８が形成され、溶液ホルダ１２に対して基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂを同時にスライドさせて原料溶液を基板に接触させることにより、基板ホルダ１３Ａ及び１３Ｂに載置された２枚の基板にエピタキシャル層を同時に成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】原料溶液中の酸化物を減少して、作製されるエピタキシャルウェハの上記酸化物起因の欠陥を低減させること。
【解決手段】溶液ホルダ１２と基板ホルダ１３とを備えた成長治具１１の上記溶液ホルダ１２には、原料溶液１９Ａ、１９Ｂを収容する溶液溜１５Ａ、１５Ｂが設けられ、上記基板ホルダ１３には、上記溶液溜１５Ａ、１５Ｂ内の原料溶液１９Ａ、１９Ｂに接触可能に基板１６を載置する基板載置部１７が設けられ、上記溶液ホルダ１２と上記基板ホルダ１３をスライドさせて上記原料溶液を上記基板１６に接触させることにより、当該基板１６にエピタキシャル層を成長させる液相成長装置１０であって、上記溶液溜１５Ａ、１５Ｂの内壁面２０の表面粗さが、Ｒａ＝１．０〜３．０μｍに設定されて構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】原料融液溜と融液中心部側との熱交換を促進する。
【解決手段】 原料融液溜８（９，１０）にエピタキシャル成長原料を投入してこの原料融液溜８（９，１０）の加熱により溶融した後、原料融液溜８（９，１０）の融液に基板７の成長面を接触させてエピタキシャル成長させるようにしたエピタキシャルウエハの製造方法において、前記原料融液溜８（９，１０）の融液に接する表面を原料融液溜の中心部側に拡大して、融液中心部側と前記原料融液溜との熱交換を促進する。 （もっと読む）

【課題】電荷担体の移動度の高い半導体膜を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体膜を製造する方法を提供するものであり、第１の有機半導体及び第２の有機半導体を含む溶液を基板の表面に付与する第１の工程を有する。溶液は乾燥され、半導体膜が形成される。半導体膜は第１の有機半導体の離散的領域を含んでおり、その離散的領域は第２の有機半導体のマトリクスの中に存在する。このマトリクスは互いに隣接する離散的領域同士を電気的に接続する。第１及び第２の有機半導体は同一の導電型を有しており、第１の有機半導体の離散的領域における電荷担体の移動度は第２の有機半導体のマトリクスにおける電荷担体移動度より高い。 他の形態においては、本発明は類似の半導体膜製品を製造する方法を提供する。第１の有機半導体の溶液は第２の有機半導体の溶液と別に塗布される。そして乾燥後は離散的領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ不良の発生を大幅に減少できるエピタキシャルウエハの製造方法及び発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 （もっと読む）

【課題】低圧または常圧で、工業的に安価な方法で良質の第１３族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器１４中に溶融塩６を入れ、溶解する。仕切り板５で仕切られた部分に、周期表第１３族金属元素および周期表第１３族以外の金属元素を含有する複合窒化物８を置き、溶融塩６中へ溶解させる。溶解した複合窒化物８は、イオン性溶媒に溶解してＧａＮ結晶１の表面に到達し、第１３族金属窒化物結晶が成長する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を形成すること。
【解決手段】Ｓｒ（ＯＡｃ）_２、Ｃｕ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、および酢酸を調製し（１２）、これらを、混合した後に還流する（１４）。さらに、エタノールアミンを加え（１８）、続いて、溶液を濾過する（２０）。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し（２４）、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる（３０）。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う（３２）。酸素と窒素との混合雰囲気下においてポストアニール処理を行ってもよい（３４）。 （もっと読む）

【課題】 不純物である酸素を低減させ、赤色発光ダイオードを高輝度かつ高い歩留りで製造できるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法及びＬＥＤ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】 基板上に、ＡｌＧａＡｓ活性層、ＡｌＧａＡｓクラッド層を液相エピタキシャル法により順次形成するシングルヘテロ接合構造のエピタキシャルウェハを製造する方法において、エピタキシャル層成長前に成長炉内温度を２５０℃程度に約２時間保持し、その間に真空引き及びＨ₂ パージを連続的に行うことで原料溶液及びグラファイト成長治具の純化を行った後、成長させるようにしたものである。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの脂肪族若しくは脂環式アルケンを有する少なくとも１つの有機溶媒中の少なくとも１つの有機半導体の溶液及び基板への有機半導体層を製造するための使用、特に電子工業のための使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 基板を水平面内で回転させることにより、液相エピタキシャル成長におけるウェハ面内の特性の均一性を向上させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 円形基板４を水平面内で回転しながら、上方のメルト部５に貯留されている原料融液６又は上方から供給される原料融液に接触させることにより、目的とするＡｌＧａＡｓ層、ＧａＰ層、ＧａＡｓＰ層などの化合物半導体層を液相で成長する。 （もっと読む）

【課題】隣接する第一及び第二の有機半導体ポリマー層のヘテロ接合を形成する方法を提供する。
【解決手段】初めに第一の有機半導体ポリマーの層１２を基板１０上に形成する。次に、その上に膜形成材料の溶液を堆積する。第一の有機半導体ポリマー１２は、この溶液に対して不溶なので、影響を受けることがない。乾燥することにより、厚さ２０ｎｍを有する仮膜１４が形成される。次に、有機溶媒に溶解された第二の有機半導体ポリマーの溶液１６を前記仮膜１４上に堆積し、乾燥させる。前記仮膜１４の厚みは、前記第二の有機半導体ポリマーの溶液１６が乾燥される時間の間に、厚み分を浸透するように設定される。これによって、前記第一の有機半導体ポリマーの層１２に損傷を与えることなく前記仮膜１４は分解され、前記第二の有機半導体ポリマーの層１９は前記第一有機半導体ポリマーの層１２上に接するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 ガリウム砒素からなる基板の裏面からの砒素が抜けることを防止して、不良発生率の少ない発光ダイオードを製造することができる液相成長装置を提供すること。
【解決手段】 ガリウム砒素からなる基板を収容するための基板収納載置凹部１６を設けたスライダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、原料溶液に基板１を接触させて基板１上に化合物半導体からなる半導体層を成長する液相成長装置において、上記スライダ１２の基板収納載置凹部１６の底面に、基板１の底面を下方から部分的に支持する基板ホルダ部１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 冷却過程において原料溶液を撹拌する機構を備えることによって原料溶液の温度を均質化し、これにより、大面積の基板上でも、その上に成長されるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにした液相成長装置を提供することにある。
【解決手段】 基板ホルダ１を有するスライダー２と、原料溶液溜を形成する原料溶液ホルダ３を有する原料溶液ホルダ保持体１１とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、所定の温度から冷却しながら原料溶液６又は７に基板５を接触させて、基板５上に半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長装置において、上記原料溶液ホルダ３に、原料溶液を基板５に接触させた後の冷却過程において原料溶液６、７を撹拌する羽根９を原料溶液溜中に有する撹拌機構１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 アセン系化合物を溶解させた溶液の取り扱い性に優れ、均一かつ、粒径の大きな結晶粒で構成された結晶性の薄膜を提供する。
【解決手段】 式（１）で表されるアセン系化合物を含む有機電子材料を、シクロヘキサンと、アセン系化合物を溶解しうる溶媒との混合溶媒に溶解させ、その溶液を基板に塗布して該有機電子材料の結晶性薄膜を形成する。


（式中、ｎは１〜３の整数である。） （もっと読む）